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江风益:技术方、投资方需摆正各自位置
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作者 江风益 《新材料产业》 2008年第9期1-1,共1页
对于许多高校、研究所等研发部门来说,高新技术转化成生产力一直都是很难的事情。一方面,我国目前还缺少风险投资的良好机制;另一方面,国内很多风险投资公司对高新技术向产业转化的长期性、艰苦性理解的并不深入,投资方、技术方很... 对于许多高校、研究所等研发部门来说,高新技术转化成生产力一直都是很难的事情。一方面,我国目前还缺少风险投资的良好机制;另一方面,国内很多风险投资公司对高新技术向产业转化的长期性、艰苦性理解的并不深入,投资方、技术方很容易产生矛盾。 展开更多
关键词 高新技术转化 风险投资公司 位置 研究所 生产力
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半导体发光前沿技术研究和产业化——访南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心江风益院士 被引量:1
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作者 张莹 江风益 《微纳电子与智能制造》 2021年第3期1-3,共3页
LED光效提高对于节能减排效益将是显著的,在能源、信息、材料、健康、农业等领域均有广阔的应用前景。尽管可见光LED进展喜人,但光效发光不平衡,还有大量的科学技术问题亟待解决。国内LED先进技术水平与国际相比,原创性基础发明专利较少... LED光效提高对于节能减排效益将是显著的,在能源、信息、材料、健康、农业等领域均有广阔的应用前景。尽管可见光LED进展喜人,但光效发光不平衡,还有大量的科学技术问题亟待解决。国内LED先进技术水平与国际相比,原创性基础发明专利较少,引领性基础研究成果不多《。微纳电子与智能制造》邀请到南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心江风益院士,就半导体发光研究前沿技术和产业化领域进行采访。红光Micro-LED光效领先其他材料体系,有望在新型微显示器件市场进行应用,未来江院士团队将研究与元宇宙VR技术结合起来、实现红光Micro-LED批量应用。就如何从基础研究走到产业化的问题,江院士建议大力加强创新链各环节的有组织活动,整合人力、物力、财力等多种有效资源,建立快速反馈的企业化科教融合机制,有利于科教人员准确判断科技突破的方向,同时也是基础研究走向产业化的重要保障。 展开更多
关键词 半导体发光 基础研究成果 先进技术水平 工程技术研究中心 科教融合 发明专利 智能制造 VR技术
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MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究 被引量:6
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作者 江风益 李述体 +4 位作者 王立 熊传兵 彭学新 辛勇 姚冬敏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期120-124,共5页
获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流于浓度高达2 ×1019cm-3,迁移率达120cm2/V·s的n... 获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流于浓度高达2 ×1019cm-3,迁移率达120cm2/V·s的n型GaN:Si单晶膜;并有效地抑制了GaN中由深能级引起的黄带发射,大大提高带边发光强度。研究结果还表明:随着S掺杂量的增大,GaN:Si单晶膜的电子载流于浓度增加,迁移率下降,X光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺S量增大,GaN:Si单晶膜的生长速率显著下降的现象。 展开更多
关键词 MOCVD 单晶膜 氮化镓
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新型紫外光源研制成功 被引量:6
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作者 江风益 熊传兵 +9 位作者 彭学新 王立 李述体 姚冬敏 莫春兰 李鹏 周毛兴 周力 吴蔚登 刘和初 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期30-30,共1页
以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 ... 以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来。 展开更多
关键词 发光二极管 紫外光源 氮化镓半导体材料
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Znse—ZnS应变超晶格的吸收光谱及子能带的计算 被引量:4
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作者 江风益 范希武 范广涵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期174-180,共7页
我们首次观测到ZnSe—ZnS应变超晶格的n=1,n=2两个子能带的重、轻空穴激子的吸收光谱。根据LCAO理论、应变感应能带结构理论与Kronig-Penney模型,首次计算了ZnSe—ZnS应变超晶格势阱中重、轻空穴子能带。计算结果由实验所测量的吸收光... 我们首次观测到ZnSe—ZnS应变超晶格的n=1,n=2两个子能带的重、轻空穴激子的吸收光谱。根据LCAO理论、应变感应能带结构理论与Kronig-Penney模型,首次计算了ZnSe—ZnS应变超晶格势阱中重、轻空穴子能带。计算结果由实验所测量的吸收光谱所验证。文中指出,这一计算方法同样适用于其它半导体超晶格。 展开更多
