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过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传输特性的实验 被引量：6
1
作者 王广甫 张荟星 张孝吉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期361-365,共5页
介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉积成膜系统，对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究．实验观察到，弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高，过滤管道的传输效率越高．但聚焦磁场高过一定阈值时，会出现起弧不稳现象，此阈... 介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉积成膜系统，对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究．实验观察到，弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高，过滤管道的传输效率越高．但聚焦磁场高过一定阈值时，会出现起弧不稳现象，此阈值的大小同过滤管道磁场及偏压的大小有关．过滤管道正偏压在40～60V范围内，管道磁场在7～11mT时传输效率较高，偏压越高达到最佳传输效率所需的过滤管道磁场越高． 展开更多
关键词 真空弧 等离子体沉积 磁过滤管道 传输特性 薄膜
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聚焦磁场对系统弧放电和传输效率的影响 被引量：7
2
作者 王广甫 张荟星 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期340-343,共4页
在 90°磁过滤管道和阴极之间加一 30～ 6 0V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用 .在此情况下对聚焦磁场对MEVVA源阳极 阴极以及磁过滤管道 阴极 2个回路弧放电和磁过滤管道传输效率的影响进行了实验研究 .研究表... 在 90°磁过滤管道和阴极之间加一 30～ 6 0V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用 .在此情况下对聚焦磁场对MEVVA源阳极 阴极以及磁过滤管道 阴极 2个回路弧放电和磁过滤管道传输效率的影响进行了实验研究 .研究表明 ,随聚焦磁场升高 ,MEVVA源阳极和阴极之间的弧放电规模减小 ,而磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模增大 ,并且系统的等离子体传输效率也随之升高 . 展开更多
关键词 弧放电 磁过滤管道 聚焦磁场 等离子体 传输效率
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FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析 被引量：2
3
作者 王广甫 刘玉龙 +1 位作者 田人和 张荟星 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期608-611,共4页
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80～ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 .
关键词 过滤阴极真空弧沉积 沉积能量 sp^3键所占比例 FCVAD 钽-碳薄膜
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质子非卢瑟福背散射测量气溶胶样品中氢、碳、氮和氧的含量 被引量：2
4
作者 王广甫 鲁永芳 朱光华 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期628-632,共5页
气溶胶样品中Z>12以上元素含量的质子荧光(PIXE)分析是北京师范大学GIC4117串列加速器的主要应用领域之一。为弥补PIXE无法分析H、C、N和O等轻元素之不足,在PIXE靶室160°散射角安装金硅面垒探测器,用质子非卢瑟福背散射分析(PN... 气溶胶样品中Z>12以上元素含量的质子荧光(PIXE)分析是北京师范大学GIC4117串列加速器的主要应用领域之一。为弥补PIXE无法分析H、C、N和O等轻元素之不足,在PIXE靶室160°散射角安装金硅面垒探测器,用质子非卢瑟福背散射分析(PNBS)方法对核孔膜采集的气溶胶样品中H、C、N和O等轻元素的含量进行测量。测量得到的气溶胶样品中H和Si元素含量与质子前角散射(PESA)和PIXE的分析结果相近,表明PNBS可用于核孔膜采集的气溶胶样品的分析。 展开更多
关键词 质子 非卢瑟福背散射 气溶胶 H C N和O含量
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FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析 被引量：3
5
