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脉冲激光沉积金刚石基c轴取向LiNbO3压电薄膜
被引量：
1
1
作者
田四方
梅欣丽
+2 位作者
赵明岗
王前进
王新昌
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期372-375,共4页
采用等化学计量比的LiNbO3多晶陶瓷为靶材,利用脉冲激光沉积技术在以非晶SiO2为缓冲层的金刚石/Si衬底上制备c轴取向LiNbO3薄膜。研究了靶材与衬底之间的距离对LiNbO3薄膜的结晶质量和c轴取向性的影响,发现在靶材与衬底之间的距离为4.0c...
采用等化学计量比的LiNbO3多晶陶瓷为靶材,利用脉冲激光沉积技术在以非晶SiO2为缓冲层的金刚石/Si衬底上制备c轴取向LiNbO3薄膜。研究了靶材与衬底之间的距离对LiNbO3薄膜的结晶质量和c轴取向性的影响,发现在靶材与衬底之间的距离为4.0cm时获得了具有优异结晶质量的完全c轴取向LiNbO3压电薄膜。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对最佳条件下制备的薄膜进行了分析,结果表明制得的薄膜呈与衬底垂直的柱状结构,且薄膜表面光滑,晶粒均匀致密,表面平均粗糙度约为9.5 nm。
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关键词
LiNbO3压电薄膜金刚石/Si缓冲层脉冲激光沉积
原文传递
SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO_3压电薄膜的制备
被引量：
1
2
作者
王新昌
田四方
+1 位作者
贾建峰
王前进
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期810-812,817,共4页
采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描...
采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,薄膜表面粗糙度约为20nm。
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关键词
LiNbO3压电薄膜
金刚石/硅基底
脉冲激光沉积
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职称材料
题名
脉冲激光沉积金刚石基c轴取向LiNbO3压电薄膜
被引量：
1
1
作者
田四方
梅欣丽
赵明岗
王前进
王新昌
机构
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室郑州
新乡学院物理系
浙江大学硅材料国家重点实验室杭州
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期372-375,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50702051)
硅材料国家重点实验室开放课题资助项目(SKL2008-4)
文摘
采用等化学计量比的LiNbO3多晶陶瓷为靶材,利用脉冲激光沉积技术在以非晶SiO2为缓冲层的金刚石/Si衬底上制备c轴取向LiNbO3薄膜。研究了靶材与衬底之间的距离对LiNbO3薄膜的结晶质量和c轴取向性的影响,发现在靶材与衬底之间的距离为4.0cm时获得了具有优异结晶质量的完全c轴取向LiNbO3压电薄膜。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对最佳条件下制备的薄膜进行了分析,结果表明制得的薄膜呈与衬底垂直的柱状结构,且薄膜表面光滑,晶粒均匀致密,表面平均粗糙度约为9.5 nm。
关键词
LiNbO3压电薄膜金刚石/Si缓冲层脉冲激光沉积
Keywords
ds LiNbO3 piezoelectric films, Diamond/Si substrate, Buffer layer, Pulsed laser deposition
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO_3压电薄膜的制备
被引量：
1
2
作者
王新昌
田四方
贾建峰
王前进
机构
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期810-812,817,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50702051)
硅材料国家重点实验室开放课题资助项目(SKL2008-4)
文摘
采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,薄膜表面粗糙度约为20nm。
关键词
LiNbO3压电薄膜
金刚石/硅基底
脉冲激光沉积
Keywords
LiNbO3 piezoelectric films
diamond/Si substrate
pulsed laser deposition
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脉冲激光沉积金刚石基c轴取向LiNbO3压电薄膜
田四方
梅欣丽
赵明岗
王前进
王新昌
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
2
SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO_3压电薄膜的制备
王新昌
田四方
贾建峰
王前进
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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