关键词 ZNSE ZNS 应变 超晶格 吸收光谱
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ZnSe-ZnS应变超晶格的Raman散射 被引量:2
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作者 江风益 杨爱华 +2 位作者 范希武 范广涵 潘传康 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期217-223,共7页
本文报导了Znse—ZnS应变超晶格的Raman光学声子谱.我们观测到,随着应变大小的改变,ZnSe和ZnS的纵向光学声子发生频移.ZnSe层中纵向光学声子可发生较大的蓝移,也可发生较小的红移;ZnS层中的纵向光学声子发生较大的红移.这些现象为“应... 本文报导了Znse—ZnS应变超晶格的Raman光学声子谱.我们观测到,随着应变大小的改变,ZnSe和ZnS的纵向光学声子发生频移.ZnSe层中纵向光学声子可发生较大的蓝移,也可发生较小的红移;ZnS层中的纵向光学声子发生较大的红移.这些现象为“应变场下的光学模理论”所解释.文中还报导了在波数为110cm^(-1)处观测到一很强的散射峰,并把它归结为超晶格表面层单斜Se所引起的散射;在其它地方还观测到非晶态Se、三角Se引起的散射峰. 展开更多
关键词 ZNSE ZNS 应变超晶格 喇曼散射
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化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响 被引量:1
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作者 江风益 姚冬敏 +4 位作者 莫春兰 王立 李鹏 熊传兵 彭学新 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期746-750,共5页
用 X射线光电子能谱对 MOCVD生长的未故意掺杂 Ga N单晶薄膜进行 N、 Ga组份测试 ,同时用 RBS/Channeling、 Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究 .结果表明 N含量相对低的 Ga N薄膜 ,其背景载流子浓度较高 ,离子... 用 X射线光电子能谱对 MOCVD生长的未故意掺杂 Ga N单晶薄膜进行 N、 Ga组份测试 ,同时用 RBS/Channeling、 Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究 .结果表明 N含量相对低的 Ga N薄膜 ,其背景载流子浓度较高 ,离子束背散射沟道最小产额比 χmin较小 ,带边辐射复合跃迁较强 .在 N含量相对低的 Ga N薄膜中易形成 N空位 ,N空位是导致未故意掺杂的 Ga N单晶薄膜呈现 n型电导的主要原因 ;N空位本身对离子束沟道产额没有贡献 ,但它能弛豫 Ga N与 Al2 O3之间的晶格失配 ,改善生长的 Ga 展开更多
关键词 氮化镓 化学计量 结晶品质 光电性能
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ZnSe-ZnS应变超晶格的质量鉴别 被引量:1
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作者 江风益 潘传康 +1 位作者 范广涵 范希武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期22-27,共6页
本文报道一种鉴别ZnSe-ZnS应变超晶格质量的方法——低密度激发下的光致发光.文中讨论了ZnSe-ZnS应变超晶格的深中心发射是否受到抑制,与其结晶质量有着强烈的依赖关系.当阱宽、垒宽小于它们的临界厚度时,深中心发射能被大大抑制.这种鉴... 本文报道一种鉴别ZnSe-ZnS应变超晶格质量的方法——低密度激发下的光致发光.文中讨论了ZnSe-ZnS应变超晶格的深中心发射是否受到抑制,与其结晶质量有着强烈的依赖关系.当阱宽、垒宽小于它们的临界厚度时,深中心发射能被大大抑制.这种鉴别 ZnSe-ZnS超晶格质量的方法,比看激子峰半高宽可以更灵敏地了解超晶格的质量. 展开更多
关键词 ZnSe-ZnS 超晶格 质量 鉴别
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关于ZnSe—ZnS应变超晶格P型导电机理的探讨 被引量:1
9
作者 江风益 范希武 +1 位作者 杨爱华 范广涵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期295-299,共5页
本文利用变温Hall测量,证实了我们用MOCVD法生长的No.87—39A ZnSe-ZnS应变超品格(SLS)具有P型导电特性。文中试图从应变超晶格的临界厚度,电学参数、能带结构等方面解释ZnSe-ZnS SLS反型的原因。文中指出,这时的受主能级可能处于ZnS层... 本文利用变温Hall测量,证实了我们用MOCVD法生长的No.87—39A ZnSe-ZnS应变超品格(SLS)具有P型导电特性。文中试图从应变超晶格的临界厚度,电学参数、能带结构等方面解释ZnSe-ZnS SLS反型的原因。文中指出,这时的受主能级可能处于ZnS层靠近界面附近,这些受主能级的位置比ZnSc阱中满带顶能量低。 展开更多
关键词 ZNSE ZNS 应变超晶格 异电机理
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常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜
10
作者 江风益 范广涵 +1 位作者 宋士惠 范希武 《南昌大学学报(工科版)》 CAS 1990年第3期60-62,88,共4页
本文叙述了常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜的方法.通过x-ray衍射和光政发光的测量,表明已生长出高质量的ZnTe单晶膜.为生长ZnSxTel-x固溶体,获得从绿色到紫色的发光材料准备了条件.
