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题名基于金刚石/钼铜载体的高功率密度芯片散热方案
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作者
温连健
刘超
董强
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第11期1043-1048,共6页
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文摘
为满足高功率射频微系统的散热需求,提出了一种纳米银胶粘结高导热金刚石载体的高功率密度芯片的散热方案。通过实验对比研究了4种方案(纳米银胶粘结芯片和金刚石载体、金锡焊料烧结芯片和金刚石载体、纳米银胶粘结芯片和钼铜载体及金锡焊料烧结芯片和钼铜载体)芯片的结温和热阻。依据实验方案建立高精度温度场散热仿真模型,探究了载体厚度及载体面积对芯片结温的影响。结果表明,采用纳米银胶粘结芯片和金刚石载体的方案时,热阻明显小于其他封装形式,散热效果最好。增大金刚石载体面积和厚度可以增强散热效果,金刚石载体厚度为0.3~0.4 mm、载体面积为芯片面积的3倍时,实用性和散热效果最佳。减薄钼铜载体对散热有利,钼铜载体面积对散热影响不大。
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关键词
金刚石
纳米银胶
散热
GaN功率放大器
芯片结温
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Keywords
diamond
nano-silver adhesive
heat dissipation
GaN power amplifier
chip junction temperature
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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题名高集成多路低相噪点频源设计
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作者
董强
温连健
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机构
中电
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出处
《电子制作》
2024年第17期50-53,共4页
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文摘
针对目前电子设备对多路低相噪点频源的小型化需求,通过对几种方案进行对比分析选定最佳方案。对输出功率、相位噪声、杂散抑制、谐波抑制、相位一致性等关键指标的实现方式进行阐述,利用仿真软件对关键电路局部仿真。最终通过实物测试,验证了方案的可行性。
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关键词
相位噪声
杂散
相位一致性
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分类号
TN602
[电子电信—电路与系统]
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题名GaN异质外延中的侧向生长技术
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作者
温连健
尚宗峰
吴慈刚
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国石油化工集团公司中原油田
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期536-541,553,共7页
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文摘
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用。但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间巨大的晶格失配和热失配是导致GaN外延层中位错密度较高的主要原因。侧向生长(ELOG)技术是GaN异质外延中降低位错密度的一种有效方法,总结了该项技术的特点,并对单步ELOG技术、双步ELOG技术、悬空ELOG技术以及无掩膜ELOG技术等多种技术趋势进行了总结。ELOG技术可以有效降低位错密度,但是仍需降低工艺复杂性和减少沾污。
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关键词
氮化物
异质外延
掩膜
位错
侧向生长(ELOG)技术
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Keywords
nitride
heteroepitaxy
mask
threading dislocation
epitaxial lateral overgrowth（ELOG） technology
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
TN304.22
[电子电信—物理电子学]
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