布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的性能 被引量：3

1

作者 肖绍泽 任万兴 +1 位作者 颜瑞菊 刘朝旺 《红外技术》 CSCD 1992年第6期1-5,共5页

本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。

关键词 碲镉汞 晶体生长 组分分布 寿命

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加速坩埚旋转布里奇曼法碲镉汞晶体生长 被引量：1

2

作者 肖绍泽 邵式平 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期301-304,共4页

叙述了采用加速坩埚旋转技术（ACRT）Bridgman方法生长碲镉汞晶体的原理和方法。用这种技术生长的碲镉汞晶体的纵向和横向组分均匀性比常规Bridgman生长方法有很大的改善，提高了用于制作平均探测率为8．0×1010cmHz1／2W－1的8元Sp... 叙述了采用加速坩埚旋转技术（ACRT）Bridgman方法生长碲镉汞晶体的原理和方法。用这种技术生长的碲镉汞晶体的纵向和横向组分均匀性比常规Bridgman生长方法有很大的改善，提高了用于制作平均探测率为8．0×1010cmHz1／2W－1的8元Sprite探测器的晶片可用率。 展开更多

关键词 加速坩埚旋转 红外探测器 材料 碲镉汞 晶体生长

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辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素 被引量：14

3

作者 普朝光 肖绍泽 张震 《质谱学报》 EI CAS CSCD 1997年第4期67-70,共4页

本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。

关键词 辉光放电质谱仪 痕量杂质 锗半导体 纯度

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辉光放电质谱仪直接测定超高纯镉中的痕量杂质元素 被引量：5

4

作者 普朝光 张震 肖绍泽 《红外与激光工程》 EI CSCD 1997年第3期40-43,共4页

首次在国内报道了一种在无标准样品存在时，用辉光放电质谱仪VG9000（英国VG公司）直接且快捷地定量测定超高纯金属镉中痕量杂质元素的方法。该方法可获得用其它仪器分析无法达到的技术参数，也可应用于冶金或半导体工业中超高纯金属和... 首次在国内报道了一种在无标准样品存在时，用辉光放电质谱仪VG9000（英国VG公司）直接且快捷地定量测定超高纯金属镉中痕量杂质元素的方法。该方法可获得用其它仪器分析无法达到的技术参数，也可应用于冶金或半导体工业中超高纯金属和半导体材料中痕量杂质元素的定量分析。 展开更多

关键词 辉光放电 质谱仪 镉 痕量元素 测定

原文传递

国外长波红外焦平面列阵现状 被引量：5

5

作者 邵式平 肖绍泽 邵康 《电子器件》 CAS 1998年第4期266-273,共8页

文中介绍了长波红外焦平面列阵的国外进展，这些列阵包括碲镉汞光电二极管、肖特基势垒器件、砷化镓／砷铝镓多量子阱光导体、高温超导体以及室温工作的焦平面列阵。

关键词 红外探测器 光伏 测辐射热计 热释电 焦平面列阵

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长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命 被引量：1

6

作者 邵式平 薛南屏 +3 位作者 肖绍泽 郭云成 庄维莎 邵康 《红外技术》 CSCD 北大核心 1999年第2期31-34,共4页

测量了３种不同生长方法（加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法）制备的长波红外蹄镉汞晶体（块晶）载流子寿命的温度变化关系，与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明，优质晶体中是... 测量了３种不同生长方法（加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法）制备的长波红外蹄镉汞晶体（块晶）载流子寿命的温度变化关系，与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明，优质晶体中是以带间碰撞复合为主。 展开更多

关键词 载流子寿命 复合机构 碲镉汞材料 SPRITE探测器

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生长MCT晶体的改进型Bridgman方法:ACRT-B 被引量：2

7

作者 刘朝旺 肖绍泽 《红外技术》 CSCD 1991年第1期11-16,共6页

本文介绍一种经改进的采用加速坩埚旋转技术的Bridgman方法(ACRT-B)及ACRT-B用于生长MCT晶体得到的重要结果。与传统Bridgman方法生长的晶体相比,ACRT-B生长的晶体的径向组份均匀性得到很大改善;有用组份的晶片较多;晶体的结晶度好;主... 本文介绍一种经改进的采用加速坩埚旋转技术的Bridgman方法(ACRT-B)及ACRT-B用于生长MCT晶体得到的重要结果。与传统Bridgman方法生长的晶体相比,ACRT-B生长的晶体的径向组份均匀性得到很大改善;有用组份的晶片较多;晶体的结晶度好;主晶粒数目减少。ACRT-B工艺中,影响晶体质量最重要的旋转参数是最大旋转速率,而保持在最大旋转速率的时间和停止时间及反向旋转对结果的影响都很小。 展开更多

关键词 红外探测器 MCT晶体 晶体生长

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GDMS法测定钢铁中的锰、铅等14种杂质元素 被引量：4

8

作者 普朝光 张震 +1 位作者 肖绍泽 陈云超 《云南冶金》 1997年第4期56-58,共3页

研究并报导了一种应用辉光放电质谱仪（ＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）直接测定钢铁中锰、铅等１４种杂质元素的分析方法，并进行了讨论。实验结果表明，该方法分辨率高，且具有多元素同时快速分析的功... 研究并报导了一种应用辉光放电质谱仪（ＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）直接测定钢铁中锰、铅等１４种杂质元素的分析方法，并进行了讨论。实验结果表明，该方法分辨率高，且具有多元素同时快速分析的功能。按此方法测得的ＢＣＳ／ＳＳ－ＣＲＭ标准钢样中锰、铅等１４杂质元素的所得结果与标准值相吻合，ＲＳＤ＜８％，可直接进行钢铁样品中锰、铅等１４种元素的定量分析。 展开更多

关键词 辉光放电质谱仪 杂质 钢铁材料 定量分析

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长波红外n-HgCdTe材料的电阻比值与载流子寿命关系

9

作者 邵式平 肖绍泽 王跃 《红外技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期19-20,41,共3页

少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实验数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有一定关系，电阻比值在2～6之间有较大的载流子寿命值，而电阻比值大于10的寿命... 少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实验数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有一定关系，电阻比值在2～6之间有较大的载流子寿命值，而电阻比值大于10的寿命值较小。 展开更多

关键词 载流子寿命 材料电阻 碲镉汞材料 红外探测器

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n型HgCdTe载流子双极迁移率测量

10

作者 邵式平 肖绍泽 尹敏 《红外技术》 CSCD 1995年第5期15-18,14,共5页

介绍了两种测量半导体材料载流子双极迁移率的原理和方法。用载流子漂移实验方法测量了ｎ型Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）材料在８０Ｋ时的双极迁移率，讨论了测量条件对双极迁移率的影响。

关键词 碲镉汞材料 双极迁移率 测试方法 小光点装置

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大直径钽酸锂晶体的提拉生长

11

作者 C. D. Brandle D. C. Miller 肖绍泽 《红外技术》 1979年第3期53-58,共6页

本文确定了用提拉法生长钽酸锂大直径单晶(直径7.8cm,长度21cm)所需要的条件,亦验证晶体生长方向和熔体温度分布对晶体中位错密度和位错分布的影响,从而找出晶体产生开裂的可能性。

关键词 晶体 相对位置 位错密度 籽晶 种晶 温度梯度 感应圈 提拉法 切克劳斯基法 钽酸锂

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