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微通道板电子透射膜及其粒子透过特性的研究 被引量：6
1
作者 端木庆铎 姜德龙 +5 位作者 田景全 李野 高延军 王国政 吴奎 富丽晨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期904-907,共4页
　文中介绍了微光像管中微通道板电子透射膜及其形成技术,研究了粒子(电子和离子)透过特性.给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出了采用XPS进行成分分析的结果.介绍了电子透射膜的离子透过特... 　文中介绍了微光像管中微通道板电子透射膜及其形成技术,研究了粒子(电子和离子)透过特性.给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出了采用XPS进行成分分析的结果.介绍了电子透射膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题. 展开更多
关键词 微通道板 电子透射膜 免污染成膜工艺 死电压 离子透过率
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硅微通道板电子倍增器 被引量：9
2
作者 端木庆铎 李野 +5 位作者 卢耀华 姜德龙 但唐仁 高延军 富丽晨 田景全 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1680-1682,共3页
本文采用感应耦合等离子体刻蚀机 (ICP)和低压化学气相淀积 (LPCVD)技术制备了硅微孔列阵和连续打拿极 ,得到具有一定性能的硅微通道板 .同时分析讨论了微孔列阵的表面形貌、反应离子刻蚀的尺寸效应以及电子增益系数等问题 .与传统工艺... 本文采用感应耦合等离子体刻蚀机 (ICP)和低压化学气相淀积 (LPCVD)技术制备了硅微孔列阵和连续打拿极 ,得到具有一定性能的硅微通道板 .同时分析讨论了微孔列阵的表面形貌、反应离子刻蚀的尺寸效应以及电子增益系数等问题 .与传统工艺相比 ,新工艺将微通道板基体材料与打拿极材料的选择分开、微孔列阵形成和连续打拿极制作过程分开 。 展开更多
关键词 硅 微通道板 电子倍增器
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二维电子倍增器及其新发展 被引量：8
3
作者 端木庆铎 田景全 +4 位作者 姜会林 姜德龙 李野 卢耀华 富丽晨 《红外技术》 CSCD 北大核心 1999年第6期6-11,共6页
概述了二维电子倍增器ＲＬＳＧ-ＭＣＰ的发展概况和工艺的局限性，提出了用半导体工艺制作ＡＴ－ＭＣＰ的技术途径，阐述了ＡＴ－ＭＣＰ的优点；介绍了新型ＭＳＰ电子倍增器的原理和特点，最后展望了电子倍增器的发展前景．
关键词 电子倍增器 微通道板 微球板 RLSG-MCP
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掺杂Cr^（3＋）和Nd^（3＋）玻璃陶瓷的光谱特性 被引量：3
4
作者 端木庆铎 苏春辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第1期48-51,共4页
根据分相成核原理，通过一步热处理过程，制备了双掺杂Ｂ＿２Ｏ＿３→Ａｌ＿２Ｏ＿３→ＳｉＯ＿２系统透明玻璃陶瓷。ＸＲＤ分析确定主晶相为莫来石固溶体；分别测定了材料的吸收光谱、发射光谱和荧光寿命，分析讨论了铬和钕格位分布及... 根据分相成核原理，通过一步热处理过程，制备了双掺杂Ｂ＿２Ｏ＿３→Ａｌ＿２Ｏ＿３→ＳｉＯ＿２系统透明玻璃陶瓷。ＸＲＤ分析确定主晶相为莫来石固溶体；分别测定了材料的吸收光谱、发射光谱和荧光寿命，分析讨论了铬和钕格位分布及光谱特点。在双掺杂铬和钕玻璃陶瓷中存在较强的Ｃｒ￣（３＋）→Ｎｄ￣（３＋）的辐射能量传递和非辐射传递，同时也存在Ｃｒ￣（３＋）→Ｃｒ￣（３＋）的能量传递。Ｃｒ￣（３＋）主要位于晶相格位中，Ｎｄ￣（３＋）则全部保留在剩余玻璃相中，Ｃｒ￣（３＋）的格位分布对光谱性能有很大的影响。 展开更多
关键词 光谱特性 掺杂 发射光谱 能量传递 玻璃陶瓷 铬 钕
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低强度X射线影像系统的噪声分析及图像去噪处理 被引量：15
5
作者 但唐仁 田景全 +4 位作者 高延军 李野 姜德龙 端木庆铎 富丽晨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期615-618,共4页
