GaAs／GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器 被引量：3

1

作者 林世鸣 吴荣汉 +7 位作者 黄永箴 潘钟 高洪海 王启明 段海龙 高文智 罗丽萍 王立轩 《高技术通讯》 CAS CSCD 1994年第10期11-13,共3页

通过对增益波导型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ垂直腔面发射激光器的材料生长和工艺制作的研究，实现了在室温下的脉冲激射。其激射阈值电流低达１０ｍＡ，输出光功率不低于０．３ｍｗ，有的可达０．７ｍｗ以上，器件单横模、单纵模工作，线... 通过对增益波导型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ垂直腔面发射激光器的材料生长和工艺制作的研究，实现了在室温下的脉冲激射。其激射阈值电流低达１０ｍＡ，输出光功率不低于０．３ｍｗ，有的可达０．７ｍｗ以上，器件单横模、单纵模工作，线宽小于４人。 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器 量子讲结构 分子束外延

下载PDF 职称材料

室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵 被引量：1

2

作者 林世鸣 康学军 +5 位作者 高俊华 高洪海 王启明 王红杰 王立轩 张春晖 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第5期48-50,共3页

报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于ｌｍＷ，发散角小于７．８°，高频测... 报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于ｌｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并由此器件制成了２×３二维列阵。 展开更多

关键词 垂直腔面发射 激光器 氧化法 砷化镓 ALGAAS

下载PDF 职称材料

低阈值红光垂直腔面发射激光器 被引量：1

3

作者 林世鸣 程澎 +8 位作者 康学军 马晓宇 高俊华 刘士安 张光斌 曹青 朱家廉 王红杰 罗丽萍 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1999年第7期17-19,共3页

研究了红光垂直腔面发射激光器的结构设计、外延生长及器件制作，实现了室温连续激射，其最低阈值电流达到０．２５ｍＡ。

关键词 半导体激光器 VCSEL 氧化工艺 激光器

下载PDF 职称材料

用GSMBE法生长匹配型GaInAsP／InP材料及量子阱、面发射激光器结构的研究 被引量：2

4

作者 林世鸣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期339-343,共5页

本文报道通过在位组分调整，配合Ｘ射线双晶衍射测试和光致发光测试，生长了与ＩｎＰ精确匹配的ＧａＩｎＡｓＰ（失配度达４×１０－４）．生长了ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构的光致发光半峰宽达５．７２ｍｅＶ．实验表明源炉挡... 本文报道通过在位组分调整，配合Ｘ射线双晶衍射测试和光致发光测试，生长了与ＩｎＰ精确匹配的ＧａＩｎＡｓＰ（失配度达４×１０－４）．生长了ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构的光致发光半峰宽达５．７２ｍｅＶ．实验表明源炉挡板开启后生长速率是不均匀的，这对生长量子阶和ＤＢＲ结构是个值得注意的问题，经考虑生长速率变化后生长的面发射激光器结构样片的反射率谱与理论计算的结果很好地相符． 展开更多

关键词 GAINASP/INP 磷化铟 GSMBE法 生长 激光器 量子阱

下载PDF 职称材料

X射线双晶衍射在分布布喇格反射镜研制中的应用

5

作者 林世鸣 高洪海 +3 位作者 张春辉 吴荣汉 庄岩 王玉田 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期257-260,共4页

本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反... 本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算，并与实验所测得的ＤＢＲ反射谱进行比较，得到了证实．我们应用这套方法指导ＶＣＳＥＬ外延片的生长，获得了良好的结果． 展开更多

关键词 DBR VCSEL X射线双晶衍射 激光器

下载PDF 职称材料

光学多层介质膜与多量子阱集成器件

6

作者 林世鸣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期288-293,共6页

本文采用光学传输矩阵元的方法设计了一种集成型反射式多量子阱器件,并给出了理论计算结果。采用MOCVD生长方法制作了该器件,它由n型多层增透介质膜、i型多量子阱、p型多层高反射率介质膜所组成。测试了该器件的光电流谱和反射率谱,并... 本文采用光学传输矩阵元的方法设计了一种集成型反射式多量子阱器件,并给出了理论计算结果。采用MOCVD生长方法制作了该器件,它由n型多层增透介质膜、i型多量子阱、p型多层高反射率介质膜所组成。测试了该器件的光电流谱和反射率谱,并与理论结果作了比较,二者附合得很好。这种器件可以发展成兼具调制、开关、双稳复合功能的反射式集成器件。 展开更多

关键词 光学 介质膜 量子阱 调制器 集成

下载PDF 职称材料

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究 被引量：3

7

作者 刘文楷 林世鸣 +7 位作者 武术 朱家廉 高俊华 渠波 陆建祖 廖奇为 邓晖 陈弘达 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1222-1225,共4页