关键词 金属有机化学汽相沉淀 ZnTe单晶膜 光致发光 X射线衍射
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ZnSe及ZnSe:N的光致发光
11
作者 江风益 范广涵 范希武 《南昌大学学报(工科版)》 CAS 1991年第3期13-18,共6页
本文报导了我们用常压MOCVD法生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性。在77K的光致发光光谱中,ZnSe的激子发射峰位于4450,其半高宽为12.6mev。在探索ZnSe反型的过程中,我们在生长过程中掺入氮杂质,获得了氮替代硒的浅受主,其离化能为91mev。
关键词 ZnSe单晶膜 掺氮 蓝色发光
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ZnSe-ZnS超晶格的量子尺寸效应
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作者 江风益 廖清华 +1 位作者 范广涵 范希武 《江西工业大学学报》 1992年第2期1-5,共5页
本文报导了我们用常压MOCVD生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。我们首次制备了阱宽低达10(?)的ZnSe-ZnS应变超晶格。
关键词 应变超晶格 MOCVD 量子尺寸效应 半导体
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硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制 被引量:9
13
作者 莫春兰 方文卿 +2 位作者 刘和初 周毛兴 江风益 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期58-61,共4页
利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED... 利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7~4.1V之间,电致发光波长在465~480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18~30mcd. 展开更多
关键词 INGAN 多量子阱 LED 材料生长 SI(111)衬底 低压金属有机化学气相沉积 硅衬底 研制 反向漏电流 晶格失配 SI衬底 外延材料 工作电压 发光波长 外延片 缓冲层 IED 热失配 AIN 管芯
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MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究 被引量:11
14
作者 李述体 王立 +4 位作者 辛勇 彭学新 熊传兵 姚冬敏 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期29-32,共4页
对实验室用 MOCVD方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光... 对实验室用 MOCVD方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨 ,认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光 ( e A发光 )。观察到降低 Ga N补偿度能提高 Ga N带边发射强度。 展开更多
关键词 MOCVD 光致发光 补偿度 氮化镓 单品膜
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生长温度对ZnO薄膜性能的影响 被引量:11
15
作者 苏宏波 戴江南 +4 位作者 蒲勇 王立 李方 文卿 江风益 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1221-1224,共4页
采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结果表明,随着生长温度的升高,ZnO薄膜的c轴晶格常数逐... 采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结果表明,随着生长温度的升高,ZnO薄膜的c轴晶格常数逐渐增大,a轴晶格常数逐渐变小,同时带隙相应逐渐增大. 展开更多
关键词 ZNO MOCVD X射线双晶衍射 光致发光 应变
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衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响 被引量:9
16
作者 熊传兵 方文卿 +4 位作者 蒲勇 戴江南 王立 莫春兰 江风益 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1628-1633,共6页
以 H2 O作氧源 ,Zn(C2 H5) 2 作 Zn源 ,N2 作载气 ,在 5 0 m m Al2 O3(0 0 0 1)衬底上采用常压 MOCVD技术生长出高质量的 Zn O单晶薄膜 .用 X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征 ,报道了 Zn O单晶膜的 (10 ... 以 H2 O作氧源 ,Zn(C2 H5) 2 作 Zn源 ,N2 作载气 ,在 5 0 m m Al2 O3(0 0 0 1)衬底上采用常压 MOCVD技术生长出高质量的 Zn O单晶薄膜 .用 X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征 ,报道了 Zn O单晶膜的 (10 2 )非对称衍射结果 .研究结果表明 ,在 5 0 0~ 70 0℃范围内随生长温度升高 ,Zn O薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽增宽 ,表面粗糙度减小 ,晶粒尺寸增大 ,在衬底温度为 6 0 0℃时生长的 Zn O膜的深能级发射最弱 . 展开更多
