区熔法生长大磁致伸缩晶体Tb_(0.3)Dy_(0.7)Fe_2

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作者 郭懋端 蒋耀亮 +2 位作者 杜三庆 王旭洪 祝向荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期313-313,共1页

区熔法生长大磁致伸缩晶体Ｔｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ２郭懋端蒋耀亮杜三庆王旭洪祝向荣（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）ＧｒｏｗｔｈｏｆＭａｇｎｅｔｏｓｔｉｃｔｉｖｅＣｒｙｓｔａｌＴｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ２ｂｙ... 区熔法生长大磁致伸缩晶体Ｔｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ２郭懋端蒋耀亮杜三庆王旭洪祝向荣（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）ＧｒｏｗｔｈｏｆＭａｇｎｅｔｏｓｔｉｃｔｉｖｅＣｒｙｓｔａｌＴｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ２ｂｙＺｏｎｅＭｅｌｔｉｎｇＴｅｃｈｎｉ... 展开更多

关键词 磁致伸缩材料 区熔法 磁性材料 稀土磁性材料

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电子封装中氮化硅/硅酮双层薄膜的水汽防护研究

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作者 黄卫东 王旭洪 +4 位作者 王莉 盛玫 徐立强 Frank Stubhan 罗乐 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期287-290,共4页

测量了在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器在无防护、氮化硅薄膜防护、硅酮涂层防护、硅酮涂层加氮化硅薄膜防护四种情况下及在不同温湿度环境下的水汽扩散曲线。应用有限元分析和FICK扩散方程模拟了实验曲线 ,得到了水汽... 测量了在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器在无防护、氮化硅薄膜防护、硅酮涂层防护、硅酮涂层加氮化硅薄膜防护四种情况下及在不同温湿度环境下的水汽扩散曲线。应用有限元分析和FICK扩散方程模拟了实验曲线 ,得到了水汽在各种防护条件下的扩散系数 ,进而计算出水汽扩散的激活能 ,定量比较了各种防护方法的效果。实验和模拟结果表明 展开更多

关键词 氮化硅 硅酮 FR4基板 湿度传感器 水汽扩散 有限元分析法 集成电路 封装工艺

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金鱼的繁殖及鱼苗的护理培育

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作者 张徐徐 叶彬 +3 位作者 吴国平 王旭洪 付剑雄 吕晓平 《渔业致富指南》 2021年第1期51-55,共5页

随着人民生活水平的提高,观赏鱼受到了越来越多人们的青睐,其养殖也愈加普及。金鱼作为世界上最早的人工养殖观赏鱼起源于中国,其祖先是野生鲫鱼,在经过了几千年的自然选择和人工干预后演变成现在五彩斑斓、形态各异的金鱼。金鱼的养殖... 随着人民生活水平的提高,观赏鱼受到了越来越多人们的青睐,其养殖也愈加普及。金鱼作为世界上最早的人工养殖观赏鱼起源于中国,其祖先是野生鲫鱼,在经过了几千年的自然选择和人工干预后演变成现在五彩斑斓、形态各异的金鱼。金鱼的养殖分布十分广泛,且种类繁多,不仅供应国内市场,同时也是我国观赏鱼出口的主要品种,所以金鱼一直以来同时具备了文化和经济价值。 展开更多

关键词 观赏鱼 人工养殖 五彩斑斓 人工干预 自然选择 野生鲫鱼 金鱼

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金鱼的饲养管理

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作者 张徐徐 叶彬 +3 位作者 吴国平 王旭洪 付剑雄 吕晓平 《渔业致富指南》 2021年第3期49-54,共6页

鱼苗培育时做好日常饲养管理非常重要,注意每日巡池,观察鱼的活动、摄食和生长情况,及时调整饵料的投喂量。注意及时稀释养殖密度,将同一规格的金鱼同池饲养,分养工作应在天气良好的早晨进行,不可在天气炎热烈日当头时进行。

关键词 日常饲养管理 鱼苗培育 投喂量 养殖密度 金鱼 及时调整

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纳米晶软磁膜的磁性和结构

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作者 郭懋端 王旭洪 《金属功能材料》 1995年第4期172-174,共3页

介绍新型纳米晶软磁膜Ｆｅ－Ｍ－Ｃ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ）的磁性能和组织结构，说明纳米晶形成和软磁性的关系。由于形成高熔点碳化物，如ＴａＣ、ＦｅＴａＣ等，在高温下仍有良好软磁性能，这对于实际应用是十分有意义的．

