基于半导体光放大器的可扩展型光开关矩阵 被引量：3

1

作者 缪庆元 胡振华 +2 位作者 王涛 黄德修 刘德明 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期288-292,共5页

未来的高速和高度灵活的光分组交换网络要求开关速度达到纳秒量级且集成度高的大规模空间光开关矩阵。在分析了基于半导体光放大器的常用结构形式的光开关矩阵存在规模局限性的基础上 ,综述了新型的可实现大规模集成的基于半导体光放大... 未来的高速和高度灵活的光分组交换网络要求开关速度达到纳秒量级且集成度高的大规模空间光开关矩阵。在分析了基于半导体光放大器的常用结构形式的光开关矩阵存在规模局限性的基础上 ,综述了新型的可实现大规模集成的基于半导体光放大器的光开关矩阵的基本原理和研究现状。 展开更多

关键词 大规模光开关矩阵 半导体光放大器 插入损耗 串扰 载流子注入 折射率变化

下载PDF 职称材料

SDH光接收模块及其接口电路的高速板设计 被引量：4

2

作者 缪庆元 黄德修 +1 位作者 唐义兵 张新亮 《光通信研究》 北大核心 1999年第2期36-42,共7页

SDH光接收模块具有高速高增益的特点，电路板设计的好坏是模块的性能指标能否实现的关键环节之一。为此，本文结合光接收模块的制作，从多个方面对高速板设计技术进行了详细的分析。并在充分运用高速板设计方法的基础上研制出高灵敏度... SDH光接收模块具有高速高增益的特点，电路板设计的好坏是模块的性能指标能否实现的关键环节之一。为此，本文结合光接收模块的制作，从多个方面对高速板设计技术进行了详细的分析。并在充分运用高速板设计方法的基础上研制出高灵敏度小型化SDH光接收模块。 展开更多

关键词 光接收模块 高速板设计 SDH 传输线 光纤通信

下载PDF 职称材料

集成双波导半导体光放大器小信号放大纵向特性

3

作者 缪庆元 何健 +2 位作者 何平安 王宝龙 黄德修 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期289-292,共4页

为了研究集成双波导半导体光放大器（ITG-SOA）小信号放大纵向特性,运用ITG-SOA静态分析模型进行了分析。结果表明,小信号放大时,ITG-SOA有源和无源波导间能够实现周期性光功率转移和完全的功率交换;与半导体光放大器中载流子浓度沿纵... 为了研究集成双波导半导体光放大器（ITG-SOA）小信号放大纵向特性,运用ITG-SOA静态分析模型进行了分析。结果表明,小信号放大时,ITG-SOA有源和无源波导间能够实现周期性光功率转移和完全的功率交换;与半导体光放大器中载流子浓度沿纵向单调下降明显不同,ITG-SOA有源波导中的载流子浓度沿纵向周期性摆动,且摆动幅度沿纵向逐渐加大;有源波导归一化层厚度、有效折射率和纵向传播常数等特性参量亦呈现出特有的纵向分布。这一结果对于深刻理解ITG-SOA小信号放大时的工作机理是有帮助的。 展开更多

关键词 集成光学 纵向分布特性 静态分析模型 集成双波导半导体光放大器

下载PDF 职称材料

兼顾增益与折射率变化的低偏振量子点材料研究

4

作者 缪庆元 吴子涵 《半导体光电》 CAS 北大核心 2020年第3期336-343,共8页

对比分析了InGaAs/InGaAsP柱状量子点材料TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随点区材料组分、垒区材料组分和量子点高宽比的变化特性,并剖析了其中的物理机理。进一步联合考虑点区和垒区组分变化对兼顾增益与折射率变化以及偏振相关性... 对比分析了InGaAs/InGaAsP柱状量子点材料TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随点区材料组分、垒区材料组分和量子点高宽比的变化特性,并剖析了其中的物理机理。进一步联合考虑点区和垒区组分变化对兼顾增益与折射率变化以及偏振相关性的影响,提出了一种多参数调配方法,并据此设计出在1550nm通信波段(1540~1560nm)内兼顾增益与折射率变化的低偏振量子点材料In0.97Ga0.03As/In0.76Ga0.24As0.52P0.48。最后通过分析,选定合适的工作载流子浓度。当载流子浓度为0.6×10^24 m^-3时,TE模和TM模的3dB谱宽交叠区面积分别为8.66×10^3和7.55×10^3nm/cm,增益和折射率变化的偏振相关性分别在3%和10%以内。研究结果有助于未来全光网络中关键器件的优化设计。 展开更多

