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基于STM32F103的自主肌电控制功能性电刺激的研究与设计
1
作者 陈鑫政 李文渊 王志功 《电子器件》 CAS 北大核心 2023年第1期46-51,共6页
为解决不同患者对于功能性电刺激强度的适应能力和肢体角度的控制,设计了一款自主肌电控制功能性电刺激。该系统以STM32F103为开发平台,对肌电信号进行采集和刺激输出控制。硬件电路包含运算放大电路、全波整流电路、有源滤波电路和电... 为解决不同患者对于功能性电刺激强度的适应能力和肢体角度的控制,设计了一款自主肌电控制功能性电刺激。该系统以STM32F103为开发平台,对肌电信号进行采集和刺激输出控制。硬件电路包含运算放大电路、全波整流电路、有源滤波电路和电流镜电路等。软件实现通过STM32F103的直接寄存器访问技术、数模转换模块和模数转换模块进行肌电信号峰值探测和刺激信号输出强度控制。测试表明:该系统能够实现肌电峰值探测,并使用肌电信号峰值控制刺激信号动态输出。 展开更多
关键词 自主肌电控制 功能性电刺激 STM32F103 全波整流电路 肌电峰值
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“电路”与“电子线路”两门课程的贯通教学 被引量：10
2
作者 王志功 沈永朝 +1 位作者 赵鑫泰 徐建 《电气电子教学学报》 2014年第1期1-3,共3页
本文按照"电路"与"电子线路"两门课程涉及的7种基本元器件和相关电路的基本特征和内在联系将其贯通,并结合产业发展对原有教学体系进行改革。2008年以来,我们经过五轮教学实践,出版了教材,研制出了博物实验板。本... 本文按照"电路"与"电子线路"两门课程涉及的7种基本元器件和相关电路的基本特征和内在联系将其贯通,并结合产业发展对原有教学体系进行改革。2008年以来,我们经过五轮教学实践,出版了教材,研制出了博物实验板。本体系与传统教学体系相比,使学生对电路与电子线路的认知更为系统深刻。 展开更多
关键词 电路 电子线路 教学改革
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中枢神经信号微电子技术检测、处理与重建研究 被引量：3
3
作者 王志功 吕晓迎 顾晓松 《通讯和计算机（中英文版）》 2004年第1期77-81,52,共6页
介绍国内外利用微电子技术实现中枢神经信号检测、处理与再生的研究状况与进展。研究神经电信号检测的电极装置、中枢神经电信号处理和功能控制的专用集成电路、远端神经信号再生的刺激装置、生物体植入式芯片的供电方式、低功耗电路的... 介绍国内外利用微电子技术实现中枢神经信号检测、处理与再生的研究状况与进展。研究神经电信号检测的电极装置、中枢神经电信号处理和功能控制的专用集成电路、远端神经信号再生的刺激装置、生物体植入式芯片的供电方式、低功耗电路的设计技术一系列技术，电极装置、生物体植入式芯片和刺激装置的生物相容性和显微植入手术等一系列课题。 展开更多
关键词 中枢神经功能重建 生物体嵌入式集成电路 生物材料生物相容性 植入手术
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“电路与电子线路基础”课程教学博物实验板 被引量：2
4
作者 王志功 徐建 +2 位作者 马力 赵鑫泰 王巍巍 《电气电子教学学报》 2014年第6期96-99,110,共5页
本文介绍用于"电路与电子线路基础"课程教学的两套博物实验板。第一套与电路部分课程匹配,包含电池、电阻、电容、电感和变压器、传输线和滤波器;第二套与电子线路部分课程匹配,包含二极管、双极型晶体管、场效应晶体管、运... 本文介绍用于"电路与电子线路基础"课程教学的两套博物实验板。第一套与电路部分课程匹配,包含电池、电阻、电容、电感和变压器、传输线和滤波器;第二套与电子线路部分课程匹配,包含二极管、双极型晶体管、场效应晶体管、运算放大器、功率放大器和振荡器。这两套教学博物实验板与ADI公司的USB接口模拟测试模块相结合,可在课堂上实现电路功能原理的测试和验证,有效提高教学质量。 展开更多
关键词 电路 电子线路 教学改革 实验板
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国外集成电路设计人才培养和环境建设国家与地区计划简介 被引量：5
