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Tb掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag异质结的光敏特性研究 被引量:2
1
作者 翟章印 杜维嘉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1849-1853,共5页
采用脉冲激光沉积方法在低阻GaAs上制备了Tb掺杂的非晶碳膜(a-C∶Tb)/GaAs p-n结。利用Ag与GaAs之间的肖特基接触特性,构成了a-C∶Tb/GaAs p-n结与Ag/GaAs肖特基结的反向串联结构。该异质结具有红光敏感特性,室温在光强为45 mW/cm^2光... 采用脉冲激光沉积方法在低阻GaAs上制备了Tb掺杂的非晶碳膜(a-C∶Tb)/GaAs p-n结。利用Ag与GaAs之间的肖特基接触特性,构成了a-C∶Tb/GaAs p-n结与Ag/GaAs肖特基结的反向串联结构。该异质结具有红光敏感特性,室温在光强为45 mW/cm^2光照下的光灵敏度达到近1000。Tb掺杂大大提高了光灵敏度。 展开更多
关键词 Tb掺杂的非晶碳膜 GAAS 肖特基结 p—n结 光灵敏度
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高校实验室开放问题的一些思考 被引量:3
2
作者 翟章印 《黑龙江科技信息》 2016年第22期123-123,共1页
高校实验室是提高学生综合素质的重要场所,在学生能力培养中的作用越来越被重视。结合淮阴师范学院演示物理实验室开放的情况,对当前高校普遍存在的实验室开放过程中存在的问题提出了一些体会和建议。
关键词 实验室 开放 管理机制 改进措施
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外延生长的SrTiO_3/DyScO_3薄膜的微结构研究
3
作者 翟章印 吴小山 《淮阴师范学院学报(自然科学版)》 CAS 2009年第2期128-130,134,共4页
利用激光分子束外延技术在DyScO3(DSO)衬底上异质外延生长了SrTiO3(STO)薄膜.采用原位X射线衍射方法在20~300 K范围内测量了低温下薄膜的热膨胀系数;讨论了应变与晶格失配之间的关系.薄膜的晶格参数在80 K的异常变化可能预示着结构... 利用激光分子束外延技术在DyScO3(DSO)衬底上异质外延生长了SrTiO3(STO)薄膜.采用原位X射线衍射方法在20~300 K范围内测量了低温下薄膜的热膨胀系数;讨论了应变与晶格失配之间的关系.薄膜的晶格参数在80 K的异常变化可能预示着结构相变的存在.高分辨X射线衍射用来分析样品中存在的两种位错:剪切位错和螺旋位错.结果显示,总的螺旋位错密度要比剪切位错密度大得多.我们认为螺旋位错是样品生长过程中的主要缺陷;剪切位错密度随着样品厚度的增加而增加.这两种位错密度之间的比例关系决定了薄膜的生长模式. 展开更多
关键词 激光分子束外延 热膨胀系数 位错 生长模式
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SrTiO_3薄膜的掠入射X射线衍射研究
4
作者 翟章印 《淮阴师范学院学报(自然科学版)》 CAS 2011年第1期22-25,共4页
采用掠入射X射线衍射技术研究了外延SrTiO3薄膜面内晶格应变随着深度的分布.研究发现不管是较薄的还是较厚的薄膜其面内晶格应变随深度的分布都不是连续变化的,而是可以分为三个区域,即表面区、应变驰豫区、界面区.
