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题名一种低静态电流瞬态增强型无片外电容LDO
被引量：1
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作者
罗伟淞
朱梓杰
卢杨
王少昊
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机构
福州大学-晋江微电子研究院
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出处
《中国集成电路》
2023年第4期66-72,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(12345678)
上海市自然科学基金(xxxxxxx)。
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文摘
低压差线性稳压器(LDO)具有低功耗、瞬态响应性能好、电源噪声抑制比高、结构简单等优势,被广泛地应用在物联网、生物医疗、便携式设备等领域。无片外负载电容型LDO无需外接大容量负载电容,易于片上集成,是当前LDO技术发展的主要方向之一。但是,随着等效电容的减小,无片外电容型LDO在设计上难以同时满足低静态电流和高瞬态响应的要求。本文基于低静态电流优先的设计思路,采用SMIC 180 nm CMOS工艺设计了一种具有双向动态偏置推挽级误差放大器的瞬态增强型无片外电容LDO,仅需微安级的静态电流即可实现高压摆率并足以驱动调整管。在此基础上,该LDO采用基于衬底偏置效应的瞬态增强电路,在无需消耗额外功率和引入旁路电容的同时,进一步降低了输出端过冲电压幅度,在实现低功耗的同时提升了整体瞬态响应性能。仿真结果表明,设计的LDO在1.2 V电源电压下可以获得稳定的1 V输出,在1 kHz下,其电源抑制比达到了-72 dB;当负载电流在50μA~100 mA区间时可实现1.69μA的静态电流、0.019 mA/mV的负载调整率、2.5μs的恢复时间和小于200 mV的过冲电压。
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关键词
低静态电流
瞬态增强
无电容型LDO
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Keywords
Low-quiescent current
Transient response enhancement
Capless LDO
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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