微机电微波/射频开关的力学分析及其工艺研究 被引量：7

1

作者 茅惠兵 忻佩胜 +1 位作者 胡梅丽 赖宗声 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期273-275,共3页

　文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁... 　文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁,聚酰亚胺作牺牲层。测试结果表明,研制的微机电开关在0.5～5GHz的范围内插入损耗为2dB,隔离度达30～50dB。 展开更多

关键词 射频开关 微机电微波 力学分析 共平面波导 悬管梁 插入损耗 隔离度 制备工艺

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微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究 被引量：6

2

作者 茅惠兵 忻佩胜 +1 位作者 胡梅丽 赖宗声 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期11-14,共4页

讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制... 讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制备的微机械开关的执行电压只有25V,优于同类微机械开关的指标,同时它具有良好的响应特性。 展开更多

关键词 功能测量 微机械 微波/射频开关 悬臂梁 共平面波导 无线通信设备

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CdSe量子点的制备与荧光特性研究 被引量：4

3

作者 茅惠兵 陈静 +2 位作者 李志峰 戴宁 朱自强 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期528-531,共4页

主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性。CdSe量子点由化学方法制备,通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品。用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性。实验表明,这些量子点都有良好的荧光特性。还用无... 主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性。CdSe量子点由化学方法制备,通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品。用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性。实验表明,这些量子点都有良好的荧光特性。还用无限深球方势阱模型分析了量子点样品的电子态,并根据荧光参数估算了量子点的尺度。各样品荧光峰具有一致的半峰宽,表明CdSe量子点的成核过程在反应开始时同时完成。 展开更多

关键词 半导体光电 量子点 CDSE 荧光

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微机械光调制器的制备及其在不同激励条件下的响应研究 被引量：3

4

作者 茅惠兵 忻佩胜 +1 位作者 柯菁华 赖宗声 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期262-265,共4页

本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波... 本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波信号激励时 ,响应信号和激励频率有关 .当激励方波频率远低于器件固有频率时 ,器件响应实际上是对上下两个阶跃信号的响应 :出现明显的阻尼振荡效应 .当激励频率在固有频率附近时 ,器件实际只对方波的基频效应 展开更多

关键词 微电子机械系统 光调制器 激励条例 响应

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微机械光调制器激励机制的理论和实验研究 被引量：5

5

作者 茅惠兵 忻佩胜 赖宗声 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期160-164,共5页

讨论了一种具有Fabry-Perot结构的新型微机械先调制器,该光调制器由表面微机械工艺制备。理论分析表明,正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波对光调制器的驱动结果是完全不同的。测量结果表明,微机械光调制器有一系列的固有频率。对正... 讨论了一种具有Fabry-Perot结构的新型微机械先调制器,该光调制器由表面微机械工艺制备。理论分析表明,正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波对光调制器的驱动结果是完全不同的。测量结果表明,微机械光调制器有一系列的固有频率。对正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波信号的测量结果显示,调制器的响应是对驱动力中各频率成分的响应,和理论分析符合得非常好。 展开更多

关键词 微电子机械系统 光调制器 固有频率

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非对称耦合双量子阱的荧光光谱研究

6

作者 茅惠兵 张家明 +1 位作者 陆卫 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期103-106,共4页

讨论了耦合双量子阱的光荧光性质，并着重对不同垒宽样品的荧光性质与激发功率的关系进行了详细讨论。

关键词 光荧光 不对称耦合 双量子阱 半导体

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微机械光可调式光衰减器的制备及动态测试

7

作者 茅惠兵 杨昌利 +3 位作者 忻佩胜 彭德艳 朱自强 赖宗声 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期9-12,共4页

　主要讨论了具有机械式抗反射开关(即MARS)结构的新型微机械可调式光衰减器。MARS结构可调式光衰减器由表面微机械工艺制备。当器件被正弦信号激励时,其响应信号也是正弦信号,但两者的相位相反。同时,微机械可调式光衰减器有一系列的... 　主要讨论了具有机械式抗反射开关(即MARS)结构的新型微机械可调式光衰减器。MARS结构可调式光衰减器由表面微机械工艺制备。当器件被正弦信号激励时,其响应信号也是正弦信号,但两者的相位相反。同时,微机械可调式光衰减器有一系列的固有频率。测量表明,器件反射率的上升时间为5μs,下降时间为3.3μs。如果器件由线性变化的锯齿信号驱动,当驱动信号小于23V时,器件的反射率变化也是线性的,当驱动信号大于23V时,器件的反射率响应出现非线性,信号越大,非线性越明显。 展开更多

