Cr/Cu/Ag/Cu/Cr新型银基复合薄膜电极的防氧化性能研究 被引量：3

1

作者 翁卫祥 贾贞 +2 位作者 于光龙 李昱 郭太良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期381-385,共5页

采用直流磁控溅射技术和光刻工艺制备了Cr/Cu/Ag/Cu/Cr复合薄膜及其电极,研究不同温度热处理对复合薄膜和电极结构、表面形貌和电性能的影响。Ag层与最外层的Cr层之间的Cu层不仅增强了Cr和Ag之间的粘附力,而且起到了牺牲层和氧气阻挡层... 采用直流磁控溅射技术和光刻工艺制备了Cr/Cu/Ag/Cu/Cr复合薄膜及其电极,研究不同温度热处理对复合薄膜和电极结构、表面形貌和电性能的影响。Ag层与最外层的Cr层之间的Cu层不仅增强了Cr和Ag之间的粘附力,而且起到了牺牲层和氧气阻挡层的作用;Cr和Cu对Ag的双重保护使得薄膜电极在温度小于500℃时电阻率保持较为稳定,约为3.0×10-84.2×10-8Ω·m之间。然而由于电极表面氧化和边沿氧化的共同作用,薄膜电极的电阻率在热处理温度超过575℃出现了显著的上升。尽管如此,Cr/Cu/Ag/Cu/Cr薄膜电极仍然是一种能够承受高温热处理并且保持较低电阻率的新型电极,满足场发射平板显示器封接过程中的热处理要求。 展开更多

关键词 Cr/Cu/Ag/Cu/Cr薄膜 薄膜电极 表面形貌 防氧化性能

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Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极的防氧化性能 被引量：2

2

作者 翁卫祥 于光龙 +2 位作者 贾贞 李昱 郭太良 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期183-187,共5页

采用Al作为Cu导电层的主要防氧化保护层,在普通浮法玻璃上利用磁控溅射和湿法刻蚀技术制备Cr/Cu/Al/Cr复合薄膜及其电极,研究不同的热处理温度对复合薄膜及其电极的结构、表面形貌和导电性能的影响。由于有Al层作为保护层,在热处理过程... 采用Al作为Cu导电层的主要防氧化保护层,在普通浮法玻璃上利用磁控溅射和湿法刻蚀技术制备Cr/Cu/Al/Cr复合薄膜及其电极,研究不同的热处理温度对复合薄膜及其电极的结构、表面形貌和导电性能的影响。由于有Al层作为保护层,在热处理过程中,Al先与穿过Cr保护层的氧进行反应,从而可以更有效地保护Cu膜层在较高的温度下不被氧化,所制备的薄膜在经过600℃的热处理之后仍然具有较好的导电性能。而对于Cr/Cu/Al/Cr电极,侧面裸露的金属层在热处理过程中的氧化是其导电性能逐渐下降的主要原因,退火温度超过500℃之后,电极侧面裸露部分的氧化范围不断往电极的中间扩散,导致了薄膜电极导电性能显著恶化。虽然如此,Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极在430℃附近仍然具有较好的导电性能,电阻率为7.3×10-8Ω.m,符合FED薄膜电极的要求。以此薄膜电极构建FED显示屏,通过发光亮度均匀性的测试验证了Cr/Cu/Al/Cr电极的抗氧化性。 展开更多

关键词 Cr/Cu/Al/Cr薄膜 薄膜电极 表面形貌 防氧化性能

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热处理对ATO/Ag/ATO/Cr薄膜电极结构和电性能的影响 被引量：1

3

作者 翁卫祥 马靖 +1 位作者 许灿华 吕佩伟 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2018年第11期45-48,共4页

利用磁控溅射和湿法刻蚀技术在玻璃基底上制备ATO/Ag/ATO/Cr复合薄膜及其电极,研究不同热处理温度对薄膜电极结构、表面形貌以及电学性能的影响。由于ATO (Sb掺杂SnO2)和Cr的共同保护作用,不仅有效阻挡氧气向电极表面扩散造成Ag的氧化,... 利用磁控溅射和湿法刻蚀技术在玻璃基底上制备ATO/Ag/ATO/Cr复合薄膜及其电极,研究不同热处理温度对薄膜电极结构、表面形貌以及电学性能的影响。由于ATO (Sb掺杂SnO2)和Cr的共同保护作用,不仅有效阻挡氧气向电极表面扩散造成Ag的氧化,同时抑制Ag薄膜在高温下的表面凝聚现象,使得薄膜电极在550℃空气退火后,仍然具有较低的电阻率,为23 nΩ·m,且经过600℃的高温处理后依然具有较好的导电性能。因此,选择一定厚度的ATO作为Ag的保护层能显著提高Ag基薄膜电极在热处理过程中的抗氧化性。单项试验结果表明,此厚度30～60 nm为宜。 展开更多

