医用一次性防护服阻传染因子穿透性能评价

1

作者 刘克洋 冯岩 +4 位作者 张娟 牛悦 秦丹 黄永富 胡广勇 《医疗卫生装备》 CAS 2024年第5期16-21,共6页

目的:对医用一次性防护服的阻传染因子穿透性能进行评价,为GB 19082修订时该类性能指标的设置提供数据支持。方法:选择10批不同品牌型号的防护服,分别按照YY/T 0700—2008、YY/T 0689—2008、YY/T 0506.6—2009、GB 19082—2009、YY/T 0... 目的:对医用一次性防护服的阻传染因子穿透性能进行评价,为GB 19082修订时该类性能指标的设置提供数据支持。方法:选择10批不同品牌型号的防护服,分别按照YY/T 0700—2008、YY/T 0689—2008、YY/T 0506.6—2009、GB 19082—2009、YY/T 0506.5—2009和YY/T 1799—2020规定的方法进行抗合成血穿透、抗噬菌体穿透、阻湿态微生物穿透、颗粒过滤效率、阻干态微生物和阻污染液体气溶胶穿透实验。结果:10批次防护服中抗合成血穿透性能级别为2级、3级、4级、5级和6级的防护服各2批;抗合成血穿透性能为2级、3级、4级、5级和6级的防护服阻湿态微生物穿透性能均为最高级别6级,部分防护服抗噬菌体穿透性能级别低于抗合成血穿透性能级别;所有防护服样品颗粒过滤效率均较高(>95%),阻干态微生物穿透性能均为最高级3级;10批防护服中有5批阻污染液体气溶胶穿透性能为最高级3级,1批为2级,其余4批无法进行级别判定,但穿透后平均对数降低值均>4.5。结论:颗粒过滤效率和抗噬菌体穿透可作为GB 19082修订后的阻传染因子穿透性能要求,用于评价防护服材料对空气颗粒物和液体污染物中的微生物阻隔能力。 展开更多

关键词 医用一次性防护服 阻传染因子穿透性能 抗合成血穿透 抗噬菌体穿透 阻湿态微生物穿透 颗粒过滤效率 阻干态微生物穿透 阻污染液体气溶胶穿透

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YY 1881-2023《医用正压送风式呼吸器》标准解析

2

作者 刘克洋 黄永富 胡广勇 《医疗卫生装备》 CAS 2024年第8期1-6,共6页

介绍了YY 1881—2023《医用正压送风式呼吸器》的制定背景、制定过程中参考的国内外标准和相关产品性能指标设置情况,从适用范围、适用产品分类和标记及主要性能要求3个方面对标准进行了解析,为正确理解标准条款和产品研发、生产、检验... 介绍了YY 1881—2023《医用正压送风式呼吸器》的制定背景、制定过程中参考的国内外标准和相关产品性能指标设置情况,从适用范围、适用产品分类和标记及主要性能要求3个方面对标准进行了解析,为正确理解标准条款和产品研发、生产、检验等环节提供了参考。 展开更多

关键词 YY 1881—2023 医用正压送风式呼吸器 动力送风过滤式呼吸器 呼吸防护 个体呼吸防护装备 标准解析

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YY 1885—2023《传染病患者运送负压隔离舱》标准解析

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作者 刘克洋 黄永富 胡广勇 《医疗卫生装备》 CAS 2024年第8期12-15,共4页

介绍了YY 1885—2023《传染病患者运送负压隔离舱》的制定背景,从术语定义、适用范围及性能要求3个方面对标准进行了解析,为正确理解标准条款和产品研发、生产、检验等环节提供了参考。

关键词 YY 1885—2023 负压隔离舱 传染病 生物防护 生物防护装备 标准解析

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YY 1887—2023《医用正压防护服》标准解析

4

作者 刘克洋 黄永富 胡广勇 《医疗卫生装备》 CAS 2024年第8期7-11,共5页

介绍了YY 1887—2023《医用正压防护服》的制定背景和制定过程中参考的国内外标准,从适用范围、结构组成及主要性能要求3个方面对标准进行了解析,为正确理解标准条款和产品研发、生产、检验等环节提供了参考。

关键词 YY 1887—2023 正压防护服 生物防护 医用个体防护装备 标准解析

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沉积-扩散法制取Fe—6.5%Si薄板的织构研究 被引量：6

5

作者 胡广勇 左良 +2 位作者 武保林 王刚 梁志德 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期506-510,共5页

