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ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长 被引量:2
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作者 毕朝霞 张荣 +9 位作者 李卫平 殷江 沈波 周玉刚 陈鹏 陈志忠 顾书林 施毅 刘治国 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1025-1029,共5页
研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复... 研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽为 0 .4°.结果表明薄 Zn Al2 O4覆盖层的岛状结构有利于 Ga N生长初期的成核 ,从而提高了 Ga 展开更多
关键词 X射线衍射 衬底 MOCVD 晶体生长 氮化镓 半导体材料
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金属-铁电体-GaN结构研究 被引量:1
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作者 毕朝霞 张荣 +9 位作者 李卫平 殷江 沈波 周玉刚 陈鹏 陈志忠 顾书林 施毅 刘治国 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期30-33,共4页
以铁电体 Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7) O3取代传统绝缘栅氧化物制备了 Ga N基金属 -绝缘层 -半导体 (MIS)结构 .由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数 ,Ga N基金属 -铁电体 -半导体 (MFS)结构的电容 -电压特性与其他 Ga N基MIS结构相比较... 以铁电体 Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7) O3取代传统绝缘栅氧化物制备了 Ga N基金属 -绝缘层 -半导体 (MIS)结构 .由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数 ,Ga N基金属 -铁电体 -半导体 (MFS)结构的电容 -电压特性与其他 Ga N基MIS结构相比较得到了显著的提高 .Ga N基 MFS结构中 Ga N激活层达到反型时的偏压小于 5 V ,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致 ,而且结果表明 Ga N层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级 .因此 ,Ga N基 MFS结构对于 Ga 展开更多
关键词 半导体 氮化镓 铁电体 金属
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GaN基光发射二极管中深能级研究 被引量:1
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作者 毕朝霞 张荣 +4 位作者 邓娜 顾书林 沈波 施毅 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期371-374,共4页
利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 ... 利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 .75N层此时全部被耗尽。改变测量的率窗 ,得到该深能级在导带下 0 .2 4e V处 ,浓度为 2 .2 % ND,俘获截面为 1 .93× 1 0 - 1 5cm2。在 Ga N材料中 ,其他小组也报道了此位置上的深能级结果。结合文中的工作 ,该深能级可能和 n-In0 .2 5Ga0 .75N层中的线位错有关。 展开更多
关键词 深能级瞬态谱 光发射二级管 铟镓氮
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棱柱型荞麦皮枕缓解颈椎病症状100例 被引量:1
4
作者 毕朝霞 周筱霞 姚雪丽 《中国民间疗法》 2003年第7期25-26,共2页
关键词 棱柱型荞麦皮枕 颈椎病 临床症状 疗效 病例
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张士舜“三辨治癌”浅析
5
作者 毕朝霞 邓鸿鹏 李雪松 《实用中医内科杂志》 2003年第2期79-79,共1页
关键词 张士舜 三辨治癌 中医药治疗 癌症
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InN材料及其应用 被引量:7
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作者 谢自力 张荣 +9 位作者 毕朝霞 刘斌 修向前 顾书林 江若琏 韩平 朱顺明 沈波 施毅 郑有炓 《微纳电子技术》 CAS 2004年第12期26-32,共7页
由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。
关键词 INN 带隙 半导体材料 晶格常数 晶格匹配
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GaN纳米线材料的特性和制备技术 被引量:4
7
作者 谢自力 张荣 +9 位作者 修向前 毕朝霞 刘斌 江若琏 沈波 顾书林 韩平 朱顺明 施毅 郑有炓 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2004年第3期187-191,共5页
GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料 ,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中 ,并可用于大功率微波器件 .最近几年 ,由于GaN蓝光二极管的成功研制 ,使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课... GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料 ,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中 ,并可用于大功率微波器件 .最近几年 ,由于GaN蓝光二极管的成功研制 ,使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课题 .简要介绍了GaN纳米线材料的制备技术 ;综述了GaN纳米线材料的制备结果和特性 .用CVD法研制的GaN纳米线的直径已经达到 5~ 12nm ,长度达到几百个微米 .纳米线具有GaN的六方纤锌矿结构 ,其PL谱具有宽的发射峰 ,谱峰中心在 42 0nm .GaN纳米线已经在肖特基二极管的研制中得到应用 . 展开更多
关键词 GAN纳米线 宽禁带半导体 相关器 蓝光二极管 PL谱 化合物半导体 微波器件 CVD法 中心 化学性质
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InN薄膜的退火特性 被引量:3
8
作者 谢自力 张荣 +11 位作者 修向前 毕朝霞 刘斌 濮林 陈敦军 韩平 顾书林 江若琏 朱顺明 赵红 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期340-344,共5页