5
作者 王志功 王欢 《电气电子教学学报》 2000年第4期8-13,25,共7页
当前 ,国家正在采取积极措施 ,大力发展我国集成电路产业。高校 ,作为人才的摇篮 ,也在积极行动 ,努力建设和改善集成电路设计环境 ,加大人才培养力度。由于国家教育科研经费有限 ,如何找到一条适合我国国情的人才培养道路 ,避免重复和... 当前 ,国家正在采取积极措施 ,大力发展我国集成电路产业。高校 ,作为人才的摇篮 ,也在积极行动 ,努力建设和改善集成电路设计环境 ,加大人才培养力度。由于国家教育科研经费有限 ,如何找到一条适合我国国情的人才培养道路 ,避免重复和无序建设 ,避免时间和资金的浪费 ,达到最大程度的资源共享 ,是值得各高校共同探讨的问题。境外 2 0多个国家和地区过去 2 0年内在集成电路设计人才培养和芯片制造、测试的环境建设方面已经实施了多种计划 ,进行了长期实践 ,不少计划已经取得了成功的经验。本文在多方面调查研究的基础上 ,对这些计划、实践和成功的经验进行了整理 ,献给有关方面的领导、专家和同行 ,希望对我国集成电路设计人才培养。 展开更多
关键词 集成电路设计 国家与地区计划 人才培养 环境建设
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立足国内开发光纤用户网专用集成电路芯片 被引量：1
6
作者 王志功 梁帮立 +1 位作者 章丽 熊明珍 《中国集成电路》 2003年第47期26-31,共6页
本文介绍东南大学射频与光电集成电路研究所完全利用国内资源,开发拥有自主知识产权的光纤用户网专用集成电路芯片,产、学、研相结合的初步实践。
关键词 专用集成电路 光纤用户网 芯片 光纤通信
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天然气净化厂Cansolv尾气处理装置废水处理
7
作者 王军 瞿杨 +3 位作者 傅适 王志功 张伟 张晓云 《石油与天然气化工》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期130-136,共7页
目的解决Cansolv尾气处理装置胺液净化单元(APU)废水高盐、高有机物与还原性硫的高浓水质特征影响水处理系统的稳定运行问题。方法详细分析了两个天然气净化厂的文丘里和APU废水的水质特征,其中,APU废水成分复杂,是影响水处理系统稳定... 目的解决Cansolv尾气处理装置胺液净化单元(APU)废水高盐、高有机物与还原性硫的高浓水质特征影响水处理系统的稳定运行问题。方法详细分析了两个天然气净化厂的文丘里和APU废水的水质特征,其中,APU废水成分复杂,是影响水处理系统稳定运行的关键。采用臭氧(O_(3))、O_(3)耦合催化剂、臭氧/双氧水(O_(3)/H_(2)O_(2))3种氧化技术处理APU废水,通过废水中COD值和TOC值变化来评价有机物降解效果,研究了反渗透膜污堵原因和O_(3)/H_(2)O_(2)降解有机物机理。结果O_(3)/H_(2)O_(2)氧化技术为去除废水中有机物的最优方法,当200 mL废水中O_(3)质量浓度为22500 mg/L、H_(2)O_(2)投加量为2 mL、反应时间为60 min时,达到最佳处理效果,COD去除率为60.8%。结论采用O_(3)/H_(2)O_(2)协同氧化APU废水,能完全去除水中还原性硫,有效降低有机物含量,从而有效解决膜提浓装置污堵和蒸发结晶装置堵塞起泡问题。 展开更多
关键词 天然气净化厂 Cansolv 尾气处理 APU废水 O 3氧化 O 3耦合催化剂氧化 O 3/H_(2)O 2氧化
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授之于“艺” 授之于“技” 授之于“具” 教之创“芯”——《集成电路设计技术与工具》编著心得
8
作者 王志功 景为平 +1 位作者 孙玲 田良 《电气电子教学学报》 2007年第4期39-40,48,共3页
集成电路设计基础是电子科学和通信与信息等学科的重要专业基础课程,是培养我国急需的集成电路技术人才的入门课程。集成电路技术的迅猛发展对该课程及教材提出了更高的要求,本文从集成电路技术发展规律的角度,具体阐述了编写《集成电... 集成电路设计基础是电子科学和通信与信息等学科的重要专业基础课程,是培养我国急需的集成电路技术人才的入门课程。集成电路技术的迅猛发展对该课程及教材提出了更高的要求,本文从集成电路技术发展规律的角度,具体阐述了编写《集成电路设计技术与工具》的指导思想,论述了该教材的架构设计和内容组织,以便读者更好地阅读和理解。 展开更多