新型低强度X射线影像系统主要是由平板式单近贴静电聚焦X射线像增强器和CCD数据采集系统构成。根据系统的组成,分析了图像噪声来源,指出了它们的噪声整体为泊松分布规律的随机白噪声,局部也有正负脉冲干扰等特点,以此提出了处理该图像... 新型低强度X射线影像系统主要是由平板式单近贴静电聚焦X射线像增强器和CCD数据采集系统构成。根据系统的组成,分析了图像噪声来源,指出了它们的噪声整体为泊松分布规律的随机白噪声,局部也有正负脉冲干扰等特点,以此提出了处理该图像噪声的"多帧平均滤波+极值中值滤波"的复合算法。即先根据随机噪声互不相关的特点,将多幅图像叠加平均,突出有用信息,压缩噪声。再在改进标准中值滤波基础上,采用极值中值滤波,更好地去除噪声,保留细节。通过对峰值信噪比的计算表明,该方法明显优于任何单一算法,取得较好效果。 展开更多
关键词 低强度X射线影像系统 噪声分析 去噪 多帧平均 极值中值滤波 图像处理 X射线像增强器
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基于BCG-MCP的四代微光像增强技术 被引量：6
6
作者 姜德龙 吴奎 +4 位作者 王国政 李野 富丽晨 端木庆铎 田景全 《红外技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期45-48,共4页
介绍了Ⅲ代微光像管中的防离子反馈膜技术 ,阐述了美国Litton公司基于BCG MCP的Ⅳ代像管的近期发展及应用概况 ,给出了实际应用中的对比情况 ,指出了BCG MCP。
关键词 BCG-MCP 自动门控电源 无晕技术 体导电玻璃微通道板 BCGMCP 四代微光像管 离子反馈 晕光效应
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稀土氧化物在Al_2O_3透明陶瓷晶界浓度分布的非平衡态热力学分析 被引量：8
7
作者 苏春辉 端木庆铎 +2 位作者 王艳 肖璇 隋智通 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期802-807,共6页
采用高纯Ａｌ２Ｏ３超细粉末，烧制成掺杂稀土氧化物的Ａｌ２Ｏ３透明陶瓷．以ＥＰＭＡ法观测透明陶瓷晶界处的化学组成及稀土氧化物的定态浓度分布，用非平衡态热力学理论分析晶界偏析行为．研究发现，添加物在Ａｌ２Ｏ３透明陶瓷晶界... 采用高纯Ａｌ２Ｏ３超细粉末，烧制成掺杂稀土氧化物的Ａｌ２Ｏ３透明陶瓷．以ＥＰＭＡ法观测透明陶瓷晶界处的化学组成及稀土氧化物的定态浓度分布，用非平衡态热力学理论分析晶界偏析行为．研究发现，添加物在Ａｌ２Ｏ３透明陶瓷晶界的浓度分布为非平衡态热力学组成分布，ＭｇＯ，Ｌａ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３富集于晶界，符合定态耦合模型． 展开更多
关键词 透明陶瓷 稀土氧化物 晶界 热力学 氧化铝陶瓷
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硅微通道板微加工技术研究 被引量：5
8
作者 王国政 袁云龙 +5 位作者 杨超 凌海容 王蓟 杨继凯 李野 端木庆铎 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1804-1810,共7页
微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA)。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和... 微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA)。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和光电化学腐蚀的特性,结果表明:硅光电化学腐蚀技术易于制备高长径比微通道,微通道侧壁更光滑、可制备倾斜通道、更适合制备Si-MCP.制备出通道周期为6μm、长径比大于50的SMA结构。采用厚层氧化实现了Si-MCP基体绝缘,采用原子层沉积工艺制备了连续倍增极,制作出Si-MCP样品。测试结果表明,采用半导体微加工技术制备的Si-MCP电子增益特性具有可行性。 展开更多
关键词 硅微通道板 光电化学腐蚀 原子层沉积 微加工技术
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微通道板离子壁垒膜及其对入射离子的阻止作用 被引量：4
9
作者 姜德龙 刘庆飞 +6 位作者 李野 王国政 高延军 吴奎 付申成 端木庆铎 田景全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1015-1020,共6页
给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al2O3和SiO2薄膜对不同能量垂直入射时的核、... 给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al2O3和SiO2薄膜对不同能量垂直入射时的核、电子阻止的定量结果。得出了Al2O3薄膜阻止本领比SiO2阻止本领高的结论。证实了选用Al2O3离子壁垒膜的科学性和可行性。 展开更多
关键词 微通道板 离子壁垒膜 核阻止 电子阻止 蒙特卡罗模拟