关键词 掠入射X射线衍射 面内晶格参数 应变深度分布
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Er^3+单掺与Er^3+/Yb^3+共掺NBT-CT无铅压电陶瓷的上转换发光性能研究 被引量:2
5
作者 马春林 周越 +4 位作者 马晨宇 董倩文 吴瑾 范雨香 翟章印 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2021年第1期138-142,共5页
采用固相烧结法制备一系列Er^3+单掺与Er^3+/Yb^3+共掺0.96Na0.5Bi0.5TiO3-0.04CaTiO3(NBT-CT∶xEr^3+/y Yb^3+,x=0.002~0.015,y=0.010)无铅压电陶瓷。通过X射线衍射仪和荧光光谱仪分别对样品的物相结构和上转换发光特性进行表征和分析... 采用固相烧结法制备一系列Er^3+单掺与Er^3+/Yb^3+共掺0.96Na0.5Bi0.5TiO3-0.04CaTiO3(NBT-CT∶xEr^3+/y Yb^3+,x=0.002~0.015,y=0.010)无铅压电陶瓷。通过X射线衍射仪和荧光光谱仪分别对样品的物相结构和上转换发光特性进行表征和分析。结果表明,样品的主晶相为NBT晶相。在波长为980 nm的近红外光激发下,Er^3+单掺与Er^3+/Yb^3+共掺NBT-CT陶瓷均呈现强的以绿光为主的Er^3+特征上转换发光。在NBT-CT∶xEr^3+中,当x=0.010时上转换发光性能最佳;Yb^3+能够起到敏化作用,明显增强Er^3+的上转换发光强度。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 Na0.5Bi0.5TiO3 ER^3+/YB^3+ 固相烧结法 上转换发光
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Er3+掺杂0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3压电陶瓷的性能研究 被引量:1
6
作者 马春林 周越 +3 位作者 翟章印 王瑶 马晨宇 朱婉宁 《淮阴师范学院学报(自然科学版)》 CAS 2019年第3期228-232,共5页
采用传统固相烧结方法制备了Er^3+掺杂0.5Ba(Ti0.8Zr0.2)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3无铅压电陶瓷.考察了不同浓度Er^3+离子掺杂对其晶体结构和上转化发光性能的影响.XRD实验结果表明制备出的陶瓷样品均为纯的钙钛矿结构,且形成三方相和四... 采用传统固相烧结方法制备了Er^3+掺杂0.5Ba(Ti0.8Zr0.2)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3无铅压电陶瓷.考察了不同浓度Er^3+离子掺杂对其晶体结构和上转化发光性能的影响.XRD实验结果表明制备出的陶瓷样品均为纯的钙钛矿结构,且形成三方相和四方相的准同型相界.在980nm波长激发下,陶瓷显现出明显的上转化发光性能,有3个明显的Er^3+特征峰,分别位于528,550nm处绿光发射和661nm处红光发射;当Er^3+掺杂量x=0.015mol时,上转换发光性能达到最佳.该材料属于一种光-电多功能材料,即既具有上转换发光性能又具有铁电/压电性能.稀土掺杂0.5Ba(Ti0.8Zr0.2)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3固溶体的发光性能可以通过电场来调控. 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 固相烧结法 上转化发光性能 铁电性
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n型GaAs欧姆接触电极制备工艺
7
作者 左芬 翟章印 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第4期606-610,共5页
目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩... 目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500℃时可得到很小的比接触电阻率(10^(-6)Ω·cm^(2)),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗。退火温度低于400℃或高于500℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用。 展开更多
关键词 砷化镓 半导体 欧姆接触 金锗镍合金 电极材料 离子溅射 比接触电阻率
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以“课外趣味科研”辅助理工科教学的探究
8
作者 张佳 翟章印 《通化师范学院学报》 2015年第10期60-63,共4页