采用沉积-扩散法，将同步冷轧和异步冷轧的Fe-3％Si薄板渗成Si含量接近6．5％的高硅钢薄板.利用X射线衍射技术测定了渗Si样品的结构和Si含量，分析了不同工艺阶段作品的织构特征。研究结果表明，具有典型冷轧织构的Fe—3％Si薄板，渗Si... 采用沉积-扩散法，将同步冷轧和异步冷轧的Fe-3％Si薄板渗成Si含量接近6．5％的高硅钢薄板.利用X射线衍射技术测定了渗Si样品的结构和Si含量，分析了不同工艺阶段作品的织构特征。研究结果表明，具有典型冷轧织构的Fe—3％Si薄板，渗Si后形成以｛120｝〈001〉组分为主的η纤维织构，冷轧织构略有残留；经均匀化退火后，冷轧织构完全消失，在同步冷轧样品中｛120｝〈001〉组分有向｛130｝〈001〉组分转化的趋势，而异步冷轧样品其｛120｝〈001〉组分进一步增强。 展开更多

关键词 Fe-6.5%Si 薄板 沉积-扩散法 织构 异步冷轧

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CVD法制取Fe-6-5% Si薄板的扩散工艺计算机模拟 被引量：2

6

作者 胡广勇 武保林 +3 位作者 王刚 王轶农 左良 C.Esling 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期405-407,共3页

在分析 Ｃ Ｖ Ｄ 法渗 Ｓｉ 制备 Ｆｅ６５ ％ Ｓｉ 合金薄板的实际工艺要求基础上，择定了母材的 Ｓｉ含量、扩散温度及气氛浓度·利用计算机模拟研究了在所确定条件下对一定厚度样品实施单步扩散和两步扩散的最佳处理工艺
... 在分析 Ｃ Ｖ Ｄ 法渗 Ｓｉ 制备 Ｆｅ６５ ％ Ｓｉ 合金薄板的实际工艺要求基础上，择定了母材的 Ｓｉ含量、扩散温度及气氛浓度·利用计算机模拟研究了在所确定条件下对一定厚度样品实施单步扩散和两步扩散的最佳处理工艺·模拟计算结果与实验符合较好· 展开更多

关键词 CVD法 扩散 计算机模拟 硅钢 铁硅合金 薄板

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快凝速度对淬态Fe-6.5%Si薄带织构的影响 被引量：4

7

作者 胡广勇 左良 +1 位作者 程力智 梁志德 《金属功能材料》 CAS 1998年第5期207-209,共3页

用快凝的方法以不同的冷凝速度制备了Ｆｅ－６．５％Ｓｉ薄带。研究了快凝速度对制备态薄带晶粒取向的影响，研究结果表明，凝速较慢时样品为（００１）面织构，随冷速的增高，织构减弱。

关键词 薄带 织构 冷速 硅铁合金 变压器

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快凝Fe—3%Si薄带的织构及重位晶界特征分布的研究 被引量：2

8

作者 胡广勇 Penel.,R 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期615-620,共6页

615-616-617-618-619-620

关键词 硅钢片 再结晶 立方织构 CSL晶界 取向硅钢片

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CaO和NaCl焙烧混合稀土精矿过程中的分解反应 被引量：20

9

作者 吴文远 胡广勇 +2 位作者 孙树臣 陈旭东 涂赣峰 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期210-214,共5页

用XRD和TG DTA热分析技术,研究了含独居石和氟碳铈镧矿的混合稀土精矿在100～1000℃焙烧过程中,添加CaO,NaCl时,REPO4和REFCO3的分解反应。研究结果表明:不添加CaO和NaCl时,仅在377～450℃范围内存在REFCO3的分解反应,其产物是REOF,RE2... 用XRD和TG DTA热分析技术,研究了含独居石和氟碳铈镧矿的混合稀土精矿在100～1000℃焙烧过程中,添加CaO,NaCl时,REPO4和REFCO3的分解反应。研究结果表明:不添加CaO和NaCl时,仅在377～450℃范围内存在REFCO3的分解反应,其产物是REOF,RE2O3,以及Ce2O3进一步的氧化产物CeO2,而REPO4不分解;添加CaO后在660～750℃之间,CaO有3种分解作用:(1)CaO分解REPO4,其产物是RE2O3和Ca3(PO4)2。(2)CaO分解REOF,其产物是RE2O3和CaF2。(3)CaO和REOF的分解产物CaF2共同作用分解REPO4,其分解产物为RE2O3,Ca5F(PO4)3;添加CaO,NaCl后,混合精矿的分解率明显提高,NaCl的作用是为反应体系提供了液相,促进了固相反应物间的传质过程,加快了反应速度。与此同时NaCl还可能参加了CaO分解REPO4的反应。 展开更多