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一种基于小波相位信息的低强度X射线影像系统的图像去噪方法 被引量：4
10
作者 但唐仁 田景全 +2 位作者 端木庆铎 李野 高延军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期977-979,共3页
新型低强度X射线影像系统主要是由平板式单近贴静电聚焦X射线像增强器和CCD数据采集系统构成 .文章简述了低强度X射线影像系统的图像噪声来源和特点 ,并根据图像噪声的特点 ,先进行多帧叠加平均预处理 ,再进行小波变换滤波 .区别于传统... 新型低强度X射线影像系统主要是由平板式单近贴静电聚焦X射线像增强器和CCD数据采集系统构成 .文章简述了低强度X射线影像系统的图像噪声来源和特点 ,并根据图像噪声的特点 ,先进行多帧叠加平均预处理 ,再进行小波变换滤波 .区别于传统的小波变换方法 ,引入小波变换的相位信息概念 ,根据噪声和图像信息小波变换后的相位不同特点 ,从局部和相邻尺度两方面联合进行噪声自动判别和滤除 .小波反变换后 ,得到输出图像 ,通过对峰值信噪比的计算 。 展开更多
关键词 X射线 噪声 多帧平均 小波变换 相位
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新型变密度卤化物/MCP反射式X射线敏感薄膜的研究 被引量：3
11
作者 田景全 姜德龙 +5 位作者 孙秀平 富丽晨 但唐仁 李野 卢耀华 端木庆铎 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期513-517,共5页
在MCP输入端通道内壁制作了反射式X射线敏感膜层 ,提高了MCP对能量 35～ 5 0keVX射线的探测能力。实验结果表明 :变密度结构的CsI/MCP中膜层结构较密实时 ,其输出响应可提高 5～ 6倍 ,较无膜MCP提高 1～ 2个数量级 ,和CsBr、KBr相比较 ,... 在MCP输入端通道内壁制作了反射式X射线敏感膜层 ,提高了MCP对能量 35～ 5 0keVX射线的探测能力。实验结果表明 :变密度结构的CsI/MCP中膜层结构较密实时 ,其输出响应可提高 5～ 6倍 ,较无膜MCP提高 1～ 2个数量级 ,和CsBr、KBr相比较 ,以CsI的响应特性为最佳 ;膜层材料、结构、工艺和X射线能量等是影响探测能力的主要因素。 展开更多
关键词 MCP 反射式X射线敏感薄膜 变密度 卤化物 X射线光阴极 微通道板 工作原理 X射线影像增强器
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微通道板SiO_2防离子反馈膜技术研究 被引量：4
12
作者 李野 姜德龙 +7 位作者 向嵘 付申成 王国政 吴奎 王新 端木庆铎 富丽晨 田景全 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2400-2404,共5页
本文利用射频磁控溅射方法,在微通道板输入面上成功地制备出二氧化硅防离子反馈膜.通过对二氧化硅防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出了特性曲线.利用蒙特卡罗模拟方法对二氧化硅和三氧化二铝两种防离子反馈膜的电子透过和离子阻止能... 本文利用射频磁控溅射方法,在微通道板输入面上成功地制备出二氧化硅防离子反馈膜.通过对二氧化硅防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出了特性曲线.利用蒙特卡罗模拟方法对二氧化硅和三氧化二铝两种防离子反馈膜的电子透过和离子阻止能力进行了分析和比较,得出了二氧化硅薄膜比三氧化二铝薄膜对电子的透过特性稍好,而后者比前者对离子的阻止能力较优越的结论. 展开更多
关键词 微通道板 二氧化硅 防离子反馈膜 蒙特卡罗模拟
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硅微通道板像增强器的研究 被引量：5
13
作者 王国政 李野 +4 位作者 高延军 姜德龙 付申成 吴奎 端木庆铎 《电子器件》 CAS 2008年第1期308-311,共4页
微通道板作为电子倍增器件可以对电子、离子、紫外和软X射线进行探测和成像。传统微通道板制备是采用玻璃纤维拉制和氢还原等技术，提出分别采用半导体体微加工和电化学腐蚀制备硅微通道板的新技术。在干法刻蚀中采用ICP技术制备了孔径... 微通道板作为电子倍增器件可以对电子、离子、紫外和软X射线进行探测和成像。传统微通道板制备是采用玻璃纤维拉制和氢还原等技术，提出分别采用半导体体微加工和电化学腐蚀制备硅微通道板的新技术。在干法刻蚀中采用ICP技术制备了孔径为6～20μm、间隔4～8μm、长径比15-30的硅微通道板，初步试验结果为对于长径比为16的样品，电子增益为10°数量级。同时，开展了湿法电化学腐蚀技术制作硅微通道板的研究，分析讨论了电化学腐蚀微通道板的机理。结果表明，干法和湿法刻蚀技术可以制备高长径比硅微通道板，与ICP技术型比，电化学腐蚀具有较低的成本。 展开更多