关键词 ATO/Ag/ATO/Cr薄膜电极 表面形貌 抗氧化性 电学性能

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牛顿环中心暗斑对曲率半径测量的影响及实验改进 被引量：4

4

作者 翁卫祥 马靖 +1 位作者 许灿华 吕佩伟 《大学物理实验》 2019年第5期44-46,共3页

牛顿环中心暗斑的大小对测量得到的平凸透镜曲率半径存在较大的影响,针对这一问题,本文分析了其原因并对牛顿环装置进行改进。通过在平凸透镜与平板玻璃之间增加一环形薄垫圈,使得两者之间的接触面积显著减小,得到干涉圆环中间的暗斑也... 牛顿环中心暗斑的大小对测量得到的平凸透镜曲率半径存在较大的影响,针对这一问题,本文分析了其原因并对牛顿环装置进行改进。通过在平凸透镜与平板玻璃之间增加一环形薄垫圈,使得两者之间的接触面积显著减小,得到干涉圆环中间的暗斑也明显变小。利用改进后的装置测量得到的曲率半径接近参考值。研究结果表明增加垫圈的方法行之有效且易实现,能够减小因暗斑大小不一致造成实验结果数据的分散性,改善教学效果。 展开更多

关键词 牛顿环 中心暗斑 环形薄垫圈 物理实验

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Ru掺杂Sn基氧化物电极的第一性原理计算 被引量：10

5

作者 刘雪华 邓芬勇 +3 位作者 翁卫祥 王欣 林玮 唐电 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1333-1338,共6页

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似,研究Ru掺杂SnO_2形成的Sn_(0.875)Ru_(0.125).O_2复合氧化物电极的晶体结构和电子结构,比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明:Ru掺杂后SnO_2的晶胞... 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似,研究Ru掺杂SnO_2形成的Sn_(0.875)Ru_(0.125).O_2复合氧化物电极的晶体结构和电子结构,比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明:Ru掺杂后SnO_2的晶胞体积缩小,复合氧化物电极的能带结构、电子态密度和载流子浓度均发生显著变化,导致材料的导电类型呈现近金属特性,揭示Ru掺杂后SnO_2导电性能显著增强的原因是导带底附近形成的杂质能级的贡献。 展开更多

关键词 Sn基氧化物 Ru掺杂 第一性原理计算 电子结构 导电性能

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中频磁控反应溅射AlN薄膜及微观结构研究 被引量：3

6

作者 陈勇 袁军林 +3 位作者 段丽 杨雄 翁卫祥 郭太良 《真空》 CAS 北大核心 2010年第1期34-38,共5页

采用中频磁控反应溅射工艺进行了氮化铝薄膜的制备,对沉积速率、晶体结构和表面形貌与氮气流量和溅射功率之间的变化关系进行了研究。结果表明,通过调节N2流量和溅射功率选择性地获得非晶态和沿着c轴方向择优生长的晶态AlN薄膜。在化合... 采用中频磁控反应溅射工艺进行了氮化铝薄膜的制备,对沉积速率、晶体结构和表面形貌与氮气流量和溅射功率之间的变化关系进行了研究。结果表明,通过调节N2流量和溅射功率选择性地获得非晶态和沿着c轴方向择优生长的晶态AlN薄膜。在化合物沉积模式下,增加溅射功率和增加反应气体流量均有利于获得非晶态AlN薄膜,并且减小薄膜表面粗糙度,获得光滑的AlN薄膜,并采用薄膜生长原理对这种现象进行了解释。 展开更多

关键词 中频磁控反应溅射 氮化铝薄膜 沉积速率 晶体结构 表面粗糙度

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大学物理实验教学MOOCs建设的探索与实践 被引量：1

7

作者 马靖 吕佩伟 +1 位作者 施洋 翁卫祥 《福建轻纺》 2020年第9期10-13,共4页

通过“大学物理实验”课程MOOCs建设,使实验教学在时间、空间上得到无限延伸,让学生可以充分地学习并掌握实验教学内容,从而提高学生的学习效果,培养学生的创新思维。在MOOCs课程的教学中,探索并实践翻转课堂、线上线下相结合的混合式... 通过“大学物理实验”课程MOOCs建设,使实验教学在时间、空间上得到无限延伸,让学生可以充分地学习并掌握实验教学内容,从而提高学生的学习效果,培养学生的创新思维。在MOOCs课程的教学中,探索并实践翻转课堂、线上线下相结合的混合式教学模式,最大限度地发挥MOOCs的优势,提高了我校大学物理实验课程的教学质量,培养了学生自主学习的意识和创新能力,实现优质教育资源共享,促进了我校实验教学模式的变革。 展开更多

