用于圆片级封装的金凸点研制 被引量：5

1

作者 王水弟 蔡坚 +3 位作者 谭智敏 胡涛 郭江华 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期27-30,共4页

介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系... 介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺。同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究。对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平。 展开更多

关键词 金凸点 电镀 圆片级封装 厚胶光刻 溅射

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系统芯片(SOC)与系统级封装(SIP) 被引量：1

2

作者 王水弟 蔡坚 贾松良 《中国集成电路》 2003年第47期49-52,共4页

系统芯片和系统级封装是目前微电子技术高速发展的两种技术路线,本文讨论了系统的基本概念,针对两种技术路线的基本特点进行了介绍和分析,从工艺兼容性、已知好芯片问题、封装、市场及设计的角度比较了两者的优缺点。

关键词 系统芯片 系统级封装 SOC SIP 微电子技术 工艺兼容性

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制作圆片级封装凸焊点的垂直喷镀机研制 被引量：1

3

作者 王水弟 胡涛 贾松良 《电子工业专用设备》 2003年第1期38-42,共5页

介绍了为满足微电子新颖封装——圆片级封装(WLP)在硅圆片上制作凸焊点的需要,根据有限元分析模拟优化,设计研制了FEP-1垂直喷镀机。该机可用于φ100-φ150mm(φ4-φ6英寸)圆片上电镀Au、PbSn、In等凸焊点。在150mm液晶显示驱动电路硅... 介绍了为满足微电子新颖封装——圆片级封装(WLP)在硅圆片上制作凸焊点的需要,根据有限元分析模拟优化,设计研制了FEP-1垂直喷镀机。该机可用于φ100-φ150mm(φ4-φ6英寸)圆片上电镀Au、PbSn、In等凸焊点。在150mm液晶显示驱动电路硅圆片上,用该电镀机电镀制作出了合格的高度为17μm、间距为20μm的金凸点。 展开更多

关键词 圆片级封装 凸焊点 喷镀 电镀设备 微电子 WLP

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WLP用喷镀装置中的匀流板优化设计

4

作者 王水弟 胡涛 +1 位作者 蔡坚 贾松良 《电子工业专用设备》 2003年第4期49-52,67,共5页

喷镀式电镀已广泛应用于圆片级封装(WLP)中,电镀杯是喷镀装置中最关键的部件,杯中的匀流板又是影响电镀质量关键。对匀流板的形状和位置进行了计算机模拟和优化,并实际应用于喷镀装置中,取得了很好结果。

关键词 喷镀 匀流板 封装

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微电子封装中等离子体清洗及其应用 被引量：20

5

作者 聂磊 蔡坚 +1 位作者 贾松良 王水弟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期30-34,共5页

随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高。等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。

关键词 等离子体清洗 干法清洗 微电子封装

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倒装芯片凸焊点的UBM 被引量：8

6

作者 郭江华 王水弟 +2 位作者 张忠会 胡涛 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期60-64,共5页

介绍了倒装芯片凸焊点的焊点下金属（ＵＢＭ）系统，讨论了电镀Ａｕ凸焊点用ＵＢＭ的溅射工艺和相应靶材、溅射气氛的选择，给出了凸焊点ＵＢＭ质量的考核试验方法和相关指标。

关键词 倒装芯片 凸焊点 UBM 微电子封装

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一种低成本倒装芯片用印刷凸焊点技术的研究 被引量：2

7

作者 蔡坚 陈正豪 +2 位作者 贾松良 肖国伟 王水弟 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期33-36,共4页

利用化学镀底部金属化层结合丝网印刷制作凸焊点的技术,通过剪切实验得到了凸焊点的剪切强度,用电子显微镜对失效表面进行了分析研究,应用SEM及EDAX分析了凸焊点的组织结构与成分变化,对热老炼后凸焊点的强度变化进行了研究。结果表明... 利用化学镀底部金属化层结合丝网印刷制作凸焊点的技术,通过剪切实验得到了凸焊点的剪切强度,用电子显微镜对失效表面进行了分析研究,应用SEM及EDAX分析了凸焊点的组织结构与成分变化,对热老炼后凸焊点的强度变化进行了研究。结果表明凸焊点内部组织结构的变化是剪切失效的主要原因。经X光及扫描声学显微镜检测,表明组装及填充工艺很成功。对已完成及未进行填充的两种FCOB样品进行热疲劳实验对比,发现未进行填充加固的样品在115周循环后出现失效,而经填充加固后的样品通过了1 000周循环,表明下填料明显延长了倒装焊封装的热疲劳寿命。 展开更多

关键词 倒装芯片 印刷凸焊点 剪切强度 热老炼 热疲劳

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硅浅结紫外光探测器的研究 被引量：2

8

作者 陈武 王勇 +2 位作者 王水弟 单一林 MikkoMatikkala 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期203-205,共3页