关键词 量子点 增益 折射率变化 3dB谱宽交叠区面积 低偏振相关

原文传递

用时间平移矩阵方法对真空中V型三能级原子非线性光学性质的理论研究 被引量：2

5

作者 胡振华 陈俊 +1 位作者 缪庆元 黄德修 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期520-526,共7页

运用时间平移矩阵研究了真空中 V型三能级原子在外场作用下的非线性光学性质 ,具体推导了三阶偶极跃迁矩阵元随时间演化规律 .结果发现

关键词 非线性光学性质 V型三能级原子 真空耦合 时间平移矩阵 量子相干 量子光学

下载PDF 职称材料

非相干光时延四波混频中V型三能级原子的布居弛豫量子拍的理论研究 被引量：3

6

作者 胡振华 缪庆元 +1 位作者 陈俊 黄德修 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期407-411,共5页

对简并非相干光时延四波混频中布居弛豫量子拍的物理机制及产生过程进行了理论研究 ,并根据真空与原子耦合观点 ,具体分析讨论了两种情形的三宽带光脉冲作用于 V型三能级原子布居弛豫量子拍的形成过程和讯号特征 .经比较发现 。

关键词 简并四波混频 V型三级原子 真空耦合 布居驰豫 量子拍 非相干光时延四波混频 量子力学

下载PDF 职称材料

基于半导体光放大器交叉偏振调制的波长转换分析 被引量：2

7

作者 黄黎蓉 黄德修 缪庆元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期882-886,共5页

对半导体光放大器 (SOA)中光偏振态发生改变的原因和交叉偏振调制型波长转换进行了探讨和分析 .如果SOA具有偏振不灵敏增益 ,则波长转换效果与泵浦光的偏振态无关 ,而只与探测光的偏振态有关 ,而且当入射探测光的偏振与TE模振动方向成 4... 对半导体光放大器 (SOA)中光偏振态发生改变的原因和交叉偏振调制型波长转换进行了探讨和分析 .如果SOA具有偏振不灵敏增益 ,则波长转换效果与泵浦光的偏振态无关 ,而只与探测光的偏振态有关 ,而且当入射探测光的偏振与TE模振动方向成 4 5°夹角时 ,交叉偏振调制的效果最明显 .为了使转换效果更好 ,宜采用反相波长转换 ,SOA的自发辐射耦合因子 展开更多

关键词 半导体光放大器 波长转换 交叉偏振调制

下载PDF 职称材料

光纤通信中光接收机的前置放大器电路 被引量：1

8

作者 缪庆元 舒治安 《舰船电子工程》 1999年第1期35-39,共5页

本文对光纤通信中光接收机的三类前置放大器进行了分析。提出了改进前置放大器性能的措施,对光纤通信中使用最多的跨阻型前置放大器给出了两种改善噪声特性和动态范围的改进电路。文中最后列出了应用内置AGC跨阻型前置放大器研制的SDH... 本文对光纤通信中光接收机的三类前置放大器进行了分析。提出了改进前置放大器性能的措施,对光纤通信中使用最多的跨阻型前置放大器给出了两种改善噪声特性和动态范围的改进电路。文中最后列出了应用内置AGC跨阻型前置放大器研制的SDH光接收模块的性能指标。 展开更多

关键词 舰载 舰艇 光接收机 前置放大器 电路 光纤通信

全文增补中

拉锥光纤耦合的光放大器组件光损耗分析

9

作者 孔小健 黄德修 +1 位作者 刘德明 缪庆元 《海军工程大学学报》 CAS 2002年第4期68-70,80,共4页

介绍了拉锥光纤耦合的SOA组件的结构特点 ,并针对该结构计算分析了光耦合损耗的最小值 .为了进一步减小SOA组件的光耦合损耗 ,提出了不对称形式的拉锥光纤耦合的SOA组件结构 .这在原有的制作工艺技术条件下 ,可以将整个组件的光耦合损... 介绍了拉锥光纤耦合的SOA组件的结构特点 ,并针对该结构计算分析了光耦合损耗的最小值 .为了进一步减小SOA组件的光耦合损耗 ,提出了不对称形式的拉锥光纤耦合的SOA组件结构 .这在原有的制作工艺技术条件下 ,可以将整个组件的光耦合损耗降低 1dB . 展开更多

