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杂质分布的红外光谱椭偏分析方法
1
作者 孙艳玲 王于辉 邓建国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期233-237,共5页
在半导体工艺中,掺杂杂质类型、浓度及结深的改变都会引起不同频率的红外光谱,介绍了一种通过红外椭偏仪测量浅结杂质分布的方法。利用Drude方程将Si中不同掺杂与其引起的光学常量的变化对应起来,通过红外椭偏分量Ψ和Δ的测量及模型拟... 在半导体工艺中,掺杂杂质类型、浓度及结深的改变都会引起不同频率的红外光谱,介绍了一种通过红外椭偏仪测量浅结杂质分布的方法。利用Drude方程将Si中不同掺杂与其引起的光学常量的变化对应起来,通过红外椭偏分量Ψ和Δ的测量及模型拟合来测定半导体中载流子的浓度分布。并建立高斯渐变层模型,即将离子注入退火后的非均匀掺杂层分成n小层,各层载流子浓度之间符合高斯分布,且每一层载流子浓度可以用Drude方程来描述。测量采用了可变角度的红外光谱椭偏仪,该测量方法具有非接触性、非破坏性的优点,测量快捷方便。 展开更多
关键词 红外 椭偏仪 杂质分布 结深 高斯 Drude
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国军标器件3DG135的可靠性研究
2
作者 崔恩录 穆杰 +1 位作者 王于辉 秦仲波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期16-18,共3页
较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。
关键词 国军标 硅超高频晶体管 半导体器件 可靠性
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P波段硅脉冲功率管工程实用化研究
3
作者 王于辉 高颖 +2 位作者 崔恩录 秦仲波 郝金中 《半导体情报》 1999年第5期46-49,共4页
详尽介绍了３ＤＡ５０２ 型硅脉冲功率晶体管工程实用化的研究过程。围绕可靠性综合设计开展六项专题研究， 并辅以用红外热象法监测结温和射频加速寿命试验法， 保证器件的长期使用可靠性，
关键词 微波 功率晶体管 可靠性
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4H-SiC npn双极型晶体管的研制
4
作者 田爱华 潘宏菽 +2 位作者 赵彤 王于辉 陈昊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期359-362,共4页
采用国产的4H-SiC外延材料和自行开发的SiC双极晶体管的工艺技术,实现了4H-SiC npn双极晶体管特性。为避免二次外延或高温离子p+注入等操作,外延形成n+/p+/p/n-结构材料,然后根据版图设计进行相应的刻蚀,形成双台面结构。为保证p型基区... 采用国产的4H-SiC外延材料和自行开发的SiC双极晶体管的工艺技术,实现了4H-SiC npn双极晶体管特性。为避免二次外延或高温离子p+注入等操作,外延形成n+/p+/p/n-结构材料,然后根据版图设计进行相应的刻蚀,形成双台面结构。为保证p型基区能实现良好的欧姆接触,外延时在n+层和p层中间插入适当高掺杂的p+层外延,但也使双极晶体管发射效率降低,电流放大系数降低。为提高器件的击穿电压,在尽量实现低损伤刻蚀时,采用牺牲氧化等技术减少表面损伤及粗糙度,避免表面态及尖端电场集中,并利用SiC能形成稳定氧化层的优势来形成钝化保护。器件的集电结反向击穿电压达200 V,集电结在100 V下的反向截止漏电流小于0.05 mA,共发射极电流放大系数约为3。 展开更多
关键词 4H-SIC 双极晶体管 刻蚀 击穿电压 氧化
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准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
5
作者 张进书 钱伟 +9 位作者 陈培毅 钱佩信 罗台秦 王于辉 孙同乐 王庆海 高颖 梁春广 冯明宪 林其渊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期798-800,共3页
本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨ... 本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ． 展开更多
关键词 异质结 双极晶体管 锗化硅 HBT
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贯彻国军标器件的可靠性攻关 被引量：1
6
作者 崔恩录 穆杰 +1 位作者 王于辉 秦仲波 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年第2期31-34,共4页
1 引言3DG135型硅超高频晶体管是贯彻国家军用标准的高可靠半导体器件代表品种之一。开设本课题的目的是为国家重点工程建立提供高可靠性保证等级的半导体器件军品生产线。为达到目前我国半导体器件的最高质量标准—国家军用标准的要求... 1 引言3DG135型硅超高频晶体管是贯彻国家军用标准的高可靠半导体器件代表品种之一。开设本课题的目的是为国家重点工程建立提供高可靠性保证等级的半导体器件军品生产线。为达到目前我国半导体器件的最高质量标准—国家军用标准的要求,电子工业部军工基础局明确规定如下攻关指标:(1)建立全所军工产品质量保证体系并经验收合格。(2)开展低温下h_(FE)降低机理和技术研究,在-55℃下测量h_(FE)平均变化率小于35％。(3)开展反向漏电机理和技术研究,使I_(CBO)额定值从贯标前的1μA(V_(CB)=10v)降低至80nA。(4)进行恒定加速度,温循和高温反偏试验研究,满足国军标筛选和试验要求。(5)管壳密封性研究,满足国军标要求。(6)本产品可靠性等级达到特军级和超特军级水平。 展开更多
关键词 半导体器件 可靠性 国军标器件
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