采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光 (UV )探测器 ,介绍了探测器的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明 ,这种探测器能够有效地探测波长为 2 0 0nm至 4 0 0nm的紫外光。

关键词 紫外光探测器 浅结 硅 低能离子注入法

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一种低成本的硅垂直互连技术 被引量：1

9

作者 封国强 蔡坚 +1 位作者 王水弟 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期766-769,781,共5页

采用KOH刻蚀工艺制作硅垂直互连用通孔,淀积SiO2作为硅垂直互连的电绝缘层,溅射Ti和Cu分别作为Cu互连线的黏附层/扩散阻挡层和电镀种子层。电镀10μm厚的Cu作为硅垂直互连的导电层。为实现金属布线的图形化,在已有垂直互连的硅片上试验... 采用KOH刻蚀工艺制作硅垂直互连用通孔,淀积SiO2作为硅垂直互连的电绝缘层,溅射Ti和Cu分别作为Cu互连线的黏附层/扩散阻挡层和电镀种子层。电镀10μm厚的Cu作为硅垂直互连的导电层。为实现金属布线的图形化,在已有垂直互连的硅片上试验了干膜光刻工艺。采用化学镀工艺,在Cu互连线上沉积150～200nm厚的NiMoP薄膜作为防止Cu腐蚀和Cu向其上层介质扩散的覆盖层。高温退火验证了Ti阻挡层和NiMoP覆盖层的可靠性。 展开更多

关键词 硅垂直互连 阻挡层 化学镀

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系统级封装(SiP)集成技术的发展与挑战 被引量：7

10

作者 蔡坚 王水弟 贾松良 《中国集成电路》 2006年第9期60-63,共4页

系统级封装集成技术是实现电子产品小型化和多功能化的重要手段。国际半导体技术发展路线已经将SiP列为未来的重要发展方向。本文从新型互连技术的发展、堆叠封装技术的研究、埋置技术的发展以及高性能基板的开发等方面概述了系统级封... 系统级封装集成技术是实现电子产品小型化和多功能化的重要手段。国际半导体技术发展路线已经将SiP列为未来的重要发展方向。本文从新型互连技术的发展、堆叠封装技术的研究、埋置技术的发展以及高性能基板的开发等方面概述了系统级封装集成技术的一些重要发展和面临的挑战。 展开更多

关键词 系统级封装 集成技术 半导体技术 多功能化 电子产品 互连技术 封装技术

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硅通孔互连技术的开发与应用 被引量：8

11

作者 封国强 蔡坚 王水弟 《电子与封装》 2006年第11期15-18,共4页

随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发,硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法,以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直... 随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发,硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法,以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后,进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。 展开更多

关键词 硅通孔互连 三维封装 MEMS封装

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硅通孔互连技术的开发与应用 被引量：5

12

作者 封国强 蔡坚 王水弟 《中国集成电路》 2007年第3期54-57,62,共5页

随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发,硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。本文叙述了几种硅通孔互连的制造方法,及其应用。最后,进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的... 随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发,硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。本文叙述了几种硅通孔互连的制造方法,及其应用。最后,进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。 展开更多

关键词 硅通孔互连 三维封装 MEMS封装 三维叠层封装

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200～1100nm光响应测试系统的研制

13

作者 陈武 王勇 +2 位作者 王水弟 单一林 MikkoMatikkala 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期291-292,295,共3页

设计并制作了 2 0 0～ 110 0nm的光响应测试系统 ,该系统工作稳定可靠 ,并可消除光源抖动和突发性光源对测试的影响。

关键词 紫外光 光响应 测试系统 光探测器

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先进的MEMS封装技术 被引量：9

14

作者 王海宁 王水弟 +1 位作者 蔡坚 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期7-10,共4页

从特殊的信号界面、立体结构、外壳、钝化和可靠性五个方面总结了MEMS封装的特殊性。介绍了几种当前先进的MEMS封装技术:倒装焊MEMS、多芯片 (MCP)和模块式封装(MOMEMS)。最后强调,必须加强MEMS封装的研究。

关键词 MEMS 封装技术 倒装焊 模块式封装 多芯片 微机电系统 集成电路制造工艺

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中国的半导体封装产业

15

作者 贾松良 王水弟 蔡坚 《中国集成电路》 2004年第4期47-50,共4页

本文简要地介绍了中国已进入了半导体产业的快速发展期，目前已占中国半导体产业产值50％以上的半导体封装产业的产值将在2006年进入世界半导体封装产业的第四位，从而使中国成为世界半导体封装产业的重要基地之一。文中介绍了正在全面... 本文简要地介绍了中国已进入了半导体产业的快速发展期，目前已占中国半导体产业产值50％以上的半导体封装产业的产值将在2006年进入世界半导体封装产业的第四位，从而使中国成为世界半导体封装产业的重要基地之一。文中介绍了正在全面发展的中国半导体封装业的情况及存在问题。 展开更多

关键词 中国 半导体封装产业 市场 微电子封装 先进封装

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超大规模集成电路用超纯水制备系统的设计 被引量：4

16

作者 刘朋 王水弟 +1 位作者 杨宝和 陈为红 《实验技术与管理》 CAS 2003年第6期15-19,共5页

本文介绍了一套超大规模集成电路(VLSI)用10m3/h超纯水系统的设计要点.经实际运行,性能稳定、操作简单、自动化程度高,有很好的示范作用.

