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极化方式对弛豫铁电单晶光学和电学性能的影响
1
作者 张斌斌 许岗 +2 位作者 王领航 黄苗苗 尹煜 《西安工业大学学报》 CAS 2024年第1期61-68,共8页
针对传统弛豫铁电晶体透光率的问题,文中选择了三方相结构三元弛豫铁电单晶25PIN 44PMN 31PT,沿[001]方向对晶体进行了常温直流和交流极化,对比并分析了两种极化样品的透光率和介电压电性能。研究结果表明:交流极化后,样品透光率在可见... 针对传统弛豫铁电晶体透光率的问题,文中选择了三方相结构三元弛豫铁电单晶25PIN 44PMN 31PT,沿[001]方向对晶体进行了常温直流和交流极化,对比并分析了两种极化样品的透光率和介电压电性能。研究结果表明:交流极化后,样品透光率在可见光波段达到70%,室温下相对介电常数提高了18%,压电系数和逆压电系数分别提高了9.7%和11%。交流极化可以去除对光产生散射的71°畴壁,提高了材料透光率;交流极化样品中畴的极化旋转更加容易,因而具有更高的介电压电性能。 展开更多
关键词 弛豫铁电单晶 交流极化 透光率 介电压电
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HgInTe晶体的生长及其性能研究 被引量:3
2
作者 王领航 董阳春 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期870-871,875,共3页
利用垂直Bridgman法生长了HginTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT—IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400~4000cm^-1范围内的红外透过性能较好,达到50%~5... 利用垂直Bridgman法生长了HginTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT—IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400~4000cm^-1范围内的红外透过性能较好,达到50%~55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的。 展开更多
关键词 HgInTe 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电 半导体材料 近红外探测器
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碲铟汞晶体的生长及其电学特性 被引量:2
3
作者 王领航 董阳春 介万奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1069-1071,共3页
利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3(MIT)(x=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9&... 利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3(MIT)(x=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω.cm,载流子浓度为2.83×1013cm-3,载流子迁移率为4.6×102cm2/(V.s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合. 展开更多
关键词 Hg3-3xIn2xTe3 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器
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MgO-CaO-ZrO_2耐火材料的性能、制备与应用 被引量:3
4
作者 王领航 高里存 《耐火材料》 CAS 北大核心 2004年第5期350-352,共3页
系统地介绍了MgO -CaO -ZrO2 耐火材料的性能特点、应用领域、制备与使用情况。指出 ,利用高纯原料制备MgO -CaO -ZrO2 耐火材料已取得成功 ,而利用天然原料低成本地制备MgO -CaO -ZrO2 耐火材料将成为今后研究的主要课题 ;同时指出 ,Mg... 系统地介绍了MgO -CaO -ZrO2 耐火材料的性能特点、应用领域、制备与使用情况。指出 ,利用高纯原料制备MgO -CaO -ZrO2 耐火材料已取得成功 ,而利用天然原料低成本地制备MgO -CaO -ZrO2 耐火材料将成为今后研究的主要课题 ;同时指出 ,MgO -CaO -ZrO2 耐火材料的剥落现象是影响其使用寿命的主要原因 ,还有待于进一步研究改进。 展开更多
关键词 MgO—CaO—ZrO2耐火材料 制备 氧化镁 氧化钙 氧化锆 抗侵蚀性 热震稳定性 挂窑皮性 水泥回转窑 精炼炉 抗水化性
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碲铟汞晶体的生长研究 被引量:1
5
作者 王领航 董阳春 介万奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期253-255,共3页
以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量... 以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体。 展开更多
关键词 HgInTe 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器
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碲铟汞多晶料合成与晶体生长 被引量:1
6
作者 王领航 介万奇 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期129-132,共4页
以高纯Hg,In,Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15 mm×175 mm的MIT单晶体。利用X射线粉末衍射技术... 以高纯Hg,In,Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15 mm×175 mm的MIT单晶体。利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行了分析,结果表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m。采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明,所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体。对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象。 展开更多