关键词 冶金技术 稀土精矿 分解反应 氧化钙 氯化钠 稀土

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CaO-NaCl体系焙烧混合稀土精矿的研究 被引量：13

10

作者 陈旭东 吴文远 +2 位作者 孙树臣 胡广勇 涂赣峰 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期32-35,共4页

采用TG-DTA热分析技术研究CaO-NaCl体系焙烧混合稀土精矿的分解过程。结果表明:添加CaO-NaCl后,混合稀土精矿的分解过程分为两个阶段,第一阶段在405℃～498℃区间主要是氟碳铈矿的分解,第二阶段在670℃～730℃区间主要是CaO和矿物中的Ca... 采用TG-DTA热分析技术研究CaO-NaCl体系焙烧混合稀土精矿的分解过程。结果表明:添加CaO-NaCl后,混合稀土精矿的分解过程分为两个阶段,第一阶段在405℃～498℃区间主要是氟碳铈矿的分解,第二阶段在670℃～730℃区间主要是CaO和矿物中的CaCO3分解独居石和稀土氟氧化物。并选择了焙烧温度、CaO加入量、NaCl加入量为影响因素,用二次正交回归实验设计方法研究了混合稀土精矿分解率随三因素而变化的规律,得出了相应的回归方程。通过分析讨论,得到了CaO-NaCl体系焙烧混合稀土精矿的合理工艺条件:温度780℃、CaO加入量15%(质量分数)、NaCl加入量10%(质量分数)。 展开更多

关键词 混合稀土精矿 焙烧 分解 CaO-NaCl

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菊池花样自动识别系统 被引量：3

11

作者 张希顺 孙丽虹 +3 位作者 刘安生 邵贝羚 胡广勇 吴志斌 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期645-645,共1页

关键词 菊池花样自动识别系统 HOUGH变换 电子背散射衍射花样 带宽 夹角 封闭三角形 菊池图像 直角坐标 内部处理流程

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立方织构Cu-Ni基带及缓冲层的研究 被引量：3

12

作者 史锴 杨坚 +4 位作者 刘慧舟 胡广勇 舒勇华 王晓华 袁冠森 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期166-168,178,共4页

系统研究了Cu Ni合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律 ,重复地获得了稳定的再结晶 { 0 0 1}<10 0 >立方织构。用表面氧化外延 (SOE)法生成了NiO(2 0 0 )薄膜。轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用 ;... 系统研究了Cu Ni合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律 ,重复地获得了稳定的再结晶 { 0 0 1}<10 0 >立方织构。用表面氧化外延 (SOE)法生成了NiO(2 0 0 )薄膜。轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用 ;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素。在获得了强立方织构Cu Ni合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽 (FWHM)≤ 10°) ,通过SOE方法得到了取向良好NiO(2 0 0 ) 展开更多

关键词 立方织构 Cu-Ni基带 缓冲层 铜-镍基带 超导体材料

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高弹钛合金板材的织构与弹性各向异性 被引量：3

13

作者 王超群 王宁 +3 位作者 庄卫东 沈剑韵 商顺利 胡广勇 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期123-127,共5页

采用X射线衍射分析技术 ,探讨了六方晶系合金板材弹性模量的计算方法。经不同退火工艺 (850～1 0 50℃ )的合金板材 ,其织构由 { 1 1 2 0 } (1 0 1 0 )转向 { 1 0 1 0 } (0 0 0 1 ) +{ 1 0 1 3}(0 0 0 1 )双重织构 ,对应的轧向弹性模量... 采用X射线衍射分析技术 ,探讨了六方晶系合金板材弹性模量的计算方法。经不同退火工艺 (850～1 0 50℃ )的合金板材 ,其织构由 { 1 1 2 0 } (1 0 1 0 )转向 { 1 0 1 0 } (0 0 0 1 ) +{ 1 0 1 3}(0 0 0 1 )双重织构 ,对应的轧向弹性模量由 1 0 7 7GPa变为 1 33 2GPa,该结果与实测值相吻合。 展开更多