关键词 软磁膜 碳化物 软磁合金 纳米合金 薄膜

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PECVD法低温淀积SiC_x薄膜的防水汽扩散性能研究 被引量：3

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作者 姜利军 陈翔 +1 位作者 王旭洪 徐立强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第B05期74-76,共3页

外界水汽和离子的扩散对集成电路和传感器等器件的性能及使用寿命有很大影响 ,利用无机钝化材料阻挡水汽和离子的扩散是常用的提高器件寿命和稳定性的方法。本文采用PECVD方法在较低的衬底温度条件下淀积碳化硅薄膜 ,利用各种方法研究... 外界水汽和离子的扩散对集成电路和传感器等器件的性能及使用寿命有很大影响 ,利用无机钝化材料阻挡水汽和离子的扩散是常用的提高器件寿命和稳定性的方法。本文采用PECVD方法在较低的衬底温度条件下淀积碳化硅薄膜 ,利用各种方法研究了碳化硅薄膜的防潮性能。实验证明 ,碳化硅薄膜是一种良好的水汽扩散阻挡材料 ,其防潮能力达到甚至超过了集成电路生产中常用的氮化硅薄膜。并且 ,低温碳化硅薄膜具有非常好的化学稳定性和抗刻蚀能力 ,在各种微加工工艺中有广泛的应用前景。 展开更多

关键词 碳化硅薄膜 PECVD 防水汽扩散性能

全文增补中

等离子体增强化学气相低温沉积碳化硅薄膜及其性质研究 被引量：1

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作者 姜利军 陈翔 +1 位作者 王旭洪 徐立强 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1999年第1期33-38,共6页

用等离子体增强化学气、相沉积（PECVD）方法，以CH4和SiH4为反应气体，在低电极温度（180℃）条件下制备了碳化硅薄膜．实验结果表明，低电极温度条件下沉积参数（反应气体流量比、反应气体压力、射频功率）的变化对薄膜的沉积和性质... 用等离子体增强化学气、相沉积（PECVD）方法，以CH4和SiH4为反应气体，在低电极温度（180℃）条件下制备了碳化硅薄膜．实验结果表明，低电极温度条件下沉积参数（反应气体流量比、反应气体压力、射频功率）的变化对薄膜的沉积和性质影响较大．制得的薄膜均匀性良好，其化学组成Si／C在0．72-4．0之间，具有（5-9）×109dyn／cm2的压应力．红外光谱结果证明，随着薄膜化学成分的变化，薄膜的结构也改变。同氮化硅薄膜相比，制得的碳化硅薄膜具有良好的抗溶液腐蚀性． 展开更多

关键词 碳化硅 薄膜 性质 PECVD 集成电路 塑料封装

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正交实验方法研究PECVD碳化硅薄膜的防水汽扩散性质

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作者 姜利军 陈翔 +3 位作者 王旭洪 赵润涛 盛玫 徐立强 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1999年第4期319-322,共4页

利用正交实验设计，研究了碳化硅薄膜的防水汽扩散性质。通过测试水汽在碳化硅薄膜中的扩散速率，初步确定了四种沉积参数影响碳化硅薄膜防水汽扩散能力的规律。实验发现，射频频率的变化对碳化硅薄膜的防水汽扩散能力影响最大，气体流... 利用正交实验设计，研究了碳化硅薄膜的防水汽扩散性质。通过测试水汽在碳化硅薄膜中的扩散速率，初步确定了四种沉积参数影响碳化硅薄膜防水汽扩散能力的规律。实验发现，射频频率的变化对碳化硅薄膜的防水汽扩散能力影响最大，气体流量比次之，而功率和气体压力的变化影响较小。 展开更多

关键词 碳化硅薄膜 防水汽扩散性质 PECVD 电子器件

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TQFP器件的分层开裂和PECVD SiNx薄膜对TQFP器件防水性能的影响

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作者 赵润涛 王旭洪 +1 位作者 陈翔 徐立强 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第1期90-94,共5页

研究了薄型扁平四面封装 (TQFP)器件在再流焊工艺中的分层开裂过程和 PECVD SiNx薄 膜对器件防水性能的影响。实验发现，水汽含量是引起器件分层开裂的主要原因；银浆与塑封料， 芯片衬垫与塑封料之间的结合面是 TQFP器件的薄弱环节 ,... 研究了薄型扁平四面封装 (TQFP)器件在再流焊工艺中的分层开裂过程和 PECVD SiNx薄 膜对器件防水性能的影响。实验发现，水汽含量是引起器件分层开裂的主要原因；银浆与塑封料， 芯片衬垫与塑封料之间的结合面是 TQFP器件的薄弱环节 ,分层现象是由这些部位产生和扩展的。 PECVD SiNx薄膜能有效降低进入 TQFP器件中的水汽含量，在一定程度上消除开裂和分层现象， 并且薄膜越厚，防水效果越好，消除开裂和分层现象的作用也越明显。 展开更多