作者 王广甫 张荟星 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期535-539,共5页
掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XP... 掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C—N的方式与C结合。N2分压越大,N/C原子比越高,最高可达31.1%。但同时sp3键含量越低,并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢。 展开更多
关键词 磁过滤阴极真空弧沉积 掺杂 固体薄膜材料 钽-碳薄膜 氮原子 X射线分析 RAMAN光谱分析
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GIC41172×1.7MV串列加速器高能注入靶室的改进 被引量：3
6
作者 王广甫 董平 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期628-631,共4页
通过更换丝杠和更新电机控制系统增大了靶盘纵向扫描范围 ,解决了扫描过程中纵向电机经常停转问题 ,并使靶室可装载 10 cm(4in)片子 ;通过隔离外界干扰电信号。
关键词 高能离子注入靶室 双机械扫描 注量控制 离子束分析 串列加速器 GIC4117
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陶瓷样品外束质子荧光定量分析中样品定位精度的研究 被引量：3
7
作者 王广甫 鲁永芳 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期432-437,共6页
通过改变与陶瓷有相似成份的GBW07306水系沉积物标准样品的前后位置和角度,研究了陶瓷样品外束质子荧光(External beam proton induced X-ray emission,外束PIXE)分析中样品位置对测量结果的影响。并以此为依据分析了陶瓷样品外束PIXE... 通过改变与陶瓷有相似成份的GBW07306水系沉积物标准样品的前后位置和角度,研究了陶瓷样品外束质子荧光(External beam proton induced X-ray emission,外束PIXE)分析中样品位置对测量结果的影响。并以此为依据分析了陶瓷样品外束PIXE定量分析对样品定位精度的要求。结果表明:在质子能量为2.5MeV、样品距离质子引出窗口12mm和质子束入射方向夹角为30°、Si(Li)探测器在80°且距离样品20mm的实验条件下,沿束流方向位置变化引起的相对误差控制在5%以内时,样品定位精确度应高于±0.14mm;样品与质子束夹角变化引起的相对误差控制在5%以内时,样品角度定位需精确到±1.2°。 展开更多
关键词 外束质子荧光分析 GBW07306水系沉积物标准参考样 位置 误差
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用于溅射负离子源的透射表面电离器的研制 被引量：2
8
作者 王广甫 王文勋 董平 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期499-502,共4页
介绍了１种应用于表面电离型溅射负离子源的球面形透射表面电离器，并阐述了原理。这种电离器可使铯蒸气直接通过，避免了铯蒸气绕射造成电离表面铯原子通量低的缺点，增大了铯离子的产额，也使离子源的流强较采用非透射型电离器时提高... 介绍了１种应用于表面电离型溅射负离子源的球面形透射表面电离器，并阐述了原理。这种电离器可使铯蒸气直接通过，避免了铯蒸气绕射造成电离表面铯原子通量低的缺点，增大了铯离子的产额，也使离子源的流强较采用非透射型电离器时提高了５０％—８７％。 展开更多
关键词 透射电离器 表面电离 串列加速器 负离子源
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SiGe／Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析 被引量：1
9
作者 王广甫 刘超 李建平 《中国材料科技与设备》 2006年第3期61-63,共3页
SiGe合金薄膜中的Ge含量度分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响。本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe／Si和SiGe-OI材料样品进行了分析。与TEM，SEM、Raman等分析结果进行比较表明，Li离子束RBS分析可同时测量S... SiGe合金薄膜中的Ge含量度分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响。本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe／Si和SiGe-OI材料样品进行了分析。与TEM，SEM、Raman等分析结果进行比较表明，Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层厚度，Ge含量度其深度分布，Si过渡层和SiO2层厚度，并有较好的测量精度。 展开更多
关键词 SIGE合金 RBS分析 SGOI
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阴极真空弧沉积中MEVVA源两种工作状态的比较