关键词 碲铟汞 晶体生长 垂直Bridgman法 半导体材料 近红外光电探测器
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水泥窑高温带用MgO-CaO-ZrO_2耐火材料的研制 被引量:3
7
作者 王领航 高里存 《新世纪水泥导报》 CAS 2005年第2期29-30,共2页
研究了利用天然原料制备MgO-CaO-ZrO2新型耐火材料。分析了该MgO-CaO-ZrO2材料的物相组成。用反应烧结合成了该复相材料。用XRD对其进行了相分析,结果与理论分析相一致。
关键词 耐火材料 高温带 水泥窑 研制 原料制备 物相组成 复相材料 烧结合成 相分析 XRD 反应
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新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
8
作者 王领航 张继军 +1 位作者 介万奇 董阳春 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期387-389,共3页
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞(MIT)晶体,利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶,并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明:MIT晶体为缺陷闪锌矿结构,其在中... 研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞(MIT)晶体,利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶,并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明:MIT晶体为缺陷闪锌矿结构,其在中远红外波段透过性能较好( 〉50%),并且随着波长的增大,透过增强.MIT晶体为n型半导体,室温电阻率为4.79×10^2Ω.cm,载流子迁移率为4.6×10^2cm^2.V^-1.s^-1,载流子浓度为2.83×10^13cm^-3。较低的载流子浓度,有利于降低探测器的噪声及提高探测器的能量分辨率。 展开更多
关键词 碲铟汞 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器
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碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究
9
作者 王领航 介万奇 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期863-865,870,共4页
以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对... 以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象. 展开更多
关键词 碲铟汞 晶体生长 垂直Bridgman法 半导体材料 近红外光电探测器
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碘化汞(α-HgI_2)晶体生长及其性能表征 被引量:7
10
作者 许岗 介万奇 王领航 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期795-799,共5页
利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体。通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变。晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面。利用XRD、透射光谱以及I-V测试... 利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体。通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变。晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面。利用XRD、透射光谱以及I-V测试对所生长晶体的性能进行了表征。XRD结果表明所生长的晶体为单相的α-HgI2晶体,晶体的生长方向为[001]。紫外-可见-近红外透过光谱分析发现,HgI2晶体的截至波长为580 nm,对应的禁带宽度为2.12 eV,近红外区内透过率约为45%。由于空穴的俘获及陷阱能级作用,在2307.5 nm和1731.4 nm处产生了两个明显的吸收峰。所生长的α-HgI2晶体电阻率约为1011Ω.cm,满足制作核辐射探测器的要求。 展开更多
关键词 碘化汞晶体 形貌转变 XRD 近红外透过率 I-V特性
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疏水性有机-无机SiO_2复合薄膜的制备及性能研究 被引量:5
11
作者 许岗 王领航 陈卫星 《西安工业大学学报》 CAS 2007年第3期260-264,共5页
以正硅酸乙酯为主要原料,用长链三甲氧基硅烷GH2n+1Sit(OCH3)3(n=7~12)取代含氟有机硅烷,采用溶胶凝胶法制备了无氟疏水性纳米SiO2复合薄膜.利用差热热重分析研究胶体特性;利用分光光度计对胶体进行红外光谱分析;采用扫描电... 以正硅酸乙酯为主要原料,用长链三甲氧基硅烷GH2n+1Sit(OCH3)3(n=7~12)取代含氟有机硅烷,采用溶胶凝胶法制备了无氟疏水性纳米SiO2复合薄膜.利用差热热重分析研究胶体特性;利用分光光度计对胶体进行红外光谱分析;采用扫描电子显微镜检测了薄膜表面质量,利用划痕法和盐雾腐蚀对薄膜进行了附着力和腐蚀试验.结果表明,为避免疏水功能团—CH3被破坏,薄膜的热处理温度应低于300℃,热处理后薄膜中的SiO2含量增加.对基材采用多层涂覆及逐层热处理,可提高薄膜疏水性能,平均接触角达到110.2°.薄膜附着力达到GBl720—88相应一级,具有良好的防腐蚀性能. 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 疏水性 防腐性能 附着力