关键词 微电子机械系统 可调式光衰减器 固有频率

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AlGaSb三元化合物的液相外延生长及其参数测量

8

作者 茅惠兵 王海龙 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期189-191,共3页

在 GaSb 衬底上用过冷却技术在550℃的饱和温度下生长了晶格匹配的AlGaSb 外延层。用金相显微镜测量了外延层的厚度并观察了形貌。用 X 射线双晶衍射和低温光致发光技术分别测量了材料的晶格常数和禁带宽度,并因此确定了外延层的组分。

关键词 液相外延 AlGaSb/GaSb 参数测量

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RF/MW MEMS开关中聚酰亚胺的牺牲层技术研究 被引量：9

9

作者 胡梅丽 赖宗声 +2 位作者 茅惠兵 忻佩胜 沈德新 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期5-7,共3页

目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料。在涂胶前,对聚酰亚胺进 行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求。光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐 蚀。显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不... 目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料。在涂胶前,对聚酰亚胺进 行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求。光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐 蚀。显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不同的影响。MEMS开关的梁结构 完成后,聚酰亚胺需通过刻蚀的方法去除。实验结果表明,固化温度小于170℃,可采用碱性溶液湿 法腐蚀的方法去除;固化温度大于200℃,需采用O2等离子刻蚀方法。 展开更多

关键词 聚酰亚胺 牺牲层 固化 刻蚀 MEMS开关

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GaAs/InGaAs量子点探测器件微光读出研究 被引量：1

10

作者 尤虎 郭方敏 +3 位作者 朱晟伟 越方禹 范梁 茅惠兵 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期59-62,共4页

GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具... GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳定的电压偏置,高注入效率和低噪声特点的CTIA(电容互阻跨导放大器)作为列放大器读出结构,输出部分采用相关双采样(CDS)结构去除系统和背景噪声。实验结果表明,在3.5 nW的微光辐射下,器件偏压为-2.5 V时,50μm×50μm像素探测器与读出电路互联后有7.14×107V/W的电压响应率。 展开更多

关键词 量子点 量子效率 响应率 微光探测 CTIA读出

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纳米ZnS∶Cu薄膜及谐振腔的制备与特性研究 被引量：1

11

作者 秦旭峰 茅惠兵 +2 位作者 侯士丽 王基庆 景为平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期412-415,共4页

采用水浴法制备不同掺杂浓度ZnS∶Cu纳米薄膜及相应谐振腔。X射线衍射表明,该纳米薄膜具有立方相的闪锌矿结构。光致荧光测量显示,ZnS∶Cu薄膜在2.37 eV处有很强的荧光峰。荧光强度与Cu/Zn物质的量比有关,当Cu/Zn物质的量比为0.1%时,ZnS... 采用水浴法制备不同掺杂浓度ZnS∶Cu纳米薄膜及相应谐振腔。X射线衍射表明,该纳米薄膜具有立方相的闪锌矿结构。光致荧光测量显示,ZnS∶Cu薄膜在2.37 eV处有很强的荧光峰。荧光强度与Cu/Zn物质的量比有关,当Cu/Zn物质的量比为0.1%时,ZnS∶Cu纳米薄膜荧光强度最强。在由Al膜与ITO薄膜构成的腔长为3.6μm的ZnS∶Cu垂直谐振腔中共观察到10多个荧光干涉峰。经分析确定,该垂直谐振腔的品质因数为30.3。 展开更多

关键词 ZnS∶Cu薄膜 光致发光 谐振腔

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关于多量子阱光谱的部分相干模型计算

12

作者 马朝晖 陆卫 +3 位作者 刘兴权 茅惠兵 邱岳明 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期328-332,共5页

详细探讨了多层膜反射光谱的理论计算.考虑了在实际光谱测量中光源有限相于长度对膜层和衬底结构样品的影响,提出了一种简易实用计算方法,并在相应的实验光谱计算中显示出这种方法的优越性.