关键词 拉锥光纤耦合 半导体光放大器 组件 光损耗 SOA 光耦合 光纤通信

下载PDF 职称材料

量子阱材料折射率低偏振相关性研究 被引量：1

10

作者 罗世豪 缪庆元 《半导体光电》 CAS 北大核心 2021年第2期225-230,共6页

分析了阱宽、垒高和应变对量子阱材料TE模和TM模折射率的影响,并剖析了其中的物理机理。研究表明:对于量子限制效应带来的量子阱折射率偏振相关性,阱宽越小或垒高越高,折射率偏振相关性越大。压应变增大时,折射率偏振相关性增大,张应变... 分析了阱宽、垒高和应变对量子阱材料TE模和TM模折射率的影响,并剖析了其中的物理机理。研究表明:对于量子限制效应带来的量子阱折射率偏振相关性,阱宽越小或垒高越高,折射率偏振相关性越大。压应变增大时,折射率偏振相关性增大,张应变可以克服量子限制效应带来的折射率偏振影响。对于不同阱宽和垒高的量子阱,均存在合适的张应变量使折射率偏振相关性最小,且阱宽越小或垒高越高所需的张应变量越大。根据以上分析,提出量子阱材料折射率低偏振相关设计方法,并据此设计出C波段(1530~1565nm)内折射率低偏振相关(小于0.03)的量子阱材料In_(0.49)Ga_(0.51)As/In_(0.77)Ga_(0.23)As_(0.5)P_(0.5)。研究结果有助于优化设计光网络中关键器件。 展开更多

关键词 量子阱 折射率偏振相关 阱宽 垒高 应变

原文传递

双平板波导耦合器偏振特性研究

11

作者 骆意 缪庆元 +2 位作者 何平安 王宝龙 何秀贞 《光通信技术》 北大核心 2016年第2期40-42,共3页

分析了TE、TM模耦合差异、单波导光学限制因子随双平板波导耦合器相对折射率差的变化特性。进一步分析了耦合器偏振无关和偏振分离时,耦合差异受波导间距和波导宽度变化的影响,波导间距在一定范围内变化对耦合差异影响较小;波导宽度变... 分析了TE、TM模耦合差异、单波导光学限制因子随双平板波导耦合器相对折射率差的变化特性。进一步分析了耦合器偏振无关和偏振分离时,耦合差异受波导间距和波导宽度变化的影响,波导间距在一定范围内变化对耦合差异影响较小;波导宽度变化对耦合差异的影响在耦合器偏振无关时视相对折射率差的大小而定,在偏振分离时较大。 展开更多

关键词 双平板波导耦合器 相对折射率差 偏振无关 偏振分离

下载PDF 职称材料

多量子阱有效折射率偏振相关性研究

12

作者 姜德隆 缪庆元 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第4期781-785,共5页

分析了多量子阱材料各参数对其TE模和TM模有效折射率的影响。结果表明:阱数增多,多量子阱有效折射率降低,当量子阱数目大于3时,其有效折射率的变化不明显。垒厚增加,有效折射率略有降低。存在合适的张应变量使TE模和TM模有效折射率峰值... 分析了多量子阱材料各参数对其TE模和TM模有效折射率的影响。结果表明:阱数增多,多量子阱有效折射率降低,当量子阱数目大于3时,其有效折射率的变化不明显。垒厚增加,有效折射率略有降低。存在合适的张应变量使TE模和TM模有效折射率峰值波长接近的同时,折射率差值整体最小,偏振相关性最小。据此提出多量子阱材料有效折射率低偏振相关设计方法,并设计出C波段内(1530~1565 nm)折射率低偏振相关的InGaAs/InGaAsP多量子阱材料。研究结果有助于设计实用化的有效折射率低偏振相关量子阱材料。 展开更多

关键词 多量子阱 折射率偏振相关 量子阱数 垒厚 应变

原文传递

集成双波导半导体光放大器光开关实现波长转换的理论研究 被引量：1

13

作者 缪庆元 黄德修 +2 位作者 张新亮 余永林 洪伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期902-907,共6页

