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基于SiGe工艺多抽头电感结构的紧凑型Wilkinson功分器
1
作者 张斌 秦战明 +3 位作者 孙文俊 蒋颖丹 汪柏康 张礼怿 《现代电子技术》 北大核心 2024年第10期13-17,共5页
为了解决传统Wilkinson功分器损耗高、尺寸大的问题,从功分器的理论分析出发,将传统的微带线结构和LC集总式结构进行改进,在隔离电阻处引入频率补偿电容,设计一种新型的多抽头电感结构的紧凑型宽带二等分功分器。所设计的功分器基于0.18... 为了解决传统Wilkinson功分器损耗高、尺寸大的问题,从功分器的理论分析出发,将传统的微带线结构和LC集总式结构进行改进,在隔离电阻处引入频率补偿电容,设计一种新型的多抽头电感结构的紧凑型宽带二等分功分器。所设计的功分器基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺。射频/微波电磁仿真显示,在8~16 GHz的频带范围内,功分器的分配损耗小于0.8 dB,隔离度大于20 dB,端口回波损耗大于15 dB,核心电路版图面积仅为0.30 mm×0.25 mm,可满足宽带功分器低损耗、小型化、高隔离度的设计要求。 展开更多
关键词 WILKINSON功分器 多抽头电感 SIGE工艺 二等分结构 补偿电容 低损耗 小型化
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一款基于GaAs工艺的改进型Wilkinson功率分配器芯片
2
作者 张斌 汪柏康 +3 位作者 张沁枫 孙文俊 秦战明 权帅超 《现代电子技术》 北大核心 2024年第4期11-16,共6页
对传统Wilkinson功率分配器的设计方式进行改进,使用蛇形环绕式结构取代传统的微带线结构,并在功分器隔离电阻处引入了频率补偿电容,基于砷化镓(GaAs)工艺,借助ADS软件设计并制作了一款新型结构的小型化超宽带一分二Wilkinson功率分配... 对传统Wilkinson功率分配器的设计方式进行改进,使用蛇形环绕式结构取代传统的微带线结构,并在功分器隔离电阻处引入了频率补偿电容,基于砷化镓(GaAs)工艺,借助ADS软件设计并制作了一款新型结构的小型化超宽带一分二Wilkinson功率分配器芯片。芯片实物测试结果表明,在通带4~20 GHz内,插入损耗典型值为0.65 dB,端口回波损耗典型值为20 dB,端口隔离度典型值达到25 dB,芯片尺寸仅为1.0 mm×0.9 mm×0.1 mm。该功率分配器的实测结果与仿真结果相吻合,电特性优良,具有较高的实用价值。 展开更多
关键词 砷化镓 Wilkinson功率分配器 频率补偿电容 ADS软件 小型化 超宽带
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一款基于GaAs工艺的超宽带混频多功能芯片
3
作者 张斌 汪柏康 +2 位作者 张沁枫 孙文俊 秦战明 《电子设计工程》 2024年第16期49-53,共5页
针对无源混频器需要高本振功率驱动的问题,采用砷化镓(GaAs)0.25μm PHEMT工艺,设计了一款集成双平衡无源混频器和本振驱动放大器的超宽带混频多功能芯片。混频器由肖特基二极管堆和两个结构新颖的平面螺旋间隔互绕式补偿型marchand巴... 针对无源混频器需要高本振功率驱动的问题,采用砷化镓(GaAs)0.25μm PHEMT工艺,设计了一款集成双平衡无源混频器和本振驱动放大器的超宽带混频多功能芯片。混频器由肖特基二极管堆和两个结构新颖的平面螺旋间隔互绕式补偿型marchand巴伦构成,本振驱动放大器采用单电源两级自偏式负反馈共源结构。多功能芯片射频(RF)带宽为8~20 GHz,本振(LO)带宽为8~20 GHz,中频(IF)带宽为0.01~5 GHz。在本振驱动功率为-3 dBm时,芯片变频损耗典型值为8.0 dB,本振/射频隔离度典型值为25 dB,本振/中频隔离度典型值为45 dB,射频/中频隔离度典型值为45 dB,输入为1 dB功率压缩点典型值为12 dBm,驱动放大器功耗为+5 V/50 mA,芯片尺寸仅为2.2 mm×1.15 mm×0.1 mm。该混频多功能芯片的实测结果与仿真结果对比吻合,电特性优良,具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 混频器 驱动放大器 砷化镓 超宽带 巴伦
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低功耗宽带低噪声放大器的设计 被引量：3
4
作者 张斌 汪柏康 +2 位作者 张沁枫 孙文俊 秦战明 《电声技术》 2023年第1期117-120,共4页
分析低噪声放大器的设计原理,采用两级电流复用负反馈结构,基于砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)工艺,利用先进设计系统(Advanced Design System,ADS)软件仿真设计了一款低功耗宽带低噪声放大器芯片,该芯片尺寸仅为1.5 mm×0.9 mm... 分析低噪声放大器的设计原理,采用两级电流复用负反馈结构,基于砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)工艺,利用先进设计系统(Advanced Design System,ADS)软件仿真设计了一款低功耗宽带低噪声放大器芯片,该芯片尺寸仅为1.5 mm×0.9 mm×0.1 mm。通过对芯片性能进行测试,在频带6~12 GHz内,其增益约为23 dB,噪声系数≤1.1 dB,端口回波损耗≥12 dB,输出功率1 dB压缩点P^(-1)≥10 dBm,+5 V电源端口工作电流为17 mA。 展开更多
关键词 低噪声放大器 宽带 砷化镓(GaAs) 先进设计系统(ADS) 低功耗
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基于CMOS工艺的太赫兹振荡器 被引量：1
5
作者 汪柏康 徐雷钧 白雪 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2020年第3期364-368,共5页
在太赫兹频段,无源器件电容电感的品质因数低、电路的寄生参数以及MOS管的截止频率影响使太赫兹振荡器电路难以实现高功率输出。提出一种300 GHz可调谐振荡器,首先,采用改进的交叉耦合双推(Push-Push)振荡器结构,通过输出功率叠加的方... 在太赫兹频段,无源器件电容电感的品质因数低、电路的寄生参数以及MOS管的截止频率影响使太赫兹振荡器电路难以实现高功率输出。提出一种300 GHz可调谐振荡器,首先,采用改进的交叉耦合双推(Push-Push)振荡器结构,通过输出功率叠加的方法输出二次谐波300 GHz信号,增加了振荡器的输出功率并突破了MOS管截止频率,并通过增加栅极互连电感增加输出功率。其次,太赫兹振荡器摒弃传统片上可变电容调谐的方式,通过调节MOS管衬底电压改变MOS管的栅极寄生电容实现频率调谐,避免太赫兹频段引入低Q值电容,进一步增加了输出功率。提出的太赫兹振荡器采用台积电40 nm CMOS工艺,基波工作频率为154.5 GHz,输出二次谐波为309.0 GHz,输出功率可达-3.0 dBm,相位噪声为-79.5 dBc/Hz@1 MHz,功耗为28.6 mW,频率调谐范围为303.5~315.4 GHz。 展开更多
关键词 Push-Push振荡器 CMOS工艺 太赫兹源 高输出功率
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