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In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响 被引量:1
12
作者 张继军 王领航 +2 位作者 曾冬梅 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期1030-1033,共4页
采用垂直Bridgman法生长了In掺杂Cd0.3Mn0.2Te晶体(CdMnTe:In)和本征的Cd0.8Mn0.2Te晶体(CdMnTe)。X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线和位错密度测试表明,所生长晶体均为立方闪锌矿结构,半峰宽为40~80arc Sec,位错密度为100~1... 采用垂直Bridgman法生长了In掺杂Cd0.3Mn0.2Te晶体(CdMnTe:In)和本征的Cd0.8Mn0.2Te晶体(CdMnTe)。X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线和位错密度测试表明,所生长晶体均为立方闪锌矿结构,半峰宽为40~80arc Sec,位错密度为100~100cm^-2,结晶质量良好.In掺杂不影响晶体的结构和结晶质量。电流.电压(I-V)测试表明,CdMnTe:In晶体的电阻率为1~3×10^9Ω·cm,与CdMnTe晶体相比上升了3个数量级.近红外光透过光谱(IR transmission)研究发现In掺杂后CdMnTe晶体红外透过率降低,在波数范围4000~1000cm^-1,CdMnTe晶体红外透过率为51.2%~56.4%,而CdMnTe:In的红外透光率为15.4%~6%。 展开更多
关键词 CDMNTE In掺杂 X射线衍射 电阻率 红外透过率
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碲锌镉晶体晶格畸变的测定与分析 被引量:1
13
作者 曾冬梅 介万奇 +2 位作者 黄斌 王领航 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期58-62,共5页
在高分辨X射线衍射仪上,利用不对称布拉格衍射STD技术与单晶摇摆曲线技术相结合的方法,对碲锌镉单晶材料的晶格畸变进行了分析测定。此方法实现了一次装样,多角度、多次测定晶体的摇摆曲线,从而利用多组实验数据完成多元线性回归方... 在高分辨X射线衍射仪上,利用不对称布拉格衍射STD技术与单晶摇摆曲线技术相结合的方法,对碲锌镉单晶材料的晶格畸变进行了分析测定。此方法实现了一次装样,多角度、多次测定晶体的摇摆曲线,从而利用多组实验数据完成多元线性回归方程组的求解,避开了一般应变测定方法中难以确定无应力状态下衍射角的问题。所测定的生长态碲锌镉晶片晶格畸变量为10^-3-10^-2数量级,该畸变量是碲锌镉晶片存在成份偏析、位错和空位等缺陷以及晶片受到的应力综合作用的结果。 展开更多
关键词 X射线衍射 摇摆曲线 不对称布拉格衍射 晶格畸变
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近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀 被引量:1
14
作者 董阳春 王领航 介万奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期627-630,638,共5页
研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析。利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究。结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形。在本实验条件下,位错... 研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析。利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究。结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形。在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pitdensity)约在105/cm2数量级。HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成。HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹。该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好。 展开更多
关键词 碲铟汞 缺陷 腐蚀坑 半导体材料
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电极材料对碘化汞(α-HgI_2)晶体I-V特性的影响
15
作者 许岗 介万奇 +1 位作者 王领航 孙晓燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1148-1151,共4页
利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接触的I-V特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α-HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析。结果表明,AuCl3和C均能与HgI2... 利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接触的I-V特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α-HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析。结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1.0291和0.9380,接触电阻分别为3.0×108Ω和1.0×108Ω;而溅射Au与HgI2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0.8341,接触电阻为3.5×109Ω。这说明AuCl3在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触。C(石墨)化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C(石墨)/HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性。而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au/HgI2接触的欧姆特性变差。 展开更多