针对大学理工科相关课程中的一些理论知识较为抽象、学生对此类知识学习兴趣淡薄这一问题,尝试提出以"课外趣味科研"作为平台,灵活地将教材理论知识和相关科研实验相结合,通过学生在实验操作中直观的理解,发掘其对相应理论知... 针对大学理工科相关课程中的一些理论知识较为抽象、学生对此类知识学习兴趣淡薄这一问题,尝试提出以"课外趣味科研"作为平台,灵活地将教材理论知识和相关科研实验相结合,通过学生在实验操作中直观的理解,发掘其对相应理论知识的学习兴趣,从而增加其对知识点的理解深度,并达到学以致用的目的.作为示例,文章以"Ca10Na(PO4)7:Eu3+,Na+荧光粉材料的制备和发光性质研究"这一课题为基础,结合原子物理学及材料学中的能级跃迁、离子掺杂、X射线粉末衍射分析等理论,系统地阐述如何通过课外科研实践来辅助教学,实现理论与实践的有效结合,这些对相关课程的教学改进是一个很有价值的参考. 展开更多
关键词 辅助教学 课外趣味科研 荧光粉 发光性质
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Sm3+掺杂Na0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的发光性能及热稳定性研究 被引量:1
9
作者 马晨宇 马春林 +4 位作者 翟章印 程菊 周越 朱婉宁 王瑶 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第6期1094-1099,共6页
采用传统的固相烧结法,制备了一系列的Sm^3+掺杂Na0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷(NBT∶xSm^3+,0.005≤x≤0.04)。利用X射线衍射仪和荧光分光光度计分别对NBT∶xSm^3+陶瓷样品的物相结构和光致发光性能以及热稳定性进行了分析。结果表明,所... 采用传统的固相烧结法,制备了一系列的Sm^3+掺杂Na0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷(NBT∶xSm^3+,0.005≤x≤0.04)。利用X射线衍射仪和荧光分光光度计分别对NBT∶xSm^3+陶瓷样品的物相结构和光致发光性能以及热稳定性进行了分析。结果表明,所有样品均为纯的三方钙钛矿结构。样品的激发光谱在480nm有很强的激发峰,与蓝光LED芯片匹配。发射光谱包含位于563nm、597nm、645nm、709nm处的四个发射峰,分别归属于Sm^3+的4G5/2→6HJ/2(J=5、7、9、11)跃迁,其中发射主峰位于597nm,呈现橙红色发光。当Sm^3+含量为0.02mol时发光性能最佳。当温度范围在30~210℃之间时,NBT∶0.02Sm^3+陶瓷样品的发光性能具有良好的热稳定性. 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 Na0.5Bi0.5TiO3:Sm^3+ 光致发光 热稳定性
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磷/硼共掺杂纳米硅的微观结构与光电性质
10
作者 李东珂 陈佳明 +2 位作者 孙腾 翟章印 陈贵宾 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第1期35-41,共7页
采用射频(RF)等离子体增强化学气相沉积系统制备了硅/二氧化硅多层膜样品,在异质结限制性晶化作用下得到了尺寸均匀的磷/硼共掺杂纳米硅。通过拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了磷/硼共掺杂纳米硅/二氧化硅... 采用射频(RF)等离子体增强化学气相沉积系统制备了硅/二氧化硅多层膜样品,在异质结限制性晶化作用下得到了尺寸均匀的磷/硼共掺杂纳米硅。通过拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了磷/硼共掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜的微观结构和杂质的分布特点。低温电子顺磁共振(EPR)结果表明,磷、硼杂质可以改变纳米硅的表面化学结构并充分钝化表面处的非辐射复合缺陷。Hall效应测试发现磷和硼杂质可替位式地掺入到纳米硅的内部,且磷杂质具有更高的掺杂效率;通过改变磷硼杂质的掺杂比例可以调控纳米硅的导电类型和载流子浓度。在小尺寸磷/硼共掺杂纳米硅中获得了1 200 nm处满足光通信波段的近红外发光,并通过调控磷的掺杂浓度实现了近红外发光的增强。通过时间分辨荧光光谱测试,结合EPR结果探讨了磷掺杂对纳米硅内部辐射复合和非辐射复合过程的调控使1 200 nm发光增强的物理机制。 展开更多
关键词 纳米硅 掺杂 微结构 电子顺磁共振 霍尔效应 光致发光 光电性质
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应变SrTiO_3/GaAs异质结的整流特性研究
11
作者 杨万里 陈晓伟 +3 位作者 高玉婷 李杨 王严 翟章印 《淮阴师范学院学报(自然科学版)》 CAS 2014年第1期44-47,共4页
采用脉冲激光沉积法在P型GaAs基片上制备了缺氧的钛SrTiO3薄膜.X射线衍射测量证明SrTiO3薄膜外延生长.I-V曲线测量显示很好的整流性,说明该SrTiO3薄膜与GaAs形成p-n结.该结的电输运机制为应变导致的隧穿电流,且其电输运性质不受光照影响.