采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga... 采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°. 展开更多

关键词 反应离子刻蚀 刻蚀速率 DBR 砷化镓 砷化铝

下载PDF 职称材料

低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器 被引量：4

8

作者 张权生 吴荣汉 +7 位作者 林世鸣 高洪海 高文智 吕卉 韩勤 段海龙 杜云 芦秀玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期103-108,T001,共7页

一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵... 一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns. 展开更多

关键词 双稳 激光器 INGAASP/INP

下载PDF 职称材料

GaAs量子阱半导体微腔中腔极化激元的动态行为(英文) 被引量：2

9

作者 刘文楷 安艳伟 +2 位作者 林世鸣 张存善 张常年 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期793-796,共4页

GaAs量子阱半导体微腔中, 光子同时与重空穴激子、轻空穴激子耦合形成腔极化激元 本文采用三谐振子耦合模型,计算了腔极化激元的三支的色散关系、线宽、有效质量及其群速度;结果表明,由于腔极化激元的三支中光子、重空穴激子、轻空穴激... GaAs量子阱半导体微腔中, 光子同时与重空穴激子、轻空穴激子耦合形成腔极化激元 本文采用三谐振子耦合模型,计算了腔极化激元的三支的色散关系、线宽、有效质量及其群速度;结果表明,由于腔极化激元的三支中光子、重空穴激子、轻空穴激子所占的权重随着平面波矢(或入射角度)变化,腔极化激元三支的线宽、有效质量及其群速度呈现出不同的动态行为。 展开更多

关键词 光子 激子 腔极化激元 量子阱 半导体微腔

下载PDF 职称材料

SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系 被引量：3

10

作者 郭维廉 郑元芬 +7 位作者 沙亚男 张培宁 张世林 李树荣 郑云光 陈弘达 林世鸣 芦秀玲 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期93-99,共7页

文章对电阻为负载时 ,硅光电负阻器件 (SPNRD)的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的 7个基本参数 ,并分析了负载电阻 (RL)和电源电压 (V0 )对这些参数的影响 ,理论分析结果与... 文章对电阻为负载时 ,硅光电负阻器件 (SPNRD)的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的 7个基本参数 ,并分析了负载电阻 (RL)和电源电压 (V0 )对这些参数的影响 ,理论分析结果与实测结果相一致。所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况。 展开更多

关键词 硅光电负阻器件 光电负阻特性 光学双稳态特性

下载PDF 职称材料

由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器 被引量：4

11

作者 康学军 林世鸣 +5 位作者 高俊华 高洪海 王启明 王红杰 王立轩 张春晖 《Journal of Semiconductors》 CSCD 北大核心 1996年第11期873-876,共4页

本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发... 本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并制成了２×３列阵器件。 展开更多

关键词 VCSELS 激光器 砷化镓 ALGAAS

下载PDF 职称材料

GaAs／GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件 被引量：2

12

作者 吴荣汉 高文智 +5 位作者 赵军 段海龙 林世鸣 钟战天 黄永箴 王启明 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第5期388-392,共5页

采用分子束外延技术生长含有大周期数的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阶（ＭＱＷ）及分布布喇格反射器（ＤＢＲ）的ＰＩＮ结构器件。研究了量子限制斯塔克效应（ＱＣＳＥ），分布布喇格反射及非对称腔模（ＡＳＦＰ）效应对光的反射调制... 采用分子束外延技术生长含有大周期数的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阶（ＭＱＷ）及分布布喇格反射器（ＤＢＲ）的ＰＩＮ结构器件。研究了量子限制斯塔克效应（ＱＣＳＥ），分布布喇格反射及非对称腔模（ＡＳＦＰ）效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器，其两态衬比度可达１０ｄＢ。所研制的ＳＥＥＤ器件，其导通光能耗低于１０ｆＪ／（μｍ）￣２，实现其光学双稳态及Ｒ－Ｓ光触发器工作。 展开更多

关键词 多量子阱 光调制器 SEED 砷化镓

下载PDF 职称材料

GaAs/GaAlAs多量子阱自电光效应光学双稳态 被引量：2

13

作者 吴荣汉 段海龙 +5 位作者 王启明 曾一平 孔梅影 潘钟 张权生 林世鸣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期120-124,共5页

采用国产分子束外延系统生长的GaAs/GaAlAs多量子阱材料,成功地制备出室温自电光效应(Self Electrooptic Effect)光学双稳态器件(SEED).报道了这种器件在对称工作(S-SEED)和非对称工作时的光学双稳态特性.

