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题名集成稳压二极管的器件结构和工艺研究
被引量：2
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作者
潘光燃
王焜
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机构
深圳方正微电子
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出处
《电子与封装》
2013年第7期28-31,共4页
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文摘
在集成电路中,稳压二极管的器件结构和工艺方法有很多种,它们的器件特性、工艺特征、工艺控制方法各不相同。文章对各种集成稳压二极管的结构和工艺方法分别进行了分析和研究,包括稳压二极管的反向击穿点、稳定电压的离散性和热稳定性、工艺集成的便捷性、关键工艺控制点等。通过这些研究,总结了这些稳压二极管的器件结构及其工艺方法各自的利弊,为工程人员设计、研究和开发集成有稳压二极管的技术平台提供了一些参考方向。
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关键词
稳压二极管
稳定电压
反向击穿
工艺
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Keywords
zener diode
stable voltage
reverse breakdown
process
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分类号
TN313.3
[电子电信—物理电子学]
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题名一种n^+/p^+环接MOS电容的研制
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作者
崔金洪
郑玉宁
潘光燃
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机构
深圳方正微电子
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期53-57,共5页
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文摘
电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛。为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现象,并提高MOS电容值的稳定性,提出了一种新型MOS电容的制作方法和连接结构。新结构是将传统MOS电容的一个n+电极更改为p+电极,这样可以使器件的输入电势极性更改前后都为栅氧电容,但在极性更替间,由于有耗尽层存在,电容仍会变小。将两个新结构MOS电容环接,即将其中一个电容的多晶硅层与另一个电容的阱相连接,并用金属连线引出电极,测试结果表明,与传统MOS电容相比,新型MOS电容提升了零电压附近突变区域电容最低值,减小了器件电流波动幅度,有利于提高器件的可靠性。
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关键词
电容
金属-氧化物-半导体
耗尽区
突变区
波动幅度
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Keywords
capacitor
metal-oxide-semiconductor
depletion region
mutation region
fluctuation range
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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