10
作者 王广甫 田人和 +2 位作者 吴瑜光 张孝吉 张荟星 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期366-369,共4页
介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对孤源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显．因此可以加较高的聚焦磁场，从而获得电流... 介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对孤源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显．因此可以加较高的聚焦磁场，从而获得电流较大和较稳定的沉积离子束． 展开更多
关键词 真空弧沉积 阳极接地 等离子体源 阴极 MEVVA源
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GIC4117串列加速器外束PIXE/PIGE分析系统
11
作者 王广甫 李旭芳 +3 位作者 初钧晗 于令达 安坤 吴冰冰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1290-1295,共6页
本文介绍在北京师范大学GIC4117串列加速器上建立的外束PIXE/PIGE分析系统,和基于此系统的薄样品外束PIXE/PIGE定量分析方法。给出了2010年Teflon滤膜采集的361个气溶胶样品外束PIXE分析得到的各元素平均探测限和最低探测限,并同真空PIX... 本文介绍在北京师范大学GIC4117串列加速器上建立的外束PIXE/PIGE分析系统,和基于此系统的薄样品外束PIXE/PIGE定量分析方法。给出了2010年Teflon滤膜采集的361个气溶胶样品外束PIXE分析得到的各元素平均探测限和最低探测限,并同真空PIXE分析探测限进行了比较。利用标准样品给出了激发曲线不同坪区薄样品外束PIGE分析F和Na的探测限,通过测定19 F(p,p′γ)19 F激发的197keVγ射线得到的F的探测限可达73.9ng·cm-2,Na的探测限可达198.9ng·cm-2。 展开更多
关键词 外束 PIXE PIGE 探测限
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PESA测量中单个标准样品刻度方法适用范围研究 被引量：1
12
作者 王广甫 鲁永芳 朱光华 《现代仪器》 2006年第1期19-21,共3页
用3．5μm厚Mylar膜作为标准样品，对1．4～2．5MeV范围不同能量下PESA测量刻度系数进行测量。结果在此能量范围内不同能量下平均刻度系数差别小于10％。用2．5MeV质子束，对单层，双层和三层3．5μn厚Mvlar分别进行PESA测量，它们平均... 用3．5μm厚Mylar膜作为标准样品，对1．4～2．5MeV范围不同能量下PESA测量刻度系数进行测量。结果在此能量范围内不同能量下平均刻度系数差别小于10％。用2．5MeV质子束，对单层，双层和三层3．5μn厚Mvlar分别进行PESA测量，它们平均刻度系数相差在3％以内。结果表明：对厚度小于9mg／cm^2气溶胶样品或2．5MeV质子穿透过程中能量损失小于1．1MeV其他样品，2．5MeVPESA测量是可以用单标准样品进行刻度。 展开更多
关键词 质子弹性散射分析(PESA) 标准样品 刻度 Mylar膜 氢含量
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GIC41172×1.7MV串列加速器的运行、改进和应用 被引量：6
13
作者 王广甫 《现代仪器》 2008年第1期53-55,共3页
介绍北京师范大学分析测试中心GIC 4117型2×1.7MV串列加速器近几年来的运行及应用情况。通过将实验过程中的数据采集和控制系统移到加速器大厅外新建的控制室,改善实验环境;建立外束引出装置,实现外束PIXE分析;利用多离子束分析方... 介绍北京师范大学分析测试中心GIC 4117型2×1.7MV串列加速器近几年来的运行及应用情况。通过将实验过程中的数据采集和控制系统移到加速器大厅外新建的控制室,改善实验环境;建立外束引出装置,实现外束PIXE分析;利用多离子束分析方法对气溶胶样品中的轻元素含量进行分析。 展开更多
关键词 串列加速器 PIXE MeV离子注入 RBS 外束
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过滤管道作为第二阳极的磁过滤阴极真空弧沉积系统
14
作者 王广甫 张荟星 张孝吉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期775-778,共4页
建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30～ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增... 建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30～ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增大 .对此放电回路及其和MEVVA阳极 展开更多
关键词 阴极真空弧 等离子体沉积 磁过滤管道 第二阳极
