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对教材中摩尔气体常数测定实验原理误解的更正
被引量：
3
1
作者
林源为
迟瑛楠
《大学化学》
CAS
2010年第3期72-74,共3页
摩尔气体常数的测定是高等院校无机化学课程中的一个重要实验。然而,现行实验教材对该实验的实验原理分析中却出现了两处误解,即没有正确理解实验中有关理想气体状态方程式和道尔顿分压定律的应用。本文对这两处误解进行了分析和解释。
关键词
摩尔气体常数
实验原理
实验教材
测定
更正
无机化学课程
状态方程式
高等院校
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职称材料
一种用于先进封装的圆台硅通孔的刻蚀方法
2
作者
林源为
赵晋荣
+1 位作者
曹泽京
袁仁志
《电子与封装》
2023年第3期114-119,共6页
在集成电路的制造阶段延续摩尔定律变得越发困难,而在封装阶段利用三维空间可以视作对摩尔定律的拓展。硅通孔是利用三维空间实现先进封装的常用技术手段,现有技术中对于应用于CMOS图像传感器件封装的圆台硅通孔,采用的是在顶部不断横...
在集成电路的制造阶段延续摩尔定律变得越发困难,而在封装阶段利用三维空间可以视作对摩尔定律的拓展。硅通孔是利用三维空间实现先进封装的常用技术手段,现有技术中对于应用于CMOS图像传感器件封装的圆台硅通孔,采用的是在顶部不断横向刻蚀的方式实现的,不利于封装密度的提高,且对于光刻设备的分辨率有一定的要求。针对现有技术中的问题,一种严格控制横向刻蚀尺寸(仅占原始特征尺寸的3%~12%)的圆台硅通孔刻蚀方法被研究探索出来。该方法通过调节下电极功率(≤30 W),获得了侧壁角度可调(70°~88°)、通孔底部开口尺寸小于光刻定义特征尺寸的圆台硅通孔结构。这一方法有望向三维集成电路领域推广,有助于在封装阶段延续摩尔定律。
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关键词
先进封装
圆台硅通孔
等离子刻蚀法
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职称材料
一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法
3
作者
林源为
赵晋荣
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第1期42-45,64,共5页
由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响。为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(T...
由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响。为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(TSV)刻蚀进行了研究。通过在BOSCH工艺中引入偏置电极功率递增和单步沉积时间递增的组合,硅微腔和TSV中的底部圆角高度分别从13.6μm和12μm减小到了6.6~10.0μm和8.4μm。该方法有望实际应用于微电子机械系统(MEMS)器件的制造和电子器件的先进封装等领域。
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关键词
深硅刻蚀
减小底部圆角
硅微腔
硅通孔(TSV)
先进封装
原文传递
浅析当代社会思潮对高校学生思想行为的影响及对策
被引量：
1
4
作者
文学
林源为
《教育教学论坛》
2020年第20期98-100,共3页
本文首先从政治、经济、文化、社会和哲学等角度阐述了当代中国主要的社会思潮,进而归纳出受这些社会思潮影响、具有鲜明时代特性的当代大学生思想行为特点,最后对如何引导学生树立正确的思想行为观念提出建议。
关键词
社会思潮
高校学生
影响
思想行为引导
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职称材料
石墨烯表界面化学修饰及其功能调控
被引量：
19
5
作者
林源为
郭雪峰
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期277-288,共12页
石墨烯属于碳纳米材料家族中的一员,是一种单层的二维原子晶体,具有高硬度、高导热性、高载流子迁移率等诸多优良特性,被认为是新一代电子学器件的重要基础材料.近年来我们课题组利用石墨烯的这些优良特性在其表界面化学修饰及其功能调...
石墨烯属于碳纳米材料家族中的一员,是一种单层的二维原子晶体,具有高硬度、高导热性、高载流子迁移率等诸多优良特性,被认为是新一代电子学器件的重要基础材料.近年来我们课题组利用石墨烯的这些优良特性在其表界面化学修饰及其功能调控方面开展了一系列研究工作.我们对石墨烯表界面进行了共价或非共价化学修饰,在一定程度上打开了石墨烯的带隙,并发展了具有传感功能的石墨烯器件.我们还制备了基于石墨烯的纳米电极,发展了新一代分子电子器件的普适性制备方法,实现了单分子器件的功能化.展望未来,以石墨烯为代表的碳基纳米材料将继续在纳电子器件研究领域发挥重要作用.