建立了基于集成双波导半导体光放大器的光开关(ITG-SOA-Switch)的理论分析模型.与半导体光放大器(SOA)的特性相比较表明,由于ITG-SOA-Switch合并了多种物理效应,故其静态增益饱和曲线在饱和功率点附近具有大幅度陡峭下降的独特性质.理... 建立了基于集成双波导半导体光放大器的光开关(ITG-SOA-Switch)的理论分析模型.与半导体光放大器(SOA)的特性相比较表明,由于ITG-SOA-Switch合并了多种物理效应,故其静态增益饱和曲线在饱和功率点附近具有大幅度陡峭下降的独特性质.理论分析和10Gbit/s波长转换模拟结果显示,恰当地选择输入抽运光的功率范围,ITG-SOA-Switch波长转换器输出转换光的消光比特性较之输入抽运光会有显著的改善. 展开更多

关键词 波长转换 半导体光放大器 集成双波导半导体光放大器 光开关

原文传递

兼顾量子阱材料增益与折射率变化的研究 被引量：2

14

作者 缪庆元 何秀贞 《光学与光电技术》 2017年第2期20-27,共8页

对比分析了量子阱材料增益谱及其折射率变化谱随阱宽、应变和载流子浓度的变化特性,在此基础上以两谱线3dB谱宽交叠区面积为度量,分析了各因素对兼顾材料增益与折射率变化的影响,并剖析了其中的物理机理。研究表明,两谱线3dB谱宽交叠区... 对比分析了量子阱材料增益谱及其折射率变化谱随阱宽、应变和载流子浓度的变化特性,在此基础上以两谱线3dB谱宽交叠区面积为度量,分析了各因素对兼顾材料增益与折射率变化的影响,并剖析了其中的物理机理。研究表明,两谱线3dB谱宽交叠区面积随阱宽的变化过程中存在一个极大值;引入压应变有利于增大交叠区面积;交叠区面积随载流子浓度单调增加的过程中存在一个转折点,在转折点之前增加迅速,在转折点之后增加放缓。基于以上影响规律,选取适当的阱宽与压应变量,在载流子浓度为3.0×10^(24) m^(-3)时,设计出的In0.583Ga0.417As/In0.817Ga0.183As0.4P0.6量子阱在C波段内可恰当地兼顾增益与折射率变化,两谱线3dB谱宽交叠区面积为3.7×10~4 nm/cm。 展开更多

关键词 量子阱 载流子导引 增益 折射率变化 3 dB谱宽交叠区面积

原文传递

载流子导引的折射率变化偏振相关性研究

15

作者 缪庆元 崔俊 +3 位作者 胡蕾蕾 何健 何平安 黄德修 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第20期503-507,共5页

分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响.综合调配以上参数得到1530—1570 nm波长范围内同时具有大的折射率变化量(10^(-2)量级)和折射率变化低偏振相关(10^(-4)量级)... 分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响.综合调配以上参数得到1530—1570 nm波长范围内同时具有大的折射率变化量(10^(-2)量级)和折射率变化低偏振相关(10^(-4)量级)的量子阱结构.研究表明,不同的调配参数组合可以得到同一波长范围内基本一致的折射率变化谱. 展开更多

关键词 折射率变化 载流子导引 偏振相关 量子阱

原文传递

混合应变多量子阱实现折射率变化低偏振相关的理论分析

16

作者 戴明 缪庆元 +3 位作者 何平安 王宝龙 何秀贞 骆意 《光学与光电技术》 2016年第2期64-69,共6页

考虑温度变化和载流子注入阱间分布不均匀性,给出求解量子阱材料折射率变化的理论分析模型。分析了量子阱应变量大小、阱宽、垒区材料组分和注入载流子浓度对TE模和TM模折射率变化的影响。设计出折射率变化低偏振相关的混合应变多量子... 考虑温度变化和载流子注入阱间分布不均匀性,给出求解量子阱材料折射率变化的理论分析模型。分析了量子阱应变量大小、阱宽、垒区材料组分和注入载流子浓度对TE模和TM模折射率变化的影响。设计出折射率变化低偏振相关的混合应变多量子阱结构,在0~40℃的温度范围,其折射率变化量在1 530~1 570nm波长范围内具有较大数值（6×10^-3）,且具有低的偏振相关性;当载流子浓度从1×10^24 m-3增大到3×10^24 m-3时,其折射率变化量在增大的同时,仍可在一定温度下保持低偏振相关。 展开更多