关键词 多层薄膜 光谱 相干长度 多量子阱光谱

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电场调控下不对称耦合量子点中激子的发光特性

13

作者 尚德双 王基庆 +3 位作者 茅惠兵 杨平雄 俞建国 赵强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期650-654,共5页

使用有效质量模型,从理论上对GaAs/Al0.35Ga0.65As不对称耦合量子点在不同耦合强度下束缚态和反束缚态的能级分裂情况进行了详细分析,重点探讨了电子和空穴的耦合隧穿对量子点体系能级特征及激子发光强度的影响。研究发现:不对称耦合量... 使用有效质量模型,从理论上对GaAs/Al0.35Ga0.65As不对称耦合量子点在不同耦合强度下束缚态和反束缚态的能级分裂情况进行了详细分析,重点探讨了电子和空穴的耦合隧穿对量子点体系能级特征及激子发光强度的影响。研究发现:不对称耦合量子点在外电场作用下价带束缚态和反束缚态能级出现反交现象,反交处的能级分裂值和临界电场随量子点间距的增加而减小;对应的激子发光强度也经历了从亮(暗)到暗(亮)激子的转变。 展开更多

关键词 激子 量子点 束缚态

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GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱红外探测器的光调制光谱研究

14

作者 杨立新 姜山 +2 位作者 茅惠兵 陆卫 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期21-26,共6页

运用光调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ多量子阱红外探测器材料的调制反射谱，结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Ａｌ组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数，结合实验结果，采用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐ... 运用光调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ多量子阱红外探测器材料的调制反射谱，结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Ａｌ组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数，结合实验结果，采用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型对材料能带结构进行了理论计算，与实验结果相符． 展开更多

关键词 光调制光谱 多量子阱 红外探测器

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多孔氧化铝模板制备ZnS∶Mn纳米晶及其形成机制

15

作者 王继强 茅惠兵 +2 位作者 侯士丽 秦旭锋 徐琳 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期902-904,共3页

采用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝(AAO)模板。利用此AAO模板,采用电化学沉积的方法制备了ZnS∶Mn纳米晶。对AAO模板进行了扫描电子显微镜(SEM)测试。结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致。对ZnS∶Mn纳米晶进行了SEM测试和荧... 采用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝(AAO)模板。利用此AAO模板,采用电化学沉积的方法制备了ZnS∶Mn纳米晶。对AAO模板进行了扫描电子显微镜(SEM)测试。结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致。对ZnS∶Mn纳米晶进行了SEM测试和荧光光谱(PL)测试,SEM测试结果表明,在AAO模板上沉积了一层ZnS∶Mn纳米晶,PL谱结果显示Mn离子成功地掺杂进ZnS。从电负性角度讨论了ZnS∶Mn纳米晶的形成机制。 展开更多

关键词 ZNS:MN 光致发光 电负性

原文传递

太赫兹量子阱光探测器电子输运特性的MC模拟

16

作者 徐琳 景为平 茅惠兵 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期267-271,共5页

半导体器件的MC(蒙特卡罗)模拟是深入研究小尺寸器件的物理过程中必不可少的工具。设计了一种基于三能带近似模型的MC平台,用来研究太赫兹场作用下GaAs/Al0.03Ga0.97As量子阱光探测器内部电子的输运特性。在这个平台的基础上,很好地研... 半导体器件的MC(蒙特卡罗)模拟是深入研究小尺寸器件的物理过程中必不可少的工具。设计了一种基于三能带近似模型的MC平台,用来研究太赫兹场作用下GaAs/Al0.03Ga0.97As量子阱光探测器内部电子的输运特性。在这个平台的基础上,很好地研究了太赫兹作用下量子阱光探测器在低温和低电场时的电子输运特性。 展开更多

关键词 蒙特卡罗模拟 太赫兹器件 量子阱 探测器

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微机电光调制器技术研究

17

作者 柯菁华 茅惠兵 +2 位作者 张杰伟 赖宗声 郑筱莉 《微细加工技术》 EI 2000年第2期45-49,共5页

调制器是光纤系统的重要器件。硅基微机械光调制技术使用常规硅平面工艺方法 ,制作较为简单 ,成本较低。同时 ,又具有高数据速率 (几Mb/s)和宽频带( 1 3μm～ 1 5 μm)性能 ,满足日益增长的波分复用 (WDM )全光网络发展的需要。讨论... 调制器是光纤系统的重要器件。硅基微机械光调制技术使用常规硅平面工艺方法 ,制作较为简单 ,成本较低。同时 ,又具有高数据速率 (几Mb/s)和宽频带( 1 3μm～ 1 5 μm)性能 ,满足日益增长的波分复用 (WDM )全光网络发展的需要。讨论了有关硅基微机械式光调技术的基本原理和一些相关的制作方法 。 展开更多

关键词 微机械系统 光调制器 波分复用

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塞内加尔鳎养殖研究进展 被引量：1

18