关键词 半导体材料 量子阱 光电效应

下载PDF 职称材料

Zn扩散工艺在降低VCSELp型DBR串联电阻中的应用 被引量：2

14

作者 高洪海 高俊华 +3 位作者 林世鸣 康学军 王红杰 王立轩 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期243-247,共5页

垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺，使ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ... 垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺，使ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓλ／４堆积层Ａｌ，Ｇａ互扩散，形成ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混熔层或在界面处形成Ａｌ，Ｇａ组分渐变的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ缓变层，从而降低ｐ型ＤＢＲ串联电阻的方法。利用这种方法。 展开更多

关键词 半导体器件 激光器 扩散

下载PDF 职称材料

基于矢量光场的VCSEL数值模型 被引量：3

15

作者 赵鼎 林世鸣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1297-1302,共6页

提出了一种基于矢量光场的氧化层限制型 VCSEL 的数值模型 ,在综合考虑激光器中电场方程、热场方程、载流子方程的前提下 ,采用矢量方程对器件中的光场分布进行描述 ,计算表明所得结果能够更合理地反映器件实际的工作状态 .文中还进一... 提出了一种基于矢量光场的氧化层限制型 VCSEL 的数值模型 ,在综合考虑激光器中电场方程、热场方程、载流子方程的前提下 ,采用矢量方程对器件中的光场分布进行描述 ,计算表明所得结果能够更合理地反映器件实际的工作状态 .文中还进一步将上述矢量场方程与传输矩阵法和时域有限差分法相结合 ,通过计算获得器件中光场的详细信息 . 展开更多

关键词 矢量光场 数值模型 VCSEL 垂直腔面发射激光器 氧化层限制型

下载PDF 职称材料

MSM光探测器的直流特性 被引量：2

16

作者 武术 林世鸣 刘文楷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1462-1467,共6页

在稳态条件下金属 -半导体 -金属 (MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解 .在这种条件下 ,器件内部的载流子分布情况和总体光电流可以得到解析解而不用数值方法求解 .本文从电流连续方程和传输... 在稳态条件下金属 -半导体 -金属 (MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解 .在这种条件下 ,器件内部的载流子分布情况和总体光电流可以得到解析解而不用数值方法求解 .本文从电流连续方程和传输方程出发详细推导了这一过程 ,并将这一结果应用于具体的 In Ga As MSM光探测器的直流等效电路模型上 。 展开更多

关键词 MSM光探测器 直流 等效电路

下载PDF 职称材料

确定VCSEL电势及载流子自洽分布算法的研究 被引量：4

17

作者 赵鼎 林世鸣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1093-1098,共6页

分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降 ,建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法 .针对电极电压变化和氧化层限制孔径变化的两种情况 ,在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度... 分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降 ,建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法 .针对电极电压变化和氧化层限制孔径变化的两种情况 ,在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算 ;针对两者所得结果的差异进行了简要的分析 ,指出了二者的特点及适用范围 . 展开更多

关键词 准Fermi能级 pn结模型 VCSEL

下载PDF 职称材料

GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究 被引量：1

18

作者 吴荣汉 段海龙 +6 位作者 曾一平 王启明 林世鸣 孔梅影 张权生 江德生 谢茂海 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第9期659-663,共5页

我们研制了GaAs/GaAlAs多量子阱pin结构的SEED器件。分析了器件的光电流光谱、光电流-电压特性。对于如何实现器件光学双稳态工作的有关问题进行了讨论。

关键词 自电光效应 多量子阱器件 光双稳

下载PDF 职称材料

Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究 被引量：1

19

作者 康学军 林世鸣 +5 位作者 高俊华 廖奇为 朱家廉 王红杰 张春晖 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期791-795,共5页

本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的．AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa... 本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的．AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa1-xAs中x值、层厚、水汽通量、氧化温度等4个因素有关；根据不同温度下AlAS层氧化反应速度常数，计算出了一定厚度AlAs层与水汽发生化学反应的活化能． 展开更多

关键词 多层异质材料 Ⅱ-Ⅴ族 化含物半导体

下载PDF 职称材料

InGaAsP/InP 有源时分光子交换器件

20

作者 张权生 石志文 +3 位作者 杜云 芦秀玲 吴荣汉 林世鸣 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1998年第1期1-4,共4页

自行设计并研制成功了两种有源时分光子交换器件：ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＥＭＰＢＨ双稳激光器及ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＭＱＷＤＣＰＢＨ双稳激光器，对这两种器件的部分性能作了简要报道。

关键词 时分复用 光子交换 光通信 激光器

下载PDF 职称材料