关键词 多量子阱 混合应变 折射率变化 载流子导引 偏振相关

原文传递

量子线材料折射率变化偏振相关性研究

17

作者 周熠 缪庆元 +1 位作者 何平安 王宝龙 《光学与光电技术》 2019年第3期60-65,共6页

有源区载流子浓度变化导引的折射率变化是许多新型光通信器件的工作机理,对量子线材料折射率变化偏振相关性的研究有利于改善器件的性能。首先分析了线区材料组分、垒区材料组分、柱状量子线直径和载流子浓度对量子线材料TE模和TM模折... 有源区载流子浓度变化导引的折射率变化是许多新型光通信器件的工作机理,对量子线材料折射率变化偏振相关性的研究有利于改善器件的性能。首先分析了线区材料组分、垒区材料组分、柱状量子线直径和载流子浓度对量子线材料TE模和TM模折射率变化的影响。以此为基础,提出了一种实现量子线材料折射率变化低偏振相关的多参数调配方法,并设计出C波段(1 530~1 565 nm)内折射率变化低偏振相关(<1%)的InGaAs/InGaAsP量子线材料,表明该多参数调配方法对量子线材料折射率变化低偏振相关的设计具有指导作用。 展开更多

关键词 量子线 载流子引导 折射率变化 偏振相关 多参数调配

原文传递

AlGaInAs多量子阱材料增益偏振相关性分析

18

作者 孙然 缪庆元 +1 位作者 何平安 余文林 《光学与光电技术》 2017年第3期44-48,共5页

考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布,给出AlGaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15~4... 考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布,给出AlGaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15~45℃温度范围,其模式增益具有低的偏振相关性(2%以内);当注入载流子浓度从2×10^(24) m^(-3)增大到3×10^(24) m^(-3)时,模式增益逐渐增大,且能在一定温度下保持低的偏振相关(3%以内)。 展开更多

关键词 AlGaInAs多量子阱 增益 低偏振相关 温度

原文传递

应变导引的SiO_(2)晶体折射率变化研究

19

作者 马婕 缪庆元 《光学与光电技术》 2021年第4期93-97,共5页

采用第一性原理方法,对SiO_(2)晶体带隙及折射率随应变的变化进行了研究,并进一步计算了不同应变时SiO_(2)的光弹性系数。结果表明,z轴方向的张应变增大时,SiO_(2)带隙减小;z轴方向的压应变增大时,SiO_(2)带隙先增大后减小,在压应变量... 采用第一性原理方法,对SiO_(2)晶体带隙及折射率随应变的变化进行了研究,并进一步计算了不同应变时SiO_(2)的光弹性系数。结果表明,z轴方向的张应变增大时,SiO_(2)带隙减小;z轴方向的压应变增大时,SiO_(2)带隙先增大后减小,在压应变量为2%时取得极大值。从张应变过渡到压应变的过程中,折射率逐渐增大。光弹性系数各分量随应变量变化具有不同变化趋势。该研究结果有助于相关器件的优化设计。 展开更多

关键词 SiO_(2)晶体 折射率 应变 带隙 非线性 光弹性系数

原文传递

兼顾增益和折射率变化的低偏振混合应变多量子阱结构研究

20

作者 彭辉 缪庆元 《光学与光电技术》 2020年第3期111-118,共8页

对比分析了单量子阱TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随应变、阱宽的变化规律,同时分析了应变和阱宽对兼顾增益和折射率变化的影响。进一步考虑波导的光学限制因子及多量子阱阱间载流子浓度分布的不均匀性,提出一种多参数调配方法,据... 对比分析了单量子阱TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随应变、阱宽的变化规律,同时分析了应变和阱宽对兼顾增益和折射率变化的影响。进一步考虑波导的光学限制因子及多量子阱阱间载流子浓度分布的不均匀性,提出一种多参数调配方法,据此设计出C波段内兼顾增益谱和折射率变化谱的低偏振混合应变多量子阱结构。最后,通过分析选定合适的载流子浓度。当载流子浓度为3.22×1024m-3时,TE模和TM模3 dB谱宽交叠区面积分别为84.81 nm/cm和74.50 nm/cm,增益偏振相关性和折射率偏振相关性分别保持在4%和6%以内。该研究结果有助于未来全光网络中相关器件的优化设计。 展开更多

关键词 混合应变多量子阱 载流子导引 增益 折射率变化 3 dB谱宽交叠区面积 低偏振相关

原文传递