关键词 集成电路设计基础 教材架构 自底向上
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射频与超高速集成电路MPW计划
9
作者 王志功 谢婷婷 +7 位作者 冯军 陈志恒 王欢 王蓉 夏春晓 陈海涛 杨柯 潘弘瑶 《中国集成电路》 2002年第6期56-59,共4页
一、引言过去的40年是集成电路迅猛发展的40年,从国防到通信,从工业智能到信息家电,从多媒体到网络,其应用领域已无所不在。而中国作为集成电路的巨大市场,由于缺乏先进的工艺和一流的集成电路设计人才。
关键词 集成电路产业 超高速集成电路 设计人才 射频 工艺线 集成电路设计 芯片测试 深亚微米 东南大学 计划
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光纤通信与射频通信集成电路工艺技术
10
作者 王志功 李智群 +10 位作者 冯军 朱恩 陈志恒 宋其丰 孟桥 李文渊 黄颋 章丽 熊明珍 王欢 夏春晓 《中国集成电路》 2003年第51期13-20,共8页
一、引言在社会信息产业迅猛发展和高新技术不断出现的今天,通信系统与集成电路已经成为相互依赖、密不可分的整体。我国集成电路长期以来由于种种原因落后于国外,通信系统中的关键集成电路大多依赖进口,这不仅极大地威胁着我国信息网... 一、引言在社会信息产业迅猛发展和高新技术不断出现的今天,通信系统与集成电路已经成为相互依赖、密不可分的整体。我国集成电路长期以来由于种种原因落后于国外,通信系统中的关键集成电路大多依赖进口,这不仅极大地威胁着我国信息网络的安全, 展开更多
关键词 光纤通信 射频通信 集成电路 硅基工艺 化合物半导体工艺
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集成电路设计——联接软件与硬件之桥梁
11
作者 王志功 《科技与经济》 2002年第B06期43-46,67,共5页
集成电路的开发与生产作为微电子学发展的结晶而创造出巨大的物质财富。当前国际集成电路技术发展正进入产业化阶段。我国信息产业正在迅猛发展 ,但我国的集成电路工业发展仍然滞后。入世后 ,面临机遇和挑战 ,政府对集成电路设计与制造... 集成电路的开发与生产作为微电子学发展的结晶而创造出巨大的物质财富。当前国际集成电路技术发展正进入产业化阶段。我国信息产业正在迅猛发展 ,但我国的集成电路工业发展仍然滞后。入世后 ,面临机遇和挑战 ,政府对集成电路设计与制造产业给予了高度重视 ,制定了新的政策 ,对人才培养等方面采取了有力措施。近年来 ,该行业已开始呈现出高速发展的局面 。 展开更多
关键词 集成电路设计 人才培养 集成电路产业 发展趋势
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当前高等教育的形势和教学指导委员会的工作
12
作者 王志功 《电气电子教学学报》 2002年第5期11-13,共3页
本文是作者在电路、信号与系统、电磁场全国高校暑期教师讲习班以及教学和教材研讨会上所做的专题报告 ,论述了当前高等教育的形势与任务 ,并对教育部教学指导委员会、中国高等学校集成电路设计教育工作委员会的性质与职能做了详细的介绍。
关键词 高等教育 教学指导委员会 招生规模 教学质量 教师培训 教材建设 集成电路设计教育
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低杂散锁相环中的电荷泵设计 被引量：11
13
作者 薛红 李智群 +2 位作者 王志功 李伟 章丽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1988-1992,共5页