关键词 微通道板 微加工 刻蚀 硅 像增强器
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双微通道板紫外像增强器工作特性研究 被引量：8
14
作者 程宏昌 端木庆铎 +7 位作者 石峰 师宏立 刘晖 冯刘 贺英萍 侯志鹏 闫磊 任玲 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期524-527,共4页
为了研究双微通道板(MCP)对紫外像增强器辐射增益的影响,本文利用南京理工大学制造的宽光谱像管增益测试仪,对单MCP和双MCP紫外像增强器的辐射增益分别进行了测试分析。通过改变阴极电压、MCP输出端电压这两个参数,研究了紫外像增强器... 为了研究双微通道板(MCP)对紫外像增强器辐射增益的影响,本文利用南京理工大学制造的宽光谱像管增益测试仪,对单MCP和双MCP紫外像增强器的辐射增益分别进行了测试分析。通过改变阴极电压、MCP输出端电压这两个参数,研究了紫外像增强器辐射增益的变化情况。结果表明,相同工作状态下,双MCP的辐射增益是单MCP的100倍,这一现象与日本Hamamatsu公司报道的数据十分吻合。单MCP紫外像增强器,阴极饱和电压在300V附近,而双MCP紫外像增强器,阴极电压在300V附近未见饱和现象出现。单MCP和双MCP紫外像增强器中MCP的工作电压分别为800和1100V。此研究有助于探讨双MCP紫外像增强器的合适工作参数,对提高紫外辐射探测成像技术具有十分重要的意义。 展开更多
关键词 辐射增益 双微通道板 紫外 像增强器
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基于EDXRF技术茶叶中金属元素检测方法研究 被引量：3
15
作者 秦旭磊 李野 +4 位作者 宋忠华 王国政 李珅 单高峰 端木庆铎 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1068-1071,共4页
能量色散X射线荧光光谱（EDXRF）法作为化学元素分析的一种检测手段,被广泛应用于地质勘测、工矿石油、生化医疗及刑侦考古等各行各业,它是户外现场检测与分析的首选方法之一。利用EDXRF法检测茶叶中金属元素含量,对环境条件要求低,且... 能量色散X射线荧光光谱（EDXRF）法作为化学元素分析的一种检测手段,被广泛应用于地质勘测、工矿石油、生化医疗及刑侦考古等各行各业,它是户外现场检测与分析的首选方法之一。利用EDXRF法检测茶叶中金属元素含量,对环境条件要求低,且无需对茶叶样品进行化学处理。实验检测发现,用该方法分析茶叶中金属元素时,有效X射线荧光光子能量段在3~16keV之间,故校正光谱元素选择位于能量中心位置（8keV）附近的铜元素,并用铜元素定标做标准曲线,在茶叶有效X射线荧光光子能量段中,通过样品加标方法分析铜、铁、锌、铅四种元素,求得平均检出限为1.25mg·kg^-1。在检测茶叶中金属元素的化学方法中,选用火焰原子吸收法测得茶叶中金属元素含量作为标准值,比较得出,EDXRF法测得数值实际相对误差小于6%,相对标准偏差小于5%,经过t检验,p〉0.05,说明EDXRF法与火焰原子吸收法在统计学上没有显著差异,两种方法所测结果吻合。结果表明,EDXRF法检测茶叶中金属含量的方法是可行的,结果满足现场检测分析需求。 展开更多
关键词 能量色散X射线荧光光谱 检出限 能量区间 相对标准偏差
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TiO_2/MoO_3复合薄膜的制备及其电致变色性能研究 被引量：3
16
作者 亢嘉琪 杨继凯 +3 位作者 杨馥瑜 陈张笑雄 王国政 端木庆铎 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期69-77,共9页
在导电玻璃上水热生长TiO_2纳米线,随后利用电沉积技术涂覆MoO_3薄膜,制备出TiO_2/MoO_3复合薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜表征证实了TiO_2/MoO_3复合薄膜的形成.利用电化学测试方法,在LiClO_4/PC溶液中对Li+的注入/抽出进行了研... 在导电玻璃上水热生长TiO_2纳米线,随后利用电沉积技术涂覆MoO_3薄膜,制备出TiO_2/MoO_3复合薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜表征证实了TiO_2/MoO_3复合薄膜的形成.利用电化学测试方法,在LiClO_4/PC溶液中对Li+的注入/抽出进行了研究,采用紫外可见分光光度计对薄膜着色、退色状态的光透过率进行测试.得到了切换时间、循环可逆性、光调制和着色效率等参数.对其电致变色性能进行分析,分析表明,与单一TiO_2和MoO_3薄膜的电致变色性能相比,复合薄膜的电致变色性能有明显增强.同时研究了不同厚度MoO_3薄膜对复合薄膜变色性能的影响,研究表明沉积6个循环MoO_3薄膜的TiO_2/MoO_3复合薄膜具有最佳的电致变色性能. 展开更多