关键词 大学物理实验 MOOCs 创新思维

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ZnO:Sn/Ag/ZnO:Sn复合薄膜电极的防氧化性能研究

8

作者 李昱 袁军林 +3 位作者 翁卫祥 吴朝兴 贾贞 郭太良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期258-261,共4页

随着分辨率的提高,传统金属电极在电阻率和抗氧化性能方面已经不适合作为需要高温热处理的场致发射显示器件中的薄膜电极。本文采用5.77%(原子比)Sn掺杂的ZnO:Sn作为Ag层的保护层,利用磁控溅射法制备ZnO:Sn/Ag/ZnO:Sn复合薄膜及其电极,... 随着分辨率的提高,传统金属电极在电阻率和抗氧化性能方面已经不适合作为需要高温热处理的场致发射显示器件中的薄膜电极。本文采用5.77%(原子比)Sn掺杂的ZnO:Sn作为Ag层的保护层,利用磁控溅射法制备ZnO:Sn/Ag/ZnO:Sn复合薄膜及其电极,并采用X射线衍射、光学显微镜、扫描电子显微镜和电性能测试系统研究复合薄膜及其电极在经过不同温度退火后的晶体结构、表面形貌和电学性能的变化。ZnO:Sn膜层致密,25 nm厚的ZnO:Sn足以保护Ag层在530℃的高温中不被明显氧化,电极电阻率低达2.0×10-8Ω.m左右。 展开更多

关键词 ZnO:Sn 薄膜电极 抗氧化 电阻率

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Cu_2O氧气流量对ZnO-Cu_2O薄膜异质结特性的影响

9

作者 吕佩伟 翁卫祥 +1 位作者 施洋 马靖 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第4期25-28,共4页

利用磁控溅射法在BK-7玻璃基片上制备了ZnO-Cu_2O薄膜异质结。利用X射线衍射、分光光度计和范德堡方法分析了不同氧气流量对Cu_2O单层薄膜的结构、光学和电学性质的影响,并分析了不同氧气流量制备的Cu_2O对ZnO-Cu_2O异质结I-V特性的影... 利用磁控溅射法在BK-7玻璃基片上制备了ZnO-Cu_2O薄膜异质结。利用X射线衍射、分光光度计和范德堡方法分析了不同氧气流量对Cu_2O单层薄膜的结构、光学和电学性质的影响,并分析了不同氧气流量制备的Cu_2O对ZnO-Cu_2O异质结I-V特性的影响。研究结果表明:ZnO-Cu_2O薄膜异质结样品的I-V曲线具有二极管的整流特性,样品的正向阈值电压随着Cu_2O氧气流量的增加而增大。较大正向电流的样品(氧气流量为10.6 sccm)具有较小的串联电阻和泄露电阻,以及较大的载流子浓度。 展开更多

关键词 磁控溅射 氧化亚铜 氧气流量 薄膜 异质结 I-V特性

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中频磁控溅射AlN薄膜的电学性能研究

10

作者 贾贞 翁卫祥 +3 位作者 袁军林 张杰 李昱 郭太良 《光电子技术》 CAS 北大核心 2010年第2期122-126,共5页

利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能,并对该介质薄膜的导通机制进行了分析。结果表明,所制备的薄膜呈非晶态,5kW溅射功率下... 利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能,并对该介质薄膜的导通机制进行了分析。结果表明,所制备的薄膜呈非晶态,5kW溅射功率下制备的薄膜具有较好的表面结构,并具有较高的耐击穿场强,约为2.1MV/cm;结合理论分析发现,AlN在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制:低场强区服从欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主。 展开更多

关键词 ALN薄膜 中频反应磁控溅射 电学性能 导通机制

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Al/Ag/Al复合薄膜电极的抗氧化性和电性能研究 被引量：1