用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路，传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围，文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆... 用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路，传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围，文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆幅共源共栅电流镜电路实现了充放电电流的高度匹配,从而降低了杂散。测试结果表明：电源电压1.8V时,电荷泵电流为0.475mA,在0.3-1.6V输出电压范围内电流失配小于10mA,功耗为6.8mW。 展开更多
关键词 参考杂散 电流火配 电荷泵 运算放大器 自偏置电流镜
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0.18μm CMOS 10Gb/s光接收机限幅放大器 被引量：10
14
作者 金杰 冯军 +1 位作者 盛志伟 王志功 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1393-1395,共3页
利用TSMC 0 18μmCMOS工艺设计了应用于SDH系统STM 6 4 (10Gb/s)速率级光接收机中的限幅放大器 .该放大器采用了改进的Cherry Hooper结构以获得高的增益带宽积 ,从而保证限幅放大器在 10Gb/s以及更高的速率上工作 .测试结果表明 ,此限... 利用TSMC 0 18μmCMOS工艺设计了应用于SDH系统STM 6 4 (10Gb/s)速率级光接收机中的限幅放大器 .该放大器采用了改进的Cherry Hooper结构以获得高的增益带宽积 ,从而保证限幅放大器在 10Gb/s以及更高的速率上工作 .测试结果表明 ,此限幅放大器在 10Gb/s速率上 ,输入动态范围为 4 2dB(3 2mV～ 5 0 0mV) ,5 0Ω负载上的输出限幅在 2 5 0mV ,小信号输入时的最高工作速率为 12Gb/s.限幅放大器采用 1 8V电源供电 ,功耗 110mW .芯片的面积为0 7mm× 0 9mm . 展开更多
关键词 STM-64 光接收机 限幅放大器 Cherry-Hooper结构 0.18μm CMOS工艺
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甚短距离光传输技术 被引量：7
15
作者 王晓明 王志功 +3 位作者 黄頲 刘欢艳 乔卢峰 苗澎 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期257-260,共4页
介绍了甚短距离 (VSR)光传输技术及其发展趋势 ,对VSR光传输实现中的一些关键技术进行简要论述 .以 1 2信道并行垂直腔面激光器 (VCSEL)光发射及接收模块为例 ,讨论发射模块中 1 2通道并行VCSEL阵列驱动电路及接收模块中前置放大器和限... 介绍了甚短距离 (VSR)光传输技术及其发展趋势 ,对VSR光传输实现中的一些关键技术进行简要论述 .以 1 2信道并行垂直腔面激光器 (VCSEL)光发射及接收模块为例 ,讨论发射模块中 1 2通道并行VCSEL阵列驱动电路及接收模块中前置放大器和限幅放大器集成电路的实现 .测试结果表明 ,驱动电路每信道输出调制电流超过 30mA ,电路速度高达每通道 3 1 2 5Gbit/s.前置放大器和限幅放大器工作速度达 2 5Gbit/s. 展开更多
关键词 甚短距离 垂直腔面激光器 驱动器 前置放大器 限幅放大器
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0.25μm CMOS工艺实现的3.125 Gb/s×12通道VCSEL驱动器阵列 被引量：8
16
作者 黄颋 王志功 +2 位作者 李连鸣 王晓明 乔庐峰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期323-325,共3页
本文介绍了一种利用 0 2 5 μmCMOS工艺实现的 1 2通道垂直腔面发射激光器 (VCSEL)阵列驱动器电路 .该电路采用 3 3V单电源供电 ,单通道最大输出调制电流超过 30毫安 ,单通道工作速率达到 3 1 2 5Gb/s ,1 2个并行通道的总带宽为 37 5Gb/s.