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北师大串列加速器在气溶胶离子束分析上的新进展
15
作者 王广甫 鲁永芳 朱光华 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1023-1027,共5页
气溶胶样品中Z>12元素含量的质子X射线荧光分析是北师大GIC4117串列加速器的主要应用领域之一。为弥补该方法不能分析H、C、N和O等轻元素之不足,我们通过在PIXE靶室40°和160°散射角安装金硅面垒探测器,用质子前角弹性散射... 气溶胶样品中Z>12元素含量的质子X射线荧光分析是北师大GIC4117串列加速器的主要应用领域之一。为弥补该方法不能分析H、C、N和O等轻元素之不足,我们通过在PIXE靶室40°和160°散射角安装金硅面垒探测器,用质子前角弹性散射分析和非卢瑟福背散射方法对核孔膜采集的气溶胶样品中H、C、N和O等轻元素的含量进行了测量。 展开更多
关键词 质子弹性散射分析 非卢瑟福背散射 气溶胶 轻元素含量
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气溶胶样品氢含量的质子弹性散射分析
16
作者 王广甫 鲁永芳 朱光华 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期219-222,共4页
利用单个标准样品比较法质子弹性散射分析（PESA）对一组采集在核孔膜上的气溶胶样品的氢含量进行定量分析。在质子束能量为2．5MeV、散射角为40°时，PESA测量10μm厚核孔膜上气溶胶中H含量的探测限为0．36μg／cm^2。几个样品H含... 利用单个标准样品比较法质子弹性散射分析（PESA）对一组采集在核孔膜上的气溶胶样品的氢含量进行定量分析。在质子束能量为2．5MeV、散射角为40°时，PESA测量10μm厚核孔膜上气溶胶中H含量的探测限为0．36μg／cm^2。几个样品H含量的测量结果在3．2～37．5μg／cm^2之间，显著高于探测限。质子能量在1．0～2．5MeV范围内，3．5／μm Mylar膜的束流归一化H峰面积随入射质子能量的变化在±3％以内。所以，不同厚度的气溶胶样品可采用同一个标准样品来进行PESA测量。 展开更多
关键词 质子弹性散射分析 气溶胶 H含量 探测限
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质子弹性散射分析方法测量mylar膜上气溶胶样品的氢含量
17
作者 王广甫 鲁永芳 朱光华 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期154-156,共3页
利用标准样品比较法质子弹性散射分析（PESA）对一组采集在mylar膜上的气溶胶样品氢含量进行了定量分析.在质子束能量2.5 MeV,散射角50°时,PESA测量5μm mylar膜上气溶胶中氢含量的探测限为0.26μg·cm^-2,几个样品氢含量的测... 利用标准样品比较法质子弹性散射分析（PESA）对一组采集在mylar膜上的气溶胶样品氢含量进行了定量分析.在质子束能量2.5 MeV,散射角50°时,PESA测量5μm mylar膜上气溶胶中氢含量的探测限为0.26μg·cm^-2,几个样品氢含量的测量结果在1.9～12.7μg·cm^-2之间,大大高于探测限. 展开更多
关键词 质子弹性散射分析(PESA) 气溶胶 氢含量
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PIXE分析技术及其应用 被引量：9
18
作者 王广甫 《现代仪器》 2000年第2期6-9,共4页
介绍了质子激发的特征X射线能谱分析(PIXE)技术及其在环境科学、生物医学和考古等领域的应用。
关键词 PIXE分析 质子荧光分析
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自制358型双等离子体离子源阴极 被引量：1
19
作者 王广甫 王文勋 《分析测试仪器通讯》 1995年第1期36-38,共3页
介绍了对2×1.7MV串列加速器上一台358型双等离子体离子源的阴极改进工作,自制镍基氧化物阴极,使此源引出的He^+束和H^-束较原铂网阴极分别提高了16％和34％。引出He^+束时,可工作于自持放电状态。此阴极连续工作寿命>40h。
关键词 双等离子体离子源 氧化物阴极 镍网 自持放电
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磁过滤真空弧沉积中过滤管道的第二阳极作用研究
20
作者 王广甫 张荟星 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第10期842-847,共6页
利用一台磁过滤真空弧沉积装置 ,初步研究了磁过滤管道对系统弧放电的影响。实验证明 ,磁过滤管道在阴极真空弧沉积中不仅起到消除大颗粒的作用 ,还作为阴极真空弧放电的第二阳极对弧放电产生影响。给出了磁过滤阴极真空弧放电的等效电... 利用一台磁过滤真空弧沉积装置 ,初步研究了磁过滤管道对系统弧放电的影响。实验证明 ,磁过滤管道在阴极真空弧沉积中不仅起到消除大颗粒的作用 ,还作为阴极真空弧放电的第二阳极对弧放电产生影响。给出了磁过滤阴极真空弧放电的等效电路 。 展开更多
关键词 磁过滤管道 阴极真空弧 第二阳极作用 等效电路 真空弧放电 等离子体 磁过滤真空弧沉积装置
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