关键词 SRTIO3 GAAS P-N结 整流性
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半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜制备与检测
12
作者 杜维嘉 翟章印 +1 位作者 吉帅 藏婷玉 《大学物理》 北大核心 2017年第6期78-81,共4页
稳定的欧姆接触对半导体器件的正常工作起到至关重要的作用.目前市场上主要采用金/金锗镍合金作为n型GaAs的电极材料,工艺复杂,成本高昂.本文研究了一种新型的、廉价的适用于半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜及其制备过... 稳定的欧姆接触对半导体器件的正常工作起到至关重要的作用.目前市场上主要采用金/金锗镍合金作为n型GaAs的电极材料,工艺复杂,成本高昂.本文研究了一种新型的、廉价的适用于半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜及其制备过程,以便于读者对半导体器件的制备工艺和流程有所了解. 展开更多
关键词 半绝缘砷化镓 欧姆接触 光电导
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铝/铁掺杂的非晶碳/铝结构的电致电阻效应研究
13
作者 臧婷玉 吉帅 翟章印 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1711-1713,共3页
采用脉冲激光沉积方法在石英玻璃衬底上沉积铁掺杂的非晶碳膜(a-C∶Fe),然后使用真空热蒸发设备在膜上镀铝(Al)电极层,形成Al/a-C∶Fe/Al结构的器件。该器件在±5 V测试电压范围内显示出可逆电致电阻效应,具有较好的开关电压、开关... 采用脉冲激光沉积方法在石英玻璃衬底上沉积铁掺杂的非晶碳膜(a-C∶Fe),然后使用真空热蒸发设备在膜上镀铝(Al)电极层,形成Al/a-C∶Fe/Al结构的器件。该器件在±5 V测试电压范围内显示出可逆电致电阻效应,具有较好的开关电压、开关比等参数,可用作电阻型随机存储器。 展开更多
关键词 非晶碳 电致电阻 电阻型随机存储器
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Current-Induced Reversible Resistance Jumps in La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3 Microbridge
14
作者 翟章印 解其云 +2 位作者 陈贵宾 吴小山 高炬 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第5期71-74,共4页
Two spatially confined La0.8Ca0.2MnO3(LCMO) microbridges with different widths, starting from a single LCMO fihn (3mm×5 mm), are fabricated by optical lithography. A second new and robust metal-insulator tran... Two spatially confined La0.8Ca0.2MnO3(LCMO) microbridges with different widths, starting from a single LCMO fihn (3mm×5 mm), are fabricated by optical lithography. A second new and robust metal-insulator transition (MIT) peak at about 75K appears, in addition to the normal MIT at 180 K observed in the standard LCMO film. When the two bridges are processed by currents of high densities, interesting reversible resistance jumps are excited only around the new peak. A stronger dependence of resistance jump on current excitation is found for the bridge with a smaller width. The temperature driven transition between new excited multiple metastable states are involved to explain the interesting low-temperature ultra-sharp jumps. 展开更多
关键词 LCMO is on of in CA
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Integer Quantum Hall Effect in a Two-Orbital Square Lattice with Chern Number C=2 被引量:1
15
作者 郁华玲 翟章印 边心田 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第11期108-111,共4页
We investigate numerically the integer quantum Hall effect in a two-orbital square lattice. The Hall plateau σH=2(e^2/h) is well defined with the Chern number C=±2. With the increasing disorder, both the Hall ... We investigate numerically the integer quantum Hall effect in a two-orbital square lattice. The Hall plateau σH=2(e^2/h) is well defined with the Chern number C=±2. With the increasing disorder, both the Hall plateau and the gap of density of states decrease gradually in width, and finally the gap disappears before vanishing of the Hall plateau. Compared with the Hall plateau induced by the external magnetic field, the one in our system is more robust against disorder. We also find that the transition from the Hall plateau to zero Hall conductance becomes sharper by increasing the size of the system. 展开更多
