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高速集成电路封装效应的测量与模型技术
1
作者
杰弗.肯尼迪
南利平
《国外电子测量技术》
1995年第3期10-13,共4页
通常在计算机系统中,上升时间少于1ns时,集成电路(IC)的封装结构就成为信号变差和噪声余量减少的主要因素。设计人员必须在早期的设计过程中通过模拟,预测系统的性能,以便及时地把高质量的产品投向市场。 不断增加的系统复杂性,更高的...
通常在计算机系统中,上升时间少于1ns时,集成电路(IC)的封装结构就成为信号变差和噪声余量减少的主要因素。设计人员必须在早期的设计过程中通过模拟,预测系统的性能,以便及时地把高质量的产品投向市场。 不断增加的系统复杂性,更高的集成度和更快的时钟速率,这些都有助于改善系统的性能。但其中的每一项都会影响到设计封装工艺以及系统的设计过程。时钟速率越快意味着定时余量越小。
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关键词
集成电路
封装
测量
仿真模型
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职称材料
题名
高速集成电路封装效应的测量与模型技术
1
作者
杰弗.肯尼迪
南利平
机构
北京信息工程学院
出处
《国外电子测量技术》
1995年第3期10-13,共4页
文摘
通常在计算机系统中,上升时间少于1ns时,集成电路(IC)的封装结构就成为信号变差和噪声余量减少的主要因素。设计人员必须在早期的设计过程中通过模拟,预测系统的性能,以便及时地把高质量的产品投向市场。 不断增加的系统复杂性,更高的集成度和更快的时钟速率,这些都有助于改善系统的性能。但其中的每一项都会影响到设计封装工艺以及系统的设计过程。时钟速率越快意味着定时余量越小。
关键词
集成电路
封装
测量
仿真模型
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高速集成电路封装效应的测量与模型技术
杰弗.肯尼迪
南利平
《国外电子测量技术》
1995
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