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425... 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量. 展开更多
关键词 INN 热退火 X射线衍射 扫描电子显微镜 X射线光电子谱
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额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响 被引量:3
9
作者 修向前 张荣 +5 位作者 李杰 卢佃清 毕朝霞 叶宇达 俞慧强 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1171-1175,共5页
在氢化物气相外延 (HVPE)生长 Ga N过程中 ,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外 HCl来改善 Ga N外延薄膜质量的方法 ,并且讨论了额外 HCl和氮化对 Ga N形貌和质量的影响 .两种方法都可以大幅度地改善 Ga N的晶体质量和性质 ,但机理不... 在氢化物气相外延 (HVPE)生长 Ga N过程中 ,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外 HCl来改善 Ga N外延薄膜质量的方法 ,并且讨论了额外 HCl和氮化对 Ga N形貌和质量的影响 .两种方法都可以大幅度地改善 Ga N的晶体质量和性质 ,但机理不同 .氮化是通过在衬底表面形成 Al N小岛 ,促进了衬底表面的成核和薄膜的融合 ;而添加额外 展开更多
关键词 氢化物气相外延(HVPE) GAN 氮化 额外HCl
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木核汤治疗胃癌浅析
10
作者 毕朝霞 《中医药学刊》 2003年第10期1750-1750,共1页
关键词 木核汤 胃癌 中医药治疗 疗效 恶性肿瘤
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MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征 被引量:2
11
作者 李亮 张荣 +11 位作者 谢自力 张禹 修向前 刘成祥 毕朝霞 陈琳 刘斌 俞慧强 韩平 顾书林 施毅 郑有炓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1118-1121,共4页
本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上... 本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。 展开更多
关键词 MOCVD InxGa1-xN 薄膜 缓冲层
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GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长 被引量:1
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作者 陈敦军 毕朝霞 +9 位作者 沈波 张开骁 顾书林 张荣 施毅 胡立群 郑有炓 孙学浩 万寿科 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期782-784,共3页
用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分... 用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分的GaN1-xPx 样品进行了低温光致发光 (PL)测试 ,与来自GaN衬底的带边发射相比 ,随三元合金中P组分的变化 ,GaN1-xPx 的PL峰呈现出了不同程度的红移 .在GaN1-xPx 的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰 ,表明该合金材料没有发生相分离 . 展开更多
关键词 三元合金 MOCVD 化学态 红移 镓氮磷合金 气相沉积
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Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征(英文) 被引量:1
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作者 沈波 李卫平 +10 位作者 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期57-60,共4页
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。 展开更多
关键词 C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN
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AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长 被引量:1
14
作者 李亮 张荣 +14 位作者 谢自力 张禹 修向前 姬小利 刘成祥 毕朝霞 陈琳 周建军 刘斌 韩平 江若琏 顾书林 施毅 龚海梅 郑有炓 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期891-893,共3页
文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。
关键词 ALGAN GAN 分布布拉格反射镜 MOCVD
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在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN 被引量:1
15
作者 谢自力 张荣 +11 位作者 修向前 毕朝霞 刘斌 濮林 陈敦军 韩平 顾书林 江若琏 朱顺明 赵红 施毅 郑有炓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1050-1055,共6页
利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(... 利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集。原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并。自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN。我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长。 展开更多
关键词 INN 预淀积In纳米点 MOCVD
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三辨治癌合并介入治疗中晚期胃癌43例 被引量:1
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作者 方玉红 李雪松 +1 位作者 袁素 毕朝霞 《辽宁中医杂志》 CAS 北大核心 2015年第3期535-536,共2页
