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适合硅微机械系统(MEMS)的集成驱动结构──铝硅双金属膜片 被引量：3
1
作者 战长青 罗台秦 +1 位作者 刘理天 钱佩信 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期441-447,共7页
双金属效应是一种基本的物理效应，这一效应在硅微机械装置上的应用，有力地弥补了硅材料不具备压电效应，电信号难以直接转换为机械驱动力的缺陷。本文将介绍我们研制的铝硅双金属膜片．膜片尺寸为4mm×4mm×（20μm单晶硅＋10... 双金属效应是一种基本的物理效应，这一效应在硅微机械装置上的应用，有力地弥补了硅材料不具备压电效应，电信号难以直接转换为机械驱动力的缺陷。本文将介绍我们研制的铝硅双金属膜片．膜片尺寸为4mm×4mm×（20μm单晶硅＋10μm金属铝）．实验和分析结果表明，铝硅双金属膜片具有优越的力学特性，能提供足够大的动力和位移。这种集成的单片驱动结构不仅在材料及工艺上与IC工艺完全兼容，而且通过调整有关结构参数及工艺参数，可使该结构在5伏电压下稳定工作，为实现硅微机械系统（MEMS）奠定了基础．这种驱动方式是目前制造微阀门、微流量泵等需要大动力、大位移的硅微机械及其系统的理想驱动结构． 展开更多
关键词 硅 微机械系统 MEMS 集成驱动结构 双金属效应
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SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟 被引量：2
2
作者 王煜 张鹏飞 +2 位作者 侯东彦 钱佩信 罗台秦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期30-34,共5页
本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速... 本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。 展开更多
关键词 计算机模拟 SOI/MOS器件 I-V特性 场效应晶体管
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全耗尽SOI　MOSFET的阈电压的解析模型 被引量：2
3
作者 付军 田立林 +1 位作者 钱佩信 罗台秦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期48-52,共5页
本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理... 本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理意义明确等优点。本模型的建立对于全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ电路模拟、器件物理特性研究及相关的工艺设计是很有意义的。 展开更多
关键词 全耗尽 SOI MOSFET 阈电压 场效应器件
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红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制
4
作者 张鹏飞 侯东彦 +2 位作者 杨景铭 钱佩信 罗台秦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期737-740,共4页
本文在研究多晶薄膜熔化前沿推进行为的基础上，指出ＳＯＩ晶膜形貌缺陷的产生与固液界面的温度梯度有密切关系，从而提出了一种通过减小石墨条与样品间距以抑制缺陷产生的措施．
关键词 SOI 再结晶 熔化 形貌缺陷 多晶硅 薄膜
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熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高
5
作者 张鹏飞 侯东彦 +2 位作者 杨景铭 钱佩信 罗台秦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期84-87,共4页
本文研究了多晶硅薄膜在红外熔区再结晶过程中熔化和固化前沿不同的推进行为，指出为了提高再结晶质量，熔区两侧对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求，据此提出了一种兼顾熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术，成功地制备了... 本文研究了多晶硅薄膜在红外熔区再结晶过程中熔化和固化前沿不同的推进行为，指出为了提高再结晶质量，熔区两侧对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求，据此提出了一种兼顾熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术，成功地制备了高质量的ＳＯＩ晶膜． 展开更多
关键词 区熔再结晶 SOI晶膜 再结晶 硅
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900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性 被引量：4
6
作者 张进书 金晓军 +6 位作者 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 罗台秦 杨增敏 黄杰 梁春广 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期284-286,共3页
本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下，ＳｉＧｅ异质结双... 本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下，ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时，连续波输出功率为５Ｗ，集电极转化效率为６３％，功率增益为７．４ｄＢ． 展开更多
关键词 双极晶体管 功率特性 异质结
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超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p^+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析 被引量：1
7
作者 张进书 金晓军 +1 位作者 钱佩信 罗台秦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期394-396,共3页
本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋Ｓｉ... 本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但在ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ上外延生长Ｓｉ时，无此现象产生．此薄层是由在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时硼原子聚集在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处形成的高掺杂薄层．高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的ＢＣ结的正向导通电压． 展开更多
关键词 UHVCVD 硅 外延生长 锗化硅
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准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
8
作者 张进书 钱伟 +9 位作者 陈培毅 钱佩信 罗台秦 王于辉 孙同乐 王庆海 高颖 梁春广 冯明宪 林其渊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期798-800,共3页
本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨ... 本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ． 展开更多
关键词 异质结 双极晶体管 锗化硅 HBT
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