关键词 分层 氮化硅薄膜 TQFP器件 防水性能 PECVD 集成电路

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超负磁致伸缩晶体Sm－Fe、Sm－Dy－Fe和Sm－Dy－Fe－Al的研究 被引量：2

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作者 范红梅 郭懋端 +3 位作者 王旭洪 杜三庆 蒋耀亮 陈宝鑫 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1995年第1X期21-26,共6页

本文研究了轻稀土负磁致伸缩ＳｍＦｅ＿ｘ（１．４０＜ｘ＜１．９４），Ｓｍ＿ｘＤｙ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｙ（０．８４＜ｘ＜０．９２．１．８０＜ｙ＜１．９０），Ｓｍ＿（０．９０）Ｄｙ＿（０．１０）（Ｆｅ＿（０．９５）Ａｌ＿（０... 本文研究了轻稀土负磁致伸缩ＳｍＦｅ＿ｘ（１．４０＜ｘ＜１．９４），Ｓｍ＿ｘＤｙ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｙ（０．８４＜ｘ＜０．９２．１．８０＜ｙ＜１．９０），Ｓｍ＿（０．９０）Ｄｙ＿（０．１０）（Ｆｅ＿（０．９５）Ａｌ＿（０．０５））＿（１．８０）晶体的制备、热处理及磁学性能，发现ＳｍＦｅ＿ｘ合金的λ－ｘ曲线存在两个峰值，峰值的ｘ点随热处理发生的变化有一定的规律性，还比较了热处理前后，Ｓｍ－Ｆｅ、Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ和Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ａｌ的相组成对性能的影响。热处理用于改善磁致伸缩性能，并且制得了高磁致伸缩性能的ＳｍＦｅ＿２和（Ｓｍ，Ｄｙ）Ｆｅ＿２合金。 展开更多

关键词 钐铁合金 负磁致伸缩 热处理 轻稀土合金

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有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装 被引量：9

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作者 黄卫东 王旭洪 +7 位作者 盛玫 徐立强 Frank Stubhan 罗乐 冯涛 王曦 张富民 邹世昌 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第2期179-184,共6页

利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20～180℃的基板温度范围和10～30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和S... 利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20～180℃的基板温度范围和10～30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和Si/N比相应增加,而沉积速率和H含量相应减少;随着射频功率的增加,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si/N比相应增加,而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件(OLED)的封装。 展开更多

关键词 有机发光器件 氮化硅薄膜 等离子体化学气相沉积 封装 防水性能 OLED

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交替频率PECVD方法沉积低应力氮化硅薄膜及其性质研究 被引量：9

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作者 姜利军 赵润涛 +3 位作者 陈翔 王旭洪 盛玫 徐立强 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1999年第2期121-126,共6页

用ＰＥＣＶＤ方法制备氮化硅薄膜，研究了射频频率对氮化硅薄膜的沉积和性质的影响。结果表明，在低频下（１００ＫＨｚ）制备的氮化硅薄膜密度较大，具有８ｘ１０９Ｐａ左右的压应力和较小的刻蚀速率；而高频（１３．５６ＭＨｚ）沉积... 用ＰＥＣＶＤ方法制备氮化硅薄膜，研究了射频频率对氮化硅薄膜的沉积和性质的影响。结果表明，在低频下（１００ＫＨｚ）制备的氮化硅薄膜密度较大，具有８ｘ１０９Ｐａ左右的压应力和较小的刻蚀速率；而高频（１３．５６ＭＨｚ）沉积的氮化硅薄膜密度较小，具体约２ｘ１０９Ｐａ的张应力，刻蚀速率较大。红外光谱表明，薄膜性质同薄膜中的氢原子成键情况有关。实验中利用高、低频交替沉积的方法，成功地制备了低应力（１０７Ｐａ）氮化硅薄膜。当加热到５００Ｃ时，应力较大的氮化硅薄膜会发生开裂（张应力）或拱起（压应力）。低应力的氮化硅薄膜能够承受７００Ｃ的温度，温度更高时，薄膜的完整性因氢溢出而破坏。 展开更多

关键词 氮化硅薄膜 应力 射频频率 PECVD 集成电路

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