关键词 碘化汞 石墨 氯化金 电极 I-V特性 接触电阻
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有机硅烷-硅酸盐膜基界面结合强度的测定方法
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作者 许岗 杨觉明 +1 位作者 王领航 赵振杰 《西安工业学院学报》 2005年第4期366-369,共4页
薄膜与基材的结合强度(附着力)是评价薄膜质量的重要性能指标.由于硅烷类有机薄膜在组织结构上与硅酸盐基材一致,使得薄膜_基材形成一体结构,从而产生难以表征的结合力.目前此类薄膜的结合强度测量还没有公认的有效方法.本文通过硅烷类... 薄膜与基材的结合强度(附着力)是评价薄膜质量的重要性能指标.由于硅烷类有机薄膜在组织结构上与硅酸盐基材一致,使得薄膜_基材形成一体结构,从而产生难以表征的结合力.目前此类薄膜的结合强度测量还没有公认的有效方法.本文通过硅烷类有机薄膜与硅酸盐基材结合的结构特点,以划痕法为主要方法,利用铣床按照GB1720_88漆膜附着力测定法为评定标准,定性的反映薄膜与基材的结合强度.该方法具有一定的参考和借鉴价值. 展开更多
关键词 疏水性薄膜 硅酸盐 结合强度 划痕法
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HgInTe晶片表面化学抛光研究 被引量:4
17
作者 杨杨 王领航 +2 位作者 介万奇 亚彬 傅莉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期535-538,共4页
对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达... 对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达到最佳效果。AFM分析结果表明,5%Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67%,平整度显著增加。相比之下,5%Br2-MeOH抛光液抛光速度过快,抛光后的表面形貌较差。 展开更多
关键词 HgInTe 化学抛光 腐蚀速率 表面粗糙度
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石化装置中离心式压缩机的负荷调节
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作者 王领航 《中国石油和化工》 2008年第14期30-31,共2页
在石油化工企业的各类生产装置中,在加压或输送气体的场合,常常会使用离心式压缩机。而石油化工催化装置中的富气压缩机和加氢装置中的循环氢压缩机是采用离心压缩机的典型应用。离心压缩机的调节就是改变压缩机的运行工况,以适应工... 在石油化工企业的各类生产装置中,在加压或输送气体的场合,常常会使用离心式压缩机。而石油化工催化装置中的富气压缩机和加氢装置中的循环氢压缩机是采用离心压缩机的典型应用。离心压缩机的调节就是改变压缩机的运行工况,以适应工艺装置操作工况变化的要求,在控制方案上负荷调节通常采用的调节手段有:进口节流调节、变转速调节等。 展开更多
关键词 离心式压缩机 负荷调节 石化装置 石油化工企业 离心压缩机 循环氢压缩机 富气压缩机 生产装置
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催化裂化装置大型轴流风机的控制
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作者 金哲 王领航 《化工科技市场》 CAS 2003年第7期21-23,共3页
本文详细论述了轴流风机控制的设计和应用经验 ,其中包括反喘振控制 ,反阻塞控制以及负荷控制等。
关键词 催化裂化装置 大型轴流风机 反喘振控制 反阻塞控制 负荷控制
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Study of thermal expansion of mercury indium telluride crystals by XRD technique
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作者 王领航 介万奇 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2009年第S3期776-779,共4页
The thermal expansion behavior of mercury indium telluride (MIT) crystals, Hg(3-3x)In2xTe3(x=0.5), based on X-ray diffraction experimental data is studied at 298-573 K. The variation of the lattice parameter of MIT cr... The thermal expansion behavior of mercury indium telluride (MIT) crystals, Hg(3-3x)In2xTe3(x=0.5), based on X-ray diffraction experimental data is studied at 298-573 K. The variation of the lattice parameter of MIT crystals with temperature was determined and the thermal expansion coefficient was deduced to be 6.18×10-6 K-1. The results of the thermal expansion are fitted to polynomial expressions. It is found that the lattice parameter decreases quickly with temperature increasing at 298-330 K and then increases continuously up to 573 K. The minimum lattice parameter corresponds to a maximum shrinkage of 0.06%. 展开更多
关键词 MERCURY INDIUM TELLURIDE crystal growth XRD thermal EXPANSION semiconductor material
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