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模拟/数字转换器的动态性能参数处理 被引量：3
1
作者 毛静文 王照钢 +1 位作者 陈诚 任俊彦 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期254-256,共3页
　文章介绍了一种针对模拟/数字转换器(ADC)的动态性能参数设计的灵活易用的分析程序。该程序基于使用FFT算法的谱分析测试方法,并通过设计一个交互性能良好、功能丰富的用户图形界面(GUI),使用户可以方便地分析4～20位分辨率的ADC的量... 　文章介绍了一种针对模拟/数字转换器(ADC)的动态性能参数设计的灵活易用的分析程序。该程序基于使用FFT算法的谱分析测试方法,并通过设计一个交互性能良好、功能丰富的用户图形界面(GUI),使用户可以方便地分析4～20位分辨率的ADC的量化结果,并给出多种动态性能参数的分析值,便于设计者和使用者评估ADC的性能。 展开更多
关键词 模拟/数字转换器 动态参数 FFT 电路测试
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折叠内插模数转换器分析及实现
2
作者 陈诚 毛静文 +2 位作者 王照钢 任俊彦 闵昊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1234-1238,共5页
应用Matlab/Simulink工具对折叠内插模数转换器进行了建模,研究了具有8bit分辨率、200MHz采样频率的该模数转换器的芯片设计和实现.系统设计时采用Matlab/Simulink进行行为级建模并分别分析了预放大的增益、折叠电路的带宽以及比较器的... 应用Matlab/Simulink工具对折叠内插模数转换器进行了建模,研究了具有8bit分辨率、200MHz采样频率的该模数转换器的芯片设计和实现.系统设计时采用Matlab/Simulink进行行为级建模并分别分析了预放大的增益、折叠电路的带宽以及比较器的失调对动态性能的影响.设计实现的模数转换器实测结果表明,积分非线性误差和微分非线性误差分别小于0.77和0.6LSB,在采样频率为200MHz及输入信号频率为4MHz时,信号与噪声及谐波失真比为43.7dB.电路采用标准0.18μmCMOS数字工艺实现,电源电压为3.3V,功耗181mW,芯核面积0.25mm2. 展开更多
关键词 模数转换器 电路建模 折叠内插
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课程思政视域下初中物理“科学态度与责任”素养的培育研究 被引量：2
3
作者 张艳 柳旭 毛静文 《江苏教育》 2023年第3期12-16,24,共6页
新课标背景下初中物理课程思政育人成效显著。教师挖掘并融入课程思政元素,积极探索科学态度与责任素养的培育路径,为学生的终身发展启智润心,铸魂育人。可在厘清科学本质、科学态度和社会责任内涵的基础上,从教学观念、教学内容、教学... 新课标背景下初中物理课程思政育人成效显著。教师挖掘并融入课程思政元素,积极探索科学态度与责任素养的培育路径,为学生的终身发展启智润心,铸魂育人。可在厘清科学本质、科学态度和社会责任内涵的基础上,从教学观念、教学内容、教学方法以及教学评价方面反思育人困境。研究表明:通过设计情境化的科学态度与责任教学目标,整合体现思政元素的初中物理教学内容,创新物理科学态度与责任培育的方式方法,构建促进素养培养的多元育人评价体系等可以有效提升课程思政的育人实效。 展开更多
关键词 初中物理 科学态度与责任素养 课程思政
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1.8V千兆以太网接收器模拟前端预均衡电路
4
作者 易伟 毛静文 +3 位作者 李宁 叶凡 任俊彦 杨莲兴 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期392-395,399,共5页
介绍了一种用于1.8 V电源电压下的千兆以太网接收器的模拟前端预均衡电路。电路分为三个部分:预处理电路、基带漂移补偿电路和可变增益放大电路,主要实现回波消除、基带漂移补偿和电路增益自动控制等功能。为了与百兆模式兼容,提出了一... 介绍了一种用于1.8 V电源电压下的千兆以太网接收器的模拟前端预均衡电路。电路分为三个部分:预处理电路、基带漂移补偿电路和可变增益放大电路,主要实现回波消除、基带漂移补偿和电路增益自动控制等功能。为了与百兆模式兼容,提出了一种预处理电路。仿真结果表明,该电路可以很好地实现回波消除的功能,能够对由于基带漂移引起的信号失真给以补偿,可以提供16级不同的增益,并进行频率补偿。电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现。 展开更多
关键词 千兆以太网 模拟前端 回波消除 基带漂移补偿 可变增益放大器
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低电压基准电压源(英文)
5
作者 毛静文 陈廷乾 +2 位作者 陈诚 任俊彦 杨励 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期87-91,共5页
设计了一个低电源电压的高精密的CMOS带隙电压基准源，采用SMIC0．18μmCMOS工艺。实现了一阶温度补偿，具有良好的电源抑制比。测试结果表明，在1．5V电源电压下，电源抑制比为47dB，在0～80℃的温度范围内，输出电压变化率为0．269％... 设计了一个低电源电压的高精密的CMOS带隙电压基准源，采用SMIC0．18μmCMOS工艺。实现了一阶温度补偿，具有良好的电源抑制比。测试结果表明，在1．5V电源电压下，电源抑制比为47dB，在0～80℃的温度范围内，输出电压变化率为0．269％，功耗为0．22mW，芯片核面积为0．057mm^2。 展开更多
关键词 模拟集成电路 带隙基准源 电源抑制比 低电压
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