目的:观察三辨治癌指导下参藤消胃积汤配合介入治疗中晚期胃癌的临床疗效。方法:口服参藤消胃积汤,每日1剂;同时配合介入,治疗中晚期胃癌。结果:CR+PR+NC=95.3%,中位生存期23个月,;1年生存率76.7%,2年生存率44.1%,3年生存率27.8%,4年生... 目的:观察三辨治癌指导下参藤消胃积汤配合介入治疗中晚期胃癌的临床疗效。方法:口服参藤消胃积汤,每日1剂;同时配合介入,治疗中晚期胃癌。结果:CR+PR+NC=95.3%,中位生存期23个月,;1年生存率76.7%,2年生存率44.1%,3年生存率27.8%,4年生存率16.3%,5年生存率7.0%。结论:根据"三辨论治"即辨证论治、辨病理论治、辨病位论治,参藤消胃积汤配合介入治疗胃癌,能显著提高患者的生存质量及生存期,疗效显著。 展开更多
关键词 三辨治癌 参藤消胃积汤 介入 中晚期胃癌
原文传递
瓜蒌全蝎粉治疗乳腺增生病48例效果观察 被引量:1
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作者 王天松 毕朝霞 刘传莲 《现代中西医结合杂志》 CAS 2007年第21期3032-3032,共1页
目的探讨瓜蒌全蝎粉治疗乳腺增生病的效果。方法将瓜蒌开口将蝎子分别装于瓜蒌内放于瓦片上烘干、研成粉。每日1次,每次3 g口服。结果治愈43例,好转4例,未愈1例。结论本方法简单、效果满意。
关键词 乳腺增生病 瓜萎全蝎粉 中药
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Bottom-up approaches to microLEDs emitting red, green and blue light based on GaN nanowires and relaxed InGaN platelets
18
作者 毕朝霞 Anders Gustafsson Lars Samuelson 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第1期1-10,共10页
Miniaturization of light-emitting diodes(LEDs) with sizes down to a few micrometers has become a hot topic in both academia and industry due to their attractive applications on self-emissive displays for high-definiti... Miniaturization of light-emitting diodes(LEDs) with sizes down to a few micrometers has become a hot topic in both academia and industry due to their attractive applications on self-emissive displays for high-definition televisions,augmented/mixed realities and head-up displays, and also on optogenetics, high-speed light communication, etc. The conventional top-down technology uses dry etching to define the LED size, leading to damage to the LED side walls.Since sizes of microLEDs approach the carrier diffusion length, the damaged side walls play an important role, reducing microLED performance significantly from that of large area LEDs. In this paper, we review our efforts on realization of microLEDs by direct bottom-up growth, based on selective area metal–organic vapor phase epitaxy. The individual LEDs based on either GaN nanowires or InGaN platelets are smaller than 1 μm in our approach. Such nano-LEDs can be used as building blocks in arrays to assemble microLEDs with different sizes, avoiding the side wall damage by dry etching encountered for the top-down approach. The technology of InGaN platelets is especially interesting since InGaN quantum wells emitting red, green and blue light can be grown on such platelets with a low-level of strain by changing the indium content in the InGaN platelets. This technology is therefore very attractive for highly efficient microLEDs of three primary colors for displays. 展开更多
关键词 microLEDs RGB GAN INGAN
原文传递
Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
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作者 沈波 李卫平 +10 位作者 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期57-60,共4页
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。 展开更多
关键词 C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN
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六君子汤加羌防配合穴位按摩治疗脂肪瘤临床观察研究
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作者 毕朝霞 《中国科技期刊数据库 医药》 2023年第6期169-172,共4页
运用六君子汤加羌防加减配合穴位按摩治疗脂肪瘤患者,使患者免于手术治疗带来的不便和痛苦,因为脂肪瘤也容易复发,所以希望从根本上彻底治疗脂肪瘤,解决脂肪瘤生长的根本体质原因,从源头阻断,以防长大以后发生性质改变或复发。方法 选... 运用六君子汤加羌防加减配合穴位按摩治疗脂肪瘤患者,使患者免于手术治疗带来的不便和痛苦,因为脂肪瘤也容易复发,所以希望从根本上彻底治疗脂肪瘤,解决脂肪瘤生长的根本体质原因,从源头阻断,以防长大以后发生性质改变或复发。方法 选用西医诊断明确的脂肪瘤患者30人,使用中药汤剂六君子汤加羌防配合穴位按摩综合治疗,汤剂每日一剂水煎服,每日3次,早、中、晚各一次,一个月为一个疗程,连续服用2个月,穴位按摩的每周6次,做6天休息一天,也是一个月为一个疗程。连续治疗2个疗程。结果 使用六君子汤加羌防加减配合穴位按摩方法治疗的患者,脂肪瘤大小均有不同程度的减小甚至消失,效果非常好。结论 中医药治疗方法能从脂肪瘤发病的根本原因上去解决问题,主要从患者偏颇体质入手,这些患者体质均是脾虚痰湿体质,兼加一些肝郁血瘀,所以通过采取纠正患者的偏颇体质,才能让患者从源头根除脂肪瘤,以后彻底不长脂肪瘤。 展开更多
关键词 六君子汤 脂肪瘤 体质 平和质 穴位按摩
原文传递
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