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关键词
石墨烯
化学修饰
功能调控
纳米电极
分子电子器件
原文传递
题名
对教材中摩尔气体常数测定实验原理误解的更正
被引量：
3
1
作者
林源为
迟瑛楠
机构
北京理工大学理学院
出处
《大学化学》
CAS
2010年第3期72-74,共3页
文摘
摩尔气体常数的测定是高等院校无机化学课程中的一个重要实验。然而,现行实验教材对该实验的实验原理分析中却出现了两处误解,即没有正确理解实验中有关理想气体状态方程式和道尔顿分压定律的应用。本文对这两处误解进行了分析和解释。
关键词
摩尔气体常数
实验原理
实验教材
测定
更正
无机化学课程
状态方程式
高等院校
分类号
O61-4 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
一种用于先进封装的圆台硅通孔的刻蚀方法
2
作者
林源为
赵晋荣
曹泽京
袁仁志
机构
北京北方华创微电子装备有限公司
出处
《电子与封装》
2023年第3期114-119,共6页
文摘
在集成电路的制造阶段延续摩尔定律变得越发困难,而在封装阶段利用三维空间可以视作对摩尔定律的拓展。硅通孔是利用三维空间实现先进封装的常用技术手段,现有技术中对于应用于CMOS图像传感器件封装的圆台硅通孔,采用的是在顶部不断横向刻蚀的方式实现的,不利于封装密度的提高,且对于光刻设备的分辨率有一定的要求。针对现有技术中的问题,一种严格控制横向刻蚀尺寸(仅占原始特征尺寸的3%~12%)的圆台硅通孔刻蚀方法被研究探索出来。该方法通过调节下电极功率(≤30 W),获得了侧壁角度可调(70°~88°)、通孔底部开口尺寸小于光刻定义特征尺寸的圆台硅通孔结构。这一方法有望向三维集成电路领域推广,有助于在封装阶段延续摩尔定律。
关键词
先进封装
圆台硅通孔
等离子刻蚀法
Keywords
advanced packaging
circular truncated cone through silicon via
plasma etch method
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法
3
作者
林源为
赵晋荣
机构
北京北方华创微电子装备有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第1期42-45,64,共5页
文摘
由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响。为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(TSV)刻蚀进行了研究。通过在BOSCH工艺中引入偏置电极功率递增和单步沉积时间递增的组合,硅微腔和TSV中的底部圆角高度分别从13.6μm和12μm减小到了6.6~10.0μm和8.4μm。该方法有望实际应用于微电子机械系统(MEMS)器件的制造和电子器件的先进封装等领域。
关键词
深硅刻蚀
减小底部圆角
硅微腔
硅通孔(TSV)
先进封装
Keywords
deep silicon etching
footing reduction
silicon microcavity
through silicon via(TSV)
advanced packaging
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
浅析当代社会思潮对高校学生思想行为的影响及对策
被引量：
1
4
作者
文学
林源为
机构
北京化工大学研究生院
北京大学前沿交叉学科研究院
出处
《教育教学论坛》
2020年第20期98-100,共3页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金
北京化工大学研究生党建与思政课题。
文摘
本文首先从政治、经济、文化、社会和哲学等角度阐述了当代中国主要的社会思潮,进而归纳出受这些社会思潮影响、具有鲜明时代特性的当代大学生思想行为特点,最后对如何引导学生树立正确的思想行为观念提出建议。
关键词
社会思潮
高校学生
影响
思想行为引导
Keywords
social thoughts
college students
influence
ideological and behavioral guidance
分类号
G641.2 [文化科学—高等教育学]
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职称材料
题名
石墨烯表界面化学修饰及其功能调控
被引量：
19
5
作者
林源为
郭雪峰
机构
北京大学前沿交叉学科研究院纳米科学与技术研究中心
北京大学纳米化学研究中心北京分子科学国家实验室分子动态与稳态国家重点实验室化学与分子工程学院
北京大学工学院材料科学与工程系
出处
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期277-288,共12页
基金
国家自然科学基金(Nos.21225311,21373014,51121091)
国家重点基础研究发展计划(973)(No.2012CB921404)资助~~
文摘
石墨烯属于碳纳米材料家族中的一员,是一种单层的二维原子晶体,具有高硬度、高导热性、高载流子迁移率等诸多优良特性,被认为是新一代电子学器件的重要基础材料.近年来我们课题组利用石墨烯的这些优良特性在其表界面化学修饰及其功能调控方面开展了一系列研究工作.我们对石墨烯表界面进行了共价或非共价化学修饰,在一定程度上打开了石墨烯的带隙,并发展了具有传感功能的石墨烯器件.我们还制备了基于石墨烯的纳米电极,发展了新一代分子电子器件的普适性制备方法,实现了单分子器件的功能化.展望未来,以石墨烯为代表的碳基纳米材料将继续在纳电子器件研究领域发挥重要作用.
关键词
石墨烯
化学修饰
功能调控
纳米电极
分子电子器件
Keywords
graphene： chemical modification
nanoelectrode
molecular electronic device
分类号
O613.71 [理学—无机化学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
对教材中摩尔气体常数测定实验原理误解的更正
林源为
迟瑛楠
《大学化学》
CAS
2010
3
下载PDF
职称材料
2
一种用于先进封装的圆台硅通孔的刻蚀方法
林源为
赵晋荣
曹泽京
袁仁志
《电子与封装》
2023
0
下载PDF
职称材料
3
一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法
林源为
赵晋荣
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
0
原文传递
4
浅析当代社会思潮对高校学生思想行为的影响及对策
文学
林源为
《教育教学论坛》
2020
1
下载PDF
职称材料
5
石墨烯表界面化学修饰及其功能调控
林源为
郭雪峰
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014
19
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