期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用 被引量：4
1
作者 王三胜 顾彪 +3 位作者 徐茵 秦福文 窦宝锋 杨大智 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第1期31-35,共5页
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构... GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势。 展开更多
关键词 GAN 外延生长 掺杂 半导体器件 光电器件 半导体材料 制备 氮化镓
下载PDF
GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用 被引量：2
2
作者 顾彪 王三胜 +5 位作者 徐茵 秦福文 窦宝锋 常久伟 邓祥 杨大智 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第3期104-110,共7页
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材... GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性、材料生长以及在光电器件领域的应用 。 展开更多
关键词 GAN 材料性质 外延生长 半导体器件 半导体材料 短波光电器件 氮化镓
下载PDF
Al_2O_3衬底上低温生长GaN薄膜的一种新方法
3
作者 窦宝锋 顾彪 史庆军 《佳木斯大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第1期5-8,共4页
研究了 ECR- PAMOCVD在蓝宝石衬底上生长 Ga N外延层时衬底的清洗方法和缓冲层结构对于 Ga N晶体质量的影响 ,提出了新的衬底清洗方法和双缓冲层结构 .实验表明这种方法能够提供一个很好的生长基底 ,可以有效地改善 Ga
关键词 ECR-PAMOCVD 衬底 清洗方法 双缓冲层 AL2O3 三氧化二铝 GAN薄膜 氮化镓薄膜 低温生长
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部