关键词 HALL on IT IS by of in with
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二维三角格点系统中的拓扑陈数
16
作者 郁华玲 高雨 翟章印 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2018年第5期606-612,共7页
利用紧束缚模型对二维三角周期格点中各能带的陈数分布进行研究.通过严格对角化方法得到体系能量本征值和对应的本征态,再利用Kubo公式计算出量子化的霍尔电导、态密度及各扩展态对应的陈数.在傅里叶变换下将哈密顿量转换到k空间从而得... 利用紧束缚模型对二维三角周期格点中各能带的陈数分布进行研究.通过严格对角化方法得到体系能量本征值和对应的本征态,再利用Kubo公式计算出量子化的霍尔电导、态密度及各扩展态对应的陈数.在傅里叶变换下将哈密顿量转换到k空间从而得到体系的能谱分布.研究表明:次近邻格点之间的跳跃积分t’的不同取值影响体系各能带对应的陈数分布,计算得到当t’=1/2时体系三个能带从低到高对应的陈数分布为{-4,5,-1},t’=-1/2时其对应陈数分布变化为{2,-4,2},而t’=±1/4时对应的陈数分布都为{2,-1,-1}.同时发现:能谱帯隙的宽度和对应霍尔平台的宽度一致,并且k空间的能带越平坦,其对应的在霍尔电导跳跃处的态密度峰就越高越尖锐,而该处霍尔电导跳跃就越陡峭. 展开更多
关键词 整数量子Hall效应 拓扑陈数 Hall电导 态密度 严格对角化方法
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High resolution X-ray diffraction investigation of epitaxially grown SrTiO_3 thin films by laser-MBE
17
作者 翟章印 吴小山 贾全杰 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2009年第11期949-953,共5页
SrTiO3 thin films are epitaxially grown on DyScO3, LaAlO3 substrates with/without buffer layers of DyScO3 and SrRuO3 using laser-MBE. X-ray diffraction methods, such as high resolution X-ray diffraction, grazing incid... SrTiO3 thin films are epitaxially grown on DyScO3, LaAlO3 substrates with/without buffer layers of DyScO3 and SrRuO3 using laser-MBE. X-ray diffraction methods, such as high resolution X-ray diffraction, grazing incident X-ray diffraction, and reciprocal space mapping are used to investigate the lattice structure, dislocation density, in-plane lattice strain distribution along film thickness. From the measurement results, the effects of substrate on film lattice quality and microstructure are discussed. 展开更多
关键词 laser-MBE grazing incident X-ray diffraction reciprocal space mapping
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Microstructural stability of NiO-containing spin valves annealed at room temperature
18
作者 张爱梅 蔡宏灵 +3 位作者 翟章印 杜军 吴小山 贾全杰 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2009年第11期944-948,共5页
Microstructure of NiO-containing Co/Cu/Co spin valves (CCC-SV) annealed at room temperature for nearly four years has been studied by synchrotron radiation X-ray diffraction. With the annealing time expanding, the t... Microstructure of NiO-containing Co/Cu/Co spin valves (CCC-SV) annealed at room temperature for nearly four years has been studied by synchrotron radiation X-ray diffraction. With the annealing time expanding, the thickness of each sub-layer remains nearly unchanged while the interface roughness varies obviously compared with that of samples without annealing. The roughness at the interface of NiO/Co decreases with the annealing time increasing for both of the samples with NiO layer on the top (TSV) and under the bottom (BSV) of CCC-SV. On the other hand, the roughness at Co/Cu interface increases with the annealing time expanding for BSV while it decreases for TSV. These results indicate that the structure of TSV is more stable than that of BSV. 展开更多
关键词 interface roughness X-ray reflectivity spin valves
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