关键词 高弹钛合金板材 织构 弹性各向异性 飞行器

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镍电极材料层错结构的X射线衍射分析 被引量：4

14

作者 王超群 王宁 +2 位作者 刑政良 吕光烈 胡广勇 《有色金属》 CSCD 2001年第2期83-86,共4页

β -Ni(OH) 2 的X射线衍射谱的基本特征是衍射线的选择宽化 ,它与晶粒内部的微结构特性如微晶尺寸参数和层错缺陷结构等有关。通过镍电极材料的全谱X射线分析区分这些微结构特性、测定层错概率 。

关键词 镍电极 层错结构 X射线衍射分析 碱性电池

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织构钛合金轧板定量相分析 被引量：2

15

作者 商顺利 沈剑韵 +2 位作者 胡广勇 王超群 王希哲 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期188-190,共3页

利用谐分析法所计算的全极图 ,结合X射线衍射所测不全极图数据 ,用极图法计算了轧制钛合金板材的相比例。极图法能校正织构对钛合金定量相分析的干扰。

关键词 织构 钛合金 极图 定量相分析

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X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比 被引量：1

16

作者 黎建明 屠海令 +3 位作者 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1187-1191,共5页

采用 X射线三轴晶衍射法 ,根据 As间隙原子对作为过量 As在 Ga As单晶材料中存在的主要形式的模型 ,可以无损、高精度测量半绝缘 Ga As单晶的化学配比 .并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系 ,对于制备高质量 Ga As单晶及其... 采用 X射线三轴晶衍射法 ,根据 As间隙原子对作为过量 As在 Ga As单晶材料中存在的主要形式的模型 ,可以无损、高精度测量半绝缘 Ga As单晶的化学配比 .并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系 ,对于制备高质量 Ga As单晶及其光电器件具有重要的意义 . 展开更多

关键词 X射线 晶格参数 化学配比 双晶衍射 三轴晶模式衍射 砷化镓

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GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响 被引量：1

17

作者 黎建明 屠海令 +3 位作者 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期933-936,共4页

用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响 .结果表明 :在高温退火条件下 ,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力 ,致使该区域范性形变 ,从而产生高密度的位错 .GaAs晶体中的刃型... 用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响 .结果表明 :在高温退火条件下 ,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力 ,致使该区域范性形变 ,从而产生高密度的位错 .GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动 ,聚集后可形成小角晶界 。 展开更多

关键词 GAAS 退火 小角晶界 三轴晶模式衍射

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Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨三轴晶X射线衍射 被引量：1

18

作者 马通达 屠海令 +2 位作者 胡广勇 邵贝羚 刘安生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1359-1363,共5页

运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对... 运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对称性给予了解释,同时阐明了高分辨三轴晶X射线衍射2θω扫描曲线中Si层(004)衍射双峰与Si层衍射结构的对应关系. 展开更多

关键词 同步辐射双晶貌相术 高分辨三轴晶X射线衍射 衍射双峰 Si/SiGe/Si-SOI异质结构

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电子背散射衍射系统的研制和改进 被引量：1

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作者 张希顺 刘安生 +4 位作者 邵贝羚 孙丽虹 孙继光 胡广勇 陈朝庆 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期263-269,共7页

电子背散射衍射装置是获取材料的亚微米的范畴晶体学信息扫描电镜附件 ,此装置可在观察材料的形貌及分析成分的同时研究材料的取向关系。本文介绍了两种不同档次的电子背散射衍射接收系统 ,该系统的CCD以快速方式接收的灵敏度为 5mlux,... 电子背散射衍射装置是获取材料的亚微米的范畴晶体学信息扫描电镜附件 ,此装置可在观察材料的形貌及分析成分的同时研究材料的取向关系。本文介绍了两种不同档次的电子背散射衍射接收系统 ,该系统的CCD以快速方式接收的灵敏度为 5mlux,积累方式接收的灵敏度为 1 0 μlux ,分辨率为 51 2dpi,像元数分别为 51 2× 51 2× 8bit、51 2× 51 2× 1 6bit,扫描卡最高的分辨率为 4 0 96× 4 0 96,并成功地安装在北京有色金属研究总院JSM 84 0扫描电镜上。此系统设计合理、结构简单、操作方便安全。 展开更多

关键词 电子背散射衍射 数字图像 扫描电镜 晶体结构 取向

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应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析 被引量：1

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作者 马通达 屠海令 +2 位作者 邵贝羚 刘安生 胡广勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期175-178,共4页

运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延... 运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定. 展开更多

关键词 TAD-DCD RLM 应变SI

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