-
题名新型阻挡层抛光液对CMP后清洗效果的影响
- 1
-
-
作者
栾晓东
张拓
戚克松
樊硕晨
贾儒
-
机构
江苏海洋大学电子工程学院
江苏省海洋资源开发研究院
河北工业大学电子信息工程学院
陆军军事交通学院
-
出处
《电子元件与材料》
CAS
北大核心
2023年第12期1483-1489,共7页
-
基金
国家自然科学基金青年基金(62104087)
江苏省自然科学青年基金(BK20191005)
江苏高校“青蓝工程”资助。
-
文摘
当集成电路制造工艺缩小到14 nm及以下,阻挡层抛光清洗后表面缺陷严重影响芯片成品率。针对新型碱性阻挡层抛光液,与线上抛光液对比,通过检测抛光清洗后的晶圆表面缺陷,研究了不同阻挡层抛光液对CMP后清洗效果的影响。研究结果表明:当新型碱性阻挡层抛光液中不含盐酸胍时,抛光清洗后的晶圆表面存在大量划伤,盐酸胍的加入可同时提高TEOS和Cu的去除速率,且显著降低表面划伤数量;使用单一成分清洗液对不同阻挡层抛光液CMP后的晶圆清洗,新型阻挡层抛光液抛光清洗后的晶圆表面无任何污染颗粒,利于CMP后清洗,而线上抛光液的晶圆表面存在大量有机残留物和氧化物颗粒,需复配清洗液清洗;相比较线上阻挡层抛光液+复配清洗液工艺,使用新型碱性阻挡层抛光液+单一成分清洗液工艺产生的Cu/Ta界面腐蚀小,抛光清洗后的晶圆表面无明显的宽线条边缘缝隙和细线条表面塌陷的现象。
-
关键词
阻挡层
化学机械抛光
清洗
缺陷
电偶腐蚀
-
Keywords
barrier layer
chemical mechanical polishing
cleaning
defect
galvanic corrosion
-
分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名复配表面活性剂对新型阻挡层抛光液抛光性能的影响
- 2
-
-
作者
栾晓东
樊硕晨
贾儒
刘童亲
张拓
陆伟航
-
机构
江苏海洋大学电子工程学院
江苏省海洋资源开发研究院
-
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第5期803-809,共7页
-
基金
国家自然科学基金(62104087)
国家中长期科技发展规划科技重大专项资助项目(2016ZX02301003)
+1 种基金
江苏省自然科学青年基金项目(BK20191005)
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(19KJB430011)。
-
文摘
针对新型阻挡层抛光液存在Cu和正硅酸乙酯(TEOS)抛光速率一致性差、运输贮存过程中细菌滋生造成抛光表面缺陷的问题,选取脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)非离子表面活性剂和作为杀菌剂的阳离子表面活性剂十二烷基二甲基苄基氯化铵(DDBAC),通过复配2种表面活性剂研究其对Cu和TEOS抛光速率一致性以及杀菌效果的影响,并阐述相关的影响机制。实验结果表明:Cu和TEOS抛光速率随着复配表面活性剂体积分数的增加而降低,复配表面活性剂主要控制测量点到晶圆中心的距离为70~150 mm区域内的铜抛光速率,对于TEOS,复配表面活性剂主要控制0~70 mm区域内的铜抛光速率;复配表面活性剂体积分数的增加可同时提高Cu和TEOS抛光速率一致性,但高体积分数复配表面活性剂可造成表面划伤;DDBAC作为非氧化性的杀菌剂,具有较强的抗菌抑菌能力,可通过改变细菌膜通透性,使细菌裂解死亡,杀菌效果显著。
-
关键词
化学机械抛光(CMP)
阻挡层抛光
复配表面活性剂
抛光速率一致性
杀菌剂
-
Keywords
chemical mechanical polishing(CMP)
barrier polishing
compound surfactant
polishing rate uniformity
bactericide
-
分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
-
