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题名基于聚合物介质的低温硅硅键合研究
被引量：1
- 1
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作者
管朋
展明浩
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机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
中国兵器集团
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出处
《电子科技》
2014年第9期175-177,共3页
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文摘
聚合物低温键合技术是MEMS器件圆片级封装的一项关键技术。以苯并环丁烯(BCB)、聚对二甲苯(Parylene)、聚酰亚胺(Polyimide)、有机玻璃(PMMA)作为键合介质,对键合的温度、压力、气氛、强度等工艺参数进行了研究,并分析了其优缺点。通过改变Parylene的旋涂、键合温度、键合压力、键合时间等工艺参数进行了优化实验。结果表明,在230℃的低温键合条件下封装后的MEMS器件具有良好的键合强度(>3.600 MPa),可满足MEMS器件圆片级封装要求。
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关键词
低温键合
聚合物
键合强度
圆片级封装
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Keywords
low-temperature bonding
polymer
bonding strength
wafer-level packaging
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分类号
TN401
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究
被引量：5
- 2
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作者
刘方方
展明浩
许高斌
黄斌
管朋
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机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心
中国兵器工业集团北方通用电子集团有限公司
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第3期185-190,共6页
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基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2013AA041101)
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文摘
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂直度的影响。通过对ICP刻蚀的刻蚀∕钝化周期和极板功率参数进行正交实验,给出了通用槽宽分别为2,5和10μm时的优化工艺参数,成功实现了三个垂直度达(90±0.02)°、高深宽比≥10、侧壁光滑的深槽结构。将优化后的工艺参数用于某陀螺仪的刻蚀实验,获得了理想的刻蚀形貌。
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关键词
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
工艺参数
正交实验
过程优化
刻蚀垂直度
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Keywords
inductively coupled plasma （ICP） etching
process parameter
orthogonal experi-ment
process optimization
etching vertical degree
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名MEMS器件深腔金属引线制备工艺研究
被引量：2
- 3
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作者
王帆
刘磊
陈博
管朋
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机构
中国兵器工业第
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出处
《集成电路通讯》
2016年第2期21-24,共4页
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文摘
为解决在MEMS器件深腔结构中出现的引线断裂问题，提出了一种W／WNx／Cr／Au四层金属引线制作方法，解决了Au扩散和深腔结构中引线断裂的问题。通过选择喷胶法，选择最合适的光刻参数，解决深腔金属引线光刻难题，制备得到W／WNx／Cr／Au四层金属引线，该引线具有低电阻率、高稳定性等优点，完全满足MEMS器件引线连接要求。
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关键词
深腔结构
金属引线
喷胶
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分类号
TN605
[电子电信—电路与系统]
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题名MEMS器件刻蚀防反溅研究
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作者
宋东方
何凯旋
段宝明
丁艳丽
管朋
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机构
中国兵器工业第
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出处
《集成电路通讯》
2016年第2期25-29,共5页
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文摘
对在不同厚度二氧化硅下刻蚀离子对悬浮结构造成的反溅刻蚀损伤进行对比研究，获得了最优防反溅二氧化硅厚度。在最小和最大刻蚀尺寸一定的情况下，硅互连引线上热氧化生长厚度分别为2000A°、1000A°、600A°和400A°,的二氧化硅，通过刻蚀释放实验观察刻蚀后硅引线和悬浮结构背面形貌。可获得最优二氧化硅厚度为600A°，此时刻蚀离子对悬浮结构背面反溅刻蚀损伤最小。
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关键词
MEMS
反溅损伤
深反应离子刻蚀
二氧化硅
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分类号
TN325.3
[电子电信—物理电子学]
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题名对“恒大冰泉”品牌定位与传播的反思
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作者
刘昌华
管朋
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机构
武昌首义学院经济管理学院
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出处
《中国商论》
2017年第7期11-13,共3页
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文摘
本文依据品牌管理理论,结合恒大冰泉上市以来的营销实践,对其品牌定位与品牌传播进行了反思。分析认为恒大冰泉在品牌定位上存在着预设定位没有得到有效实施,而传播定位又混乱不清的问题;其品牌传播的广告在代言人的选择、源点人群的确定、广告用语等方面存在一些不当。基于这些反思,本文对企业的品牌建设提出了一些启示。
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关键词
恒大冰泉
品牌定位
品牌传播
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分类号
F713.8
[经济管理—广告]
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