关键词 薄膜 电致变色 电化学测试 光透射率 TIO2 MOO3
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金属UV光敏薄膜的实验研究 被引量：2
17
作者 吴奎 端木庆铎 +3 位作者 姜德龙 王国政 高延军 李野 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期650-653,共4页
介绍了金属Au和Al薄膜的制备方法,研究了其UV光电发射特性,并做了寿命实验,给出了在真空中以及放在大气中光电发射衰减的情况。指出了其在大气中达到一个稳定值之后,再反复多次暴露于干燥大气时仍存在一个稳定光电发射周期的特点,可长... 介绍了金属Au和Al薄膜的制备方法,研究了其UV光电发射特性,并做了寿命实验,给出了在真空中以及放在大气中光电发射衰减的情况。指出了其在大气中达到一个稳定值之后,再反复多次暴露于干燥大气时仍存在一个稳定光电发射周期的特点,可长达数月。金属薄膜有一个最佳膜层厚度,这与光电发射逸出深度、膜层结构等密切相关。近年来光电子成像器件发展非常迅速,急需光电发射均匀的面电子源,因此在微通道板的特性测试和像管的动态模拟中,Au和Al金属薄膜成为被优选的对象。 展开更多
关键词 金属UV光敏薄膜 光电发射 逸出深度 光电成像 窗口材料 薄膜制备 伏安特性 寿命实验
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金属醇盐水解法制备莫来石透明陶瓷薄膜的研究 被引量：5
18
作者 苏春辉 端木庆铎 +1 位作者 王艳 隋智通 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1997年第1期73-77,共5页
采用市售正硅酸乙酯及自制异丙醇铝，通过基于金属醇盐水解的溶胶－凝胶法，制备了ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３凝胶，并在远低于莫来石熔化温度下，烧制了透明莫来石陶瓷薄膜。使用Ｘ射线衍射，红外吸收光谱及核磁共振等现代测试手段，研究了... 采用市售正硅酸乙酯及自制异丙醇铝，通过基于金属醇盐水解的溶胶－凝胶法，制备了ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３凝胶，并在远低于莫来石熔化温度下，烧制了透明莫来石陶瓷薄膜。使用Ｘ射线衍射，红外吸收光谱及核磁共振等现代测试手段，研究了凝胶及其高温产物的晶型转变，振动光谱及铝离子的配位状态。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 莫来石 陶瓷薄膜 金属醇盐水解法
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微通道板离子壁垒膜及其特性 被引量：2
19
作者 姜德龙 吴奎 +5 位作者 王国政 李野 高延军 端木庆铎 富丽晨 田景全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期737-742,共6页
介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出采用X射线光电子能谱(XPS)进行成分分析的结果。介绍了离子壁垒... 介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出采用X射线光电子能谱(XPS)进行成分分析的结果。介绍了离子壁垒膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题。 展开更多
关键词 微通道板 离子壁垒膜 免污染成膜工艺 死电压 离子透过率
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新一代二维通道电子倍增器的薄膜连续打拿极 被引量：2
20
作者 李野 高延军 +5 位作者 王国政 付申成 吴奎 姜德龙 端木庆铎 田景全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期421-425,共5页
概述了传统还原铅硅酸盐玻璃微通道板(RLSG-MCP)及其特点以及MCP的新发展;介绍了材料的二次发射特性,给出了传统MCP薄膜连续打拿极结构特点和形成工艺。在此基础上,重点论述了用半导体工艺技术制作新一代二维电子倍增器———先进技术... 概述了传统还原铅硅酸盐玻璃微通道板(RLSG-MCP)及其特点以及MCP的新发展;介绍了材料的二次发射特性,给出了传统MCP薄膜连续打拿极结构特点和形成工艺。在此基础上,重点论述了用半导体工艺技术制作新一代二维电子倍增器———先进技术微通道板(AT-MCP)的薄膜连续打拿极制备新技术,给出了具体工艺和实验结果,示出了电镜照片和实验曲线,指出了新工艺的优点和发展前景。 展开更多
关键词 微通道板 连续打拿极 低压化学气相沉积 二次电子发射
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