关键词 MOCVD ZNO X射线双晶衍射 原子力显微镜 光致发光
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Si衬底GaN基蓝光LED老化性能 被引量:13
17
作者 肖友鹏 莫春兰 +1 位作者 邱冲 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期364-368,共5页
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE... 报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE)比老化前低;老化前后EQE衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间。 展开更多
关键词 硅衬底 GAN 蓝光LED 老化 光衰
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N掺杂TiO_2光催化剂的制备及其可见光降解甲醛 被引量:32
18
作者 彭绍琴 江风益 李越湘 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1207-1209,共3页
采用水解沉淀法制备了纯的和N掺杂的TiO2纳米光催化剂,并用二次离子质谱、X射线衍射、紫外-可见漫反射光谱、比表面积、透射电镜等技术进行了表征。以GaN基兰色发光二极管为光源,研究了催化剂光催化降解甲醛的活性。实验表明,在最佳反... 采用水解沉淀法制备了纯的和N掺杂的TiO2纳米光催化剂,并用二次离子质谱、X射线衍射、紫外-可见漫反射光谱、比表面积、透射电镜等技术进行了表征。以GaN基兰色发光二极管为光源,研究了催化剂光催化降解甲醛的活性。实验表明,在最佳反应条件下,N掺杂的TiO2纳米光催化剂在可见光下对甲醛有良好的光催化活性。 展开更多
关键词 N掺杂 二氧化钛 光催化 甲醛降解
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退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响 被引量:10
19
作者 温战华 王立 +5 位作者 方文卿 蒲勇 罗小平 郑畅达 戴江南 江风益 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期498-501,共4页
采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710~860℃不同温度的退火处理.用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.ZnO(002)面X射线双晶ω扫... 采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710~860℃不同温度的退火处理.用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.ZnO(002)面X射线双晶ω扫描曲线的半高宽(FWHM)随退火温度的升高变小,770℃后基本保持不变,ZnO(102)面双晶。扫描曲线的FWHM一直变小.770℃退火后ZnO样品X射线ω-2θ扫描曲线中出现ZnO2(200)衍射峰.同时,光致发光测试表明,随着退火温度升高,带边发光强度减弱,与深能级有关的绿带发光出现并逐渐增强.通过ICP刻蚀,去除退火后样品的表面层,ω-2θ扫描曲线中ZnO2(200)衍射峰和PL谱中绿带发光均消失,表明ZnO2相和深能级缺陷在样品表面. 展开更多
关键词 金属有机物化学气相沉积 氧化锌 X射线双晶衍射 光致发光谱
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MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究 被引量:6
20
作者 李述体 王立 +4 位作者 彭学新 熊传兵 姚冬敏 辛勇 江风益 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期365-368,共4页
使用 MOCVD技术在 Al2 O3衬底上生长了 Ga N∶ Mg薄膜 .通过对退火后样品的光电性能综合分析 ,研究了掺 Mg量对生长 P型 Ga N的影响 .结果表明 :要获得高空穴载流子浓度的 P型 Ga N,Mg的掺杂量必须控制好 .掺 Mg量较小时 ,Ga N∶ Mg单... 使用 MOCVD技术在 Al2 O3衬底上生长了 Ga N∶ Mg薄膜 .通过对退火后样品的光电性能综合分析 ,研究了掺 Mg量对生长 P型 Ga N的影响 .结果表明 :要获得高空穴载流子浓度的 P型 Ga N,Mg的掺杂量必须控制好 .掺 Mg量较小时 ,Ga N∶ Mg单晶膜呈现 N型导电 ,得不到 P型层 ;掺 Mg量过大时 ,会形成与 Mg有关的深施主 ,由于深施主的补偿作用 ,得不到高空穴浓度的 P型 Ga N.生长 P型 Ga N的最佳 Cp2 Mg/TMGa之比在 1 /660— 1 展开更多
关键词 MOCVD 氮化镓 掺杂 薄膜
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