光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究 被引量：1

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作者 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第2期46-48,共3页

文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。

关键词 气相淀积 氮化硅 薄膜

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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质

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作者 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第3期45-48,共4页

采用红外吸收光谱(IR)、俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析.

关键词 硅膜 氮化硅薄膜 工艺 气相 光化学 X射线光电子能谱(XPS) AES 淀积 二次离子质谱 SIMS

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SiH_4－O_2体系LPCVD　SiO_2薄膜的工艺及其应用

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作者 汪师俊 何莲萍 李积和 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第5期1-4,共4页

本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。

关键词 二氧化硅薄膜 工艺 LPCVD 半导体器件

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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性

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作者 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第9期1-3,共3页

采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.

关键词 光化学 气相淀积 可靠性 氮化硅

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用多晶硅吸杂和SiO_2背封工艺提高硅片质量 被引量：5

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作者 沈天慧 李积和 +2 位作者 何莲萍 陈青松 汪师俊 《微电子学与计算机》 EI CSCD 北大核心 1997年第2期17-19,共3页

我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业化。多晶硅每炉可生长约100mm（4英寸）硅片150～300片，SiO^2每炉生长100片。由于硅片质量好，工艺... 我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业化。多晶硅每炉可生长约100mm（4英寸）硅片150～300片，SiO^2每炉生长100片。由于硅片质量好，工艺稳定，硅片已远销国外。 展开更多

关键词 吸杂 二氧化硅 硅片 多晶硅 MOS电路

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化学汽相淀积技术（二十一）

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作者 沈天慧 汪师俊 《半导体杂志》 1990年第1期48-53,共6页

关键词 化学汽相淀积 半导体工艺 等离子体

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化学气相淀积在大规模集成电路中的应用

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作者 汪师俊 《微处理机》 1985年第1期44-49,共6页

集成电路的制作工艺主要是薄膜工艺,是以半导体材料为衬底,在其上淀极多层不同的薄膜。用来作隔离介质膜、电容介质膜、掩蔽杂质扩散的阻挡膜、多层布线的绝缘膜、表面保护膜、互连线的导电膜等。形成薄膜的方式也是多种多样的。有化学... 集成电路的制作工艺主要是薄膜工艺,是以半导体材料为衬底,在其上淀极多层不同的薄膜。用来作隔离介质膜、电容介质膜、掩蔽杂质扩散的阻挡膜、多层布线的绝缘膜、表面保护膜、互连线的导电膜等。形成薄膜的方式也是多种多样的。有化学气相淀积成膜、蒸发成膜、溅射成膜等。由于化学气相淀积工艺的不断改进,反应温度不断降低。 展开更多

关键词 CVD 大规模集成电路 多晶硅膜 化学气相淀积 反应温度 淀积条件 化学反应 薄膜生长 晶体生长 无定形 硅烷 有机硅化合物

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化学汽相淀积技术（二十）

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作者 沈天慧 汪师俊 《半导体杂志》 1989年第3期48-53,共6页

关键词 化学汽相淀积 半导体 薄膜 氧化硅

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金属有机源化学气相淀积MOCVD

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作者 沈天慧 汪师俊 《半导体杂志》 1992年第4期36-40,共5页

关键词 化学气相淀积 金属有机源 MOCVD

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化学汽相淀积技术（十九）

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作者 沈天慧 汪师俊 《半导体杂志》 1989年第2期47-54,共8页

关键词 化学汽相淀积 PECVD 氮化硅

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化学汽相淀积技术（十八）

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作者 沈天慧 汪师俊 《半导体杂志》 1989年第1期51-54,共4页

关键词 汽相淀积 氮化硅 扩散

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化学汽相淀积技术（22）

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作者 沈天慧 汪师俊 《半导体杂志》 1992年第3期38-48,共11页

关键词 化学汽相淀积 光化学

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