ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）研究表明，过饱和度σ处于0．005～0．04，生长温度介于293～313K之间时，晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘，晶面主要为台阶推进方式生长...ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）研究表明，过饱和度σ处于0．005～0．04，生长温度介于293～313K之间时，晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘，晶面主要为台阶推进方式生长；位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符；随过饱和度口降低，台阶形貌会发生相应变化；生长温度为298K时，台阶棱边能不小于6．2×10^-7／cm^2。展开更多
ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）成像表明，过饱和度σ=0．053时，晶面上出现二维成核生长；随σ增加至0．11，二维岛数量急剧增加，尺寸减小，分布渐趋均匀，二维成核生长逐渐增强，界面呈现出...ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）成像表明，过饱和度σ=0．053时，晶面上出现二维成核生长；随σ增加至0．11，二维岛数量急剧增加，尺寸减小，分布渐趋均匀，二维成核生长逐渐增强，界面呈现出由光滑向粗糙转变的特征；各二维岛形状趋近于长条形，表现出各向异性，长轴平行于[001]晶向；二维岛上有单分子高度的台阶和台阶聚并后高度为2～3nm的大台阶；二维岛间融合时取向相同；σ=0．053时，融合后所形成的较大二维岛的生长呈现出周边快中心慢的情况，将可能导致产生晶体缺陷。展开更多
运用原子力显微术AFM(atomic force microscopy,AFM)观察了ADP晶体生长时相界面上动态微观形貌的变化并测算了台阶传播速率.实验结果表明,在相变驱动力介于0.005～0.05kT/ωs,生长温度介于20～40℃之间时,相变界面表现出台阶面的基本特...运用原子力显微术AFM(atomic force microscopy,AFM)观察了ADP晶体生长时相界面上动态微观形貌的变化并测算了台阶传播速率.实验结果表明,在相变驱动力介于0.005～0.05kT/ωs,生长温度介于20～40℃之间时,相变界面表现出台阶面的基本特征;相变界面上台阶推移的动力学系数体现出溶质输运趋向于体扩散控制;微晶融合的过程说明ADP晶体生长中,微晶融入与大分子晶体的同类过程有所不同,不会形成晶体缺陷.展开更多
文摘ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）研究表明，过饱和度σ处于0．005～0．04，生长温度介于293～313K之间时，晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘，晶面主要为台阶推进方式生长；位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符；随过饱和度口降低，台阶形貌会发生相应变化；生长温度为298K时，台阶棱边能不小于6．2×10^-7／cm^2。
文摘ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）成像表明，过饱和度σ=0．053时，晶面上出现二维成核生长；随σ增加至0．11，二维岛数量急剧增加，尺寸减小，分布渐趋均匀，二维成核生长逐渐增强，界面呈现出由光滑向粗糙转变的特征；各二维岛形状趋近于长条形，表现出各向异性，长轴平行于[001]晶向；二维岛上有单分子高度的台阶和台阶聚并后高度为2～3nm的大台阶；二维岛间融合时取向相同；σ=0．053时，融合后所形成的较大二维岛的生长呈现出周边快中心慢的情况，将可能导致产生晶体缺陷。
文摘运用原子力显微术AFM(atomic force microscopy,AFM)观察了ADP晶体生长时相界面上动态微观形貌的变化并测算了台阶传播速率.实验结果表明,在相变驱动力介于0.005～0.05kT/ωs,生长温度介于20～40℃之间时,相变界面表现出台阶面的基本特征;相变界面上台阶推移的动力学系数体现出溶质输运趋向于体扩散控制;微晶融合的过程说明ADP晶体生长中,微晶融入与大分子晶体的同类过程有所不同,不会形成晶体缺陷.