关键词 甚短距离 垂直腔面发射激光器 CMOS 激光驱动器
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2.5 Gb/s CMOS光接收机跨阻前置放大器 被引量：14
17
作者 陶蕤 王志功 +1 位作者 董毅 谢世钟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期177-180,共4页
给出了一种利用 0 .35μmCMOS工艺实现的 2 .5Gb/s跨阻前置放大器。此跨阻放大器的增益为 59dB·Ω ,3dB带宽为 2GHz ,2GHz处的等效输入电流噪声为 0 8× 10 - 2 2 A2 /Hz。在标准的 5V电源电压下 ,功耗为 2 50mW。PCML单端输... 给出了一种利用 0 .35μmCMOS工艺实现的 2 .5Gb/s跨阻前置放大器。此跨阻放大器的增益为 59dB·Ω ,3dB带宽为 2GHz ,2GHz处的等效输入电流噪声为 0 8× 10 - 2 2 A2 /Hz。在标准的 5V电源电压下 ,功耗为 2 50mW。PCML单端输出信号电压摆幅为 2 0 0mVp - p。整个芯片面积为 1 0mm× 1.1mm。 展开更多
关键词 光接收机 前置放大器 跨阻放大器 CMOS工艺
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千兆以太网同步检测集成电路设计 被引量：8
18
作者 赵文虎 王志功 +1 位作者 吴微 李本靖 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期161-165,共5页
采用两级分接电路结构 ,并将同步码字检测电路置于其间 ,设计了千兆以太网同步检测集成电路 .实现 1 .2 5Gb s速率的千兆以太网数据由 1路到 1 0路的串并转换以及同步码字的检测 .分析了RC网络效应对超高速集成电路中互连线的影响 ,基于... 采用两级分接电路结构 ,并将同步码字检测电路置于其间 ,设计了千兆以太网同步检测集成电路 .实现 1 .2 5Gb s速率的千兆以太网数据由 1路到 1 0路的串并转换以及同步码字的检测 .分析了RC网络效应对超高速集成电路中互连线的影响 ,基于TSMC 0 .35 μmCMOS工艺建立电路模型 .使用Smartspice工具在不同温度 ( 0～ 70℃ )、电源电压 ( 3.1 5～ 3.45V)及输入信号等条件下进行仿真 .结合版图参数提取后仿真的比较 ,证明了该设计在减小规模 ,简化结构和加快仿真流程方面的有效性 . 展开更多
关键词 千兆以太网 码组检测 互连线 同步检测集成电路 设计
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基于逻辑设计的光纤通信8B/10B编解码方法研究 被引量：23
19
作者 赵文虎 王志功 +2 位作者 费瑞霞 朱恩 吴微 《电路与系统学报》 CSCD 2003年第2期48-53,共6页
本文研究了8B/10B编码中的内在相关性,并在此基础上提出一种基于逻辑设计的编、解码方法,以达到简化实现结构,用于大规模集成电路设计的目的。仿真结果证明本方法的逻辑运算量小、速度快、可靠性高。同时根据仿真需要,采用0.25μm CMOS... 本文研究了8B/10B编码中的内在相关性,并在此基础上提出一种基于逻辑设计的编、解码方法,以达到简化实现结构,用于大规模集成电路设计的目的。仿真结果证明本方法的逻辑运算量小、速度快、可靠性高。同时根据仿真需要,采用0.25μm CMOS工艺制作了编解码芯片中TSPC结构D触发器,其电路面积仅为200μm2。经测试,芯片的工作频率可从150MHz一直到2.37GHz。在50欧姆负载条件下,2.37GHz时钟的二分频信号的电压峰-峰值为1.58V,信号占空比为49%,相位抖动为4ps rms。该测试结果为采用本方法设计不同速率的超高速编解码芯片奠定了基础。 展开更多
关键词 8B/10B码 编码 解码 逻辑运算 集成电路
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2.9GHz0.35μm CMOS低噪声放大器 被引量：13
20
作者 陶蕤 王志功 +1 位作者 谢婷婷 陈海涛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1530-1532,共3页
随着特征尺寸的不断减小 ,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到 5 0GHz以上 ,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能 .越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路 ,本文给出了一个利用 0 3... 随着特征尺寸的不断减小 ,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到 5 0GHz以上 ,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能 .越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路 ,本文给出了一个利用 0 3 5 μmCMOS工艺实现的 2 9GHz单片低噪声放大器 .放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成 .在 3伏电源下 ,工作电流为 8mA ,功率增益大于 10dB ,输入反射小于 - 12dB . 展开更多
关键词 CMOS工艺 低噪声放大器 螺旋电感
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