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两种高空核爆电磁脉冲下电话机的效应异同性及概率分布 被引量:12
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作者 翟爱斌 谢彦召 +2 位作者 韩军 孙东阳 相辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1529-1533,共5页
利用分布式负载有界波电磁脉冲模拟器提供的电磁环境,试验研究了电话机在我国推荐的1976 HEMP和IEC61000-2-9推荐的1996 HEMP两种波形环境激励下的效应异同性,以及效应的概率分布,应用频谱分析和电磁范数对效应机制进行了分析。结果表明... 利用分布式负载有界波电磁脉冲模拟器提供的电磁环境,试验研究了电话机在我国推荐的1976 HEMP和IEC61000-2-9推荐的1996 HEMP两种波形环境激励下的效应异同性,以及效应的概率分布,应用频谱分析和电磁范数对效应机制进行了分析。结果表明:对于电话机通话中断效应,1996 HEMP要比1976 HEMP的效应阈值稍低,其效应的概率分布可用正态分布来拟合。 展开更多
关键词 高空核爆电磁 脉冲电话机 电磁脉冲模拟器 中断效应 概率分布
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单片机传输系统EMP损伤效应研究 被引量:4
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作者 翟爱斌 崔志同 +3 位作者 吴宏志 陈向跃 聂鑫 孙蓓云 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1201-1206,共6页
搭建了一套小型单片机数据传输系统,研究了电流注入环境下系统的电磁脉冲(EMP)敏感单元、损伤阈值,结合具体的电路结构,对系统失效原因进行了分析。实验结果表明,MAX232芯片是系统的EMP敏感单元,不同批次的器件其EMP损伤阈值不同。研究... 搭建了一套小型单片机数据传输系统,研究了电流注入环境下系统的电磁脉冲(EMP)敏感单元、损伤阈值,结合具体的电路结构,对系统失效原因进行了分析。实验结果表明,MAX232芯片是系统的EMP敏感单元,不同批次的器件其EMP损伤阈值不同。研究结果可为系统级EMP损伤效应研究提供实验方法及数据参考。 展开更多
关键词 电流注入 单片机系统 EMP 损伤效应
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直流固态继电器电磁脉冲失效模式实验研究 被引量:7
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作者 孙蓓云 陈向跃 +1 位作者 翟爱斌 毛从光 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1913-1915,共3页
采用电流注入法对某型直流固态继电器输入端与输出端的电磁脉冲损伤机制及失效模式进行了实验研究,结果表明:输入端注入电磁脉冲信号时,输出端会产生误动作,并可造成输入电路中三极管BE节产生短路损伤,导致输入端施加控制信号时输出端... 采用电流注入法对某型直流固态继电器输入端与输出端的电磁脉冲损伤机制及失效模式进行了实验研究,结果表明:输入端注入电磁脉冲信号时,输出端会产生误动作,并可造成输入电路中三极管BE节产生短路损伤,导致输入端施加控制信号时输出端无法导通;输出端注入电磁脉冲信号时,可造成输出电路中MOSFET管的栅极和漏极产生短路损伤,导致输出端短路。 展开更多
关键词 固态继电器 电磁脉冲 电流注入 失效模式
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电磁脉冲效应研究中的范数分析方法及应用 被引量:6
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作者 谢彦召 相辉 +4 位作者 翟爱斌 韩军 聂鑫 孙蓓云 孙东阳 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1287-1293,共7页
基于范数的方法表述电磁脉冲效应的敏感参数,能够以一种统一的数学表述方法来准确反应效应发生的物理原因,已经在国际上得到广泛应用。首先简要给出了1-、2-和∞范数的数学概念,然后在归纳已有研究的基础上,较为系统地在时域和频域分别... 基于范数的方法表述电磁脉冲效应的敏感参数,能够以一种统一的数学表述方法来准确反应效应发生的物理原因,已经在国际上得到广泛应用。首先简要给出了1-、2-和∞范数的数学概念,然后在归纳已有研究的基础上,较为系统地在时域和频域分别推荐给出多种范数及其衍生参数,可供具体开展效应实验时参考选用。最后,通过几个最近开展的电磁脉冲效应实验示例,进一步具体说明了范数在效应敏感参数表述中的应用。 展开更多
关键词 高空核电磁脉冲 高功率微波 敏感参数 范数 效应
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LDO稳压器电磁脉冲损伤阈值试验研究 被引量:4
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作者 崔志同 毛从光 +2 位作者 孙蓓云 翟爱斌 靳茗 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期423-425,共3页
针对低压差线性稳压器,采用接触式脉冲电流注入试验方法,研究电磁脉冲对集成半导体器件的损伤机理,并对试验数据进行统计分析。结果显示,该器件的电磁脉冲损伤阈值规律可以用Weibull分布函数较好地进行表征。
关键词 电磁脉冲 低压差线性稳压器 损伤阈值 WEIBULL分布
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静态随机存储器的电磁脉冲效应实验研究 被引量:2
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作者 韩军 谢彦召 +1 位作者 翟爱斌 姚志斌 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1423-1426,共4页
实验研究了静态随机存储器(SRAM)的电磁脉冲效应,重点研究存储器容量不同、不同脉冲宽度脉冲场激励以及存储器读写状态与否等情况下的效应规律,实验场强在2.5至40 kV/m之间。实验结果表明,存储器处于读写状态即片选有效时其效应更为严重... 实验研究了静态随机存储器(SRAM)的电磁脉冲效应,重点研究存储器容量不同、不同脉冲宽度脉冲场激励以及存储器读写状态与否等情况下的效应规律,实验场强在2.5至40 kV/m之间。实验结果表明,存储器处于读写状态即片选有效时其效应更为严重,存储器的翻转效应与存储容量大小、激励电磁脉冲的脉冲宽度关系不大,电磁脉冲的场强幅值是其主要的敏感参数。 展开更多
关键词 存储器 电磁脉冲 翻转 脉冲宽度存储容量
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让优质教育资源普惠广大学生——西安市大学区制和小升初改革探讨
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作者 朱洞风 +1 位作者 王晓露 翟爱斌 《陕西发展和改革》 2014年第3期17-20,共4页
西安市通过实施“大学区管理制”改革,结合出台民办学校“小升初”改革等措施,有效遏制了“奥数班”,缓解了“择校热”,促进了义务教育健康发展,但也存在一些困难和问题,亟待深入分析和解决。
关键词 改革探讨 大学区制 优质教育资源 西安市 大学生 “择校热” 民办学校 义务教育
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