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铁电PLZT薄膜的最新研究进展 被引量：8
1
作者 苗彬彬 王君 +1 位作者 陈江涛 闫鹏勋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期539-544,共6页
锆钛酸铅镧(Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3)铁电材料是一种具有优越铁电、介电、压电和热释电性能的材料,在微电子领域有着广泛的应用前景。本文概括介绍了Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、研究现状和应用展... 锆钛酸铅镧(Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3)铁电材料是一种具有优越铁电、介电、压电和热释电性能的材料,在微电子领域有着广泛的应用前景。本文概括介绍了Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、研究现状和应用展望;并对现阶段薄膜研究过程中的一些问题做了简要叙述。 展开更多
关键词 铁电/介电薄膜 PLZT 光电特性
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Cu_3N薄膜及其研究现状
2
作者 王君 陈江涛 +1 位作者 苗彬彬 闫鹏勋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期453-459,共7页
Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一。Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可... Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一。Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可能进入此位置导致Cu3N的电学性能、光学性能等发生很大的变化,这使得该材料具有很大的潜在应用价值。Cu3N的晶格常数为0.3815nm,密度5.84g/cm3,分子量204.63,颜色呈黑绿色或红褐色,空间点群Pm3m。Cu3N薄膜在室温下相当稳定并且热分解温度较低(300℃左右),热分解前后薄膜的光学反射率有较大差别,这可使Cu3N薄膜用作一次性光记录材料。此外,Cu3N薄膜还可用作在S i片上沉积金属Cu线的缓冲层、低磁阻隧道结的阻挡层、自组装材料的模板等。 展开更多
关键词 Cu3N薄膜 研究现状 应用
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(Ti_(1-x)Al_x)N硬质涂层的研究进展 被引量：9
3
作者 张飞 闫鹏勋 +3 位作者 陈江涛 苗彬彬 李冠斌 王君 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期699-704,691,共7页
TiAlN作为一种三元复合纳米涂层材料,具有非常好的性能。该涂层克服了TiN涂层所存在的一些缺陷,其硬度远远高于TiN涂层,最高可达47GPa,并且具有很好的热稳定性,在700℃高温下仍很稳定,而TiN涂层在500℃时就已被氧化。TiAlN涂层还具有抗... TiAlN作为一种三元复合纳米涂层材料,具有非常好的性能。该涂层克服了TiN涂层所存在的一些缺陷,其硬度远远高于TiN涂层,最高可达47GPa,并且具有很好的热稳定性,在700℃高温下仍很稳定,而TiN涂层在500℃时就已被氧化。TiAlN涂层还具有抗磨损,摩擦系数小,热膨胀系数及热传导系数低等特性,这些特性与涂层中Al含量的多少有关,Al含量的改变会导致涂层微观结构的改变,从而使其性能发生变化。氮分压和基底温度对TiAlN涂层的性质有着极其重要影响。本文结合国内外对TiAlN涂层的最新研究进展,对TiAlN涂层的应用,制备方法,结构,抗氧化性及硬度作了简要论述。 展开更多
关键词 TIALN涂层 晶体结构 抗氧化性 硬度 综述
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N型高压DDDMOS热载流子损伤研究
4
作者 苗彬彬 苏庆 《集成电路应用》 2018年第8期45-47,共3页
高压场效应管是BCD工艺中的核心器件,常用有LDMOS(Lateral-Double-Diffused MOS,横向双扩散场效应晶体管)和DDDMOS(Double-Diffuse-Drain MOS,双扩散漏场效应晶体管)两种。由于DDDMOS实现结构简单且工艺流程与传统CMOS工艺兼容,被大量... 高压场效应管是BCD工艺中的核心器件,常用有LDMOS(Lateral-Double-Diffused MOS,横向双扩散场效应晶体管)和DDDMOS(Double-Diffuse-Drain MOS,双扩散漏场效应晶体管)两种。由于DDDMOS实现结构简单且工艺流程与传统CMOS工艺兼容,被大量应用于LCD驱动电路,电源芯片管理电路等对耐压要求不高的高压电路。随着DDDMOS器件尺寸的不断缩小和集成度的不断提高,其热载流子注入(HCI)损伤却变得越来越严重。分析N型高压双扩散漏MOSFET的热载流子注入效应,有针对性地对轻掺杂区的工艺条件进行优化,并分析其对N型DDDMOS HCI可靠性的影响,重点研究了在保持晶体管性能不变且不增加工艺成本的条件下如何改善N型HV DDDMOS的HCI,延长器件的HCI寿命使之达到业界的实用标准,为高压DDDMOS器件可靠性优化提供重要参考。 展开更多
关键词 高压双扩散漏MOS晶体管 HVDDDMOS 热载流子注入 器件可靠性
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LDMOS器件ESD保护能力的一种优化结构
5
作者 苏庆 苗彬彬 《集成电路应用》 2018年第8期41-44,共4页
目前,高压工艺技术已经变得越来越成熟,其应用领域也越来越广泛。但是其ESD保护技术却一直受到狭窄的设计窗口,可靠性等问题困扰。如何在现有高压工艺平台上,设计出满足要求的保护器件一直是高压工艺的难题。从开发的难易度考虑,LDMOS... 目前,高压工艺技术已经变得越来越成熟,其应用领域也越来越广泛。但是其ESD保护技术却一直受到狭窄的设计窗口,可靠性等问题困扰。如何在现有高压工艺平台上,设计出满足要求的保护器件一直是高压工艺的难题。从开发的难易度考虑,LDMOS是被广泛采用的器件。通过对利用LDMOS的寄生特性应用于ESD保护的机理进行分析,并指出其设计的难点和原因,针对性地提出优化方法,并以实例验证。 展开更多
关键词 集成电路制造 高压LDMOS 静电保护 器件优化
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