11

作者 林志龙 袁军林 +2 位作者 翁卫祥 杨雄 郭太良 《光电子技术》 CAS 北大核心 2009年第4期231-235,共5页

为开发大尺寸场发射显示器需要的能承受高温热处理的薄膜电极,以Al作为Ag层的保护层和与玻璃衬底的粘附层,采用直流磁控溅射制备了Al/Ag/Al复合薄膜及其电极。采用XRD、AFM、光学显微镜和电性能测试系统,研究不同温度热处理对复合薄膜... 为开发大尺寸场发射显示器需要的能承受高温热处理的薄膜电极,以Al作为Ag层的保护层和与玻璃衬底的粘附层,采用直流磁控溅射制备了Al/Ag/Al复合薄膜及其电极。采用XRD、AFM、光学显微镜和电性能测试系统,研究不同温度热处理对复合薄膜和电极结构、表面形貌和电性能的影响。由于表面致密的Al2O3膜的保护,使得加热退火(<600°C)不会对Al/Ag/Al薄膜和电极造成明显的氧化,然而Al层与Ag层发生的界面扩散和固相反应增大了电极的电阻率(从5.0×10-8Ω.m上升至23.6×10-8Ω.m)。另外热处理温度足够高时(500°C、600°C),Ag原子向表面的扩散一定程度上降低了电极的化学稳定性。尽管如此,与Cr/Cu/Cr薄膜电极相比Al/Ag/Al薄膜电极仍然是一种能够承受高温热处理并且保持较低电阻率的新型电极。 展开更多

关键词 Al/Ag/Al薄膜 薄膜电极 微观结构 界面化学反应

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氧气流量及烧结保温时间对ITO靶材的相含量与电阻率的影响

12

作者 池铭浩 翁卫祥 李强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期15-19,共5页

采用注浆成型法在不同烧结参数下制备ITO靶材,研究不同氧气流量及烧结保温时间对ITO靶材的相含量与电阻率的影响。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对ITO靶材的物相组成以及微观组织形貌进行表征,运用Rietveld法对样品XRD数据进行结... 采用注浆成型法在不同烧结参数下制备ITO靶材,研究不同氧气流量及烧结保温时间对ITO靶材的相含量与电阻率的影响。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对ITO靶材的物相组成以及微观组织形貌进行表征,运用Rietveld法对样品XRD数据进行结构精修以计算其相含量。研究结果表明:靶材均由主相(In_(2)O_(3)相)以及第二相(In_(4)Sn_(3)O_(12)相)组成。当氧气流量由40 L/min提高到160 L/min时,第二相含量由19.82%(质量分数,下同)逐渐增加到25.83%;当保温时间由6 h延长到12 h时,第二相含量由19.79%逐渐增加到31.27%。对不同氧气流量以及烧结保温时间下所制备的样品进行相对密度以及电阻率测定,结果表明,靶材密度是影响其电阻率的最主要因素,靶材的电阻率随着密度的增加而降低。靶材密度相近时,靶材相含量对其电学性能有较大的影响,此时靶材的电阻率随着第二相含量的增加而增大。 展开更多

关键词 ITO靶材 相含量 电阻率 Rietveld法精修

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电子束蒸发Al_2O_3/SiO_2复合薄膜电学性能的研究 被引量：3

13

作者 翁卫祥 贾贞 +2 位作者 于光龙 李昱 郭太良 《福州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期67-71,共5页

利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了Al2O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/... 利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了Al2O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80 nm/560 nm/80nm,复合薄膜的平均击穿场强为2.7 MV.cm-1,较好地满足FED后栅结构中对介质膜耐压特性的要求.结合理论分析发现,Al2O3/SiO2复合薄膜在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制,其低场强区服从准欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主. 展开更多

关键词 AL2O3 SIO2 复合薄膜 电子束蒸发 电学性能 导通机制

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脉冲激光沉积法制备的Ni_(1-x)Fe_xO稀磁半导体的结构和磁性研究 被引量：4

14

作者 翁卫祥 闫文盛 +6 位作者 孙治湖 姚涛 郭玉献 王峰 韦世强 张国斌 徐彭寿 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期5788-5792,共5页

利用脉冲激光沉积方法制备出了具有室温铁磁性的Ni1-xFexO(x=0.02,0.05)稀磁半导体.X射线衍射(XRD)结果表明Ni1-xFexO的晶体结构为NaCl结构,并且在Fe含量较高的Ni0.95Fe0.05O中出现了少量的α-Fe2O3物相.X射线吸收近边结构谱(XANES)和X... 利用脉冲激光沉积方法制备出了具有室温铁磁性的Ni1-xFexO(x=0.02,0.05)稀磁半导体.X射线衍射(XRD)结果表明Ni1-xFexO的晶体结构为NaCl结构,并且在Fe含量较高的Ni0.95Fe0.05O中出现了少量的α-Fe2O3物相.X射线吸收近边结构谱(XANES)和X射线光电子能谱(XPS)进一步表明了掺杂的Fe原子替代NiO晶格中Ni原子,并且样品中不存在能够诱导室温磁性的第二相.这些研究结果表明Ni1-xFexO的室温铁磁性是本征的. 展开更多

关键词 Ni(1-x)FexO XANES 脉冲激光沉积方法

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