关键词 超大规模集成电路 超纯水制备系统 流程 水质 自动化

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MEMS圆片级封装用Cu-Sn低温键合机理与工艺研究 被引量：3

17

作者 荣毅博 蔡坚 +1 位作者 王水弟 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1181-1184,共4页

研究了利用低温等温凝固技术实现Cu-Sn键合在MEMS圆片级封装中的应用。基于Cu-Sn二元平衡相图,对键合层结构进行了设计,同时设计了用于测试的键合图形,并对设计的键合结构进行了流片实验。通过对圆片制作及键合等工艺的一系列优化,在25... 研究了利用低温等温凝固技术实现Cu-Sn键合在MEMS圆片级封装中的应用。基于Cu-Sn二元平衡相图,对键合层结构进行了设计,同时设计了用于测试的键合图形,并对设计的键合结构进行了流片实验。通过对圆片制作及键合等工艺的一系列优化,在250℃的低温条件下生成了熔点为415℃的金属间化合物,获得了良好的键合层。得到的键合样品剪切力强度值达到了GJB548B-2005标准的要求。研究表明,Cu-Sn等温凝固键合技术具有实际应用的潜力。 展开更多

关键词 等温凝固 Cu-Sn 键合 圆片级封装 剪切力

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RF-MEMS的系统级封装 被引量：2

18

作者 杨宇 蔡坚 +2 位作者 刘泽文 王水弟 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期45-48,共4页

射频(RF)技术在现代通信领域正得到越来越广泛的应用,用MEMS方法制备的射频元件不仅尺寸小、成本低、功能强大,而且更利于系统集成。系统级封装(SIP)寄生效应小、集成度高的优点特别适合用来封装RF-MEMS系统。本文介绍了系统级封装的发... 射频(RF)技术在现代通信领域正得到越来越广泛的应用,用MEMS方法制备的射频元件不仅尺寸小、成本低、功能强大,而且更利于系统集成。系统级封装(SIP)寄生效应小、集成度高的优点特别适合用来封装RF-MEMS系统。本文介绍了系统级封装的发展现状特别是在射频领域的应用,同时重点分析了在RF-MEMS系统级封装中封装结构、元件集成、互连及封装材料等几个关键问题。 展开更多

关键词 系统级封装 射频技术 无线通信 微机电系统 无源器件集成 互连 RF-MEMS

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金属封装用低阻复合引线的优化设计 被引量：2

19

作者 杨宇 贾松良 +2 位作者 张忠会 蔡坚 王水弟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期54-57,68,共5页

给出了以容易测量的内芯材料横截面积所占整个复合引线面积之比为自变量的同轴复合圆柱形引线的电阻率、轴向和径向的热膨胀系数的计算公式。运用这些公式并从相应图中可以便捷地确定这类复合材料的优化设计范围。将该结果应用于4J50包... 给出了以容易测量的内芯材料横截面积所占整个复合引线面积之比为自变量的同轴复合圆柱形引线的电阻率、轴向和径向的热膨胀系数的计算公式。运用这些公式并从相应图中可以便捷地确定这类复合材料的优化设计范围。将该结果应用于4J50包铜复合引线的优化设计,并进行了实验验证。 展开更多

关键词 金属封装 低阻引线 复合引线 热膨胀系数

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陶瓷基板上的集成微电感模型与制作 被引量：1

20

作者 王建卫 蔡坚 +1 位作者 窦新玉 王水弟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1074-1077,共4页

对陶瓷基板上的集成微电感模型进行了分析。由于陶瓷基板的介电常数比Si基板低,电阻率极高,因此衬底损耗大大减小,从而有效提高了电感的Q值。同时,为了更好进行对比,研究中采用相同工艺在陶瓷基板和Si基板上同批制作了集成电感,两者的... 对陶瓷基板上的集成微电感模型进行了分析。由于陶瓷基板的介电常数比Si基板低,电阻率极高,因此衬底损耗大大减小,从而有效提高了电感的Q值。同时,为了更好进行对比,研究中采用相同工艺在陶瓷基板和Si基板上同批制作了集成电感,两者的结构参数完全一致。测试结果表明,两者的电感值L基本相同,然而陶瓷基板上集成微电感Q值的峰值要比Si基板集成微电感高7左右,Si基板上Q值峰值在5 GHz以下,而陶瓷基板集成微电感的Q值峰值在10 GHz左右。 展开更多

关键词 陶瓷基板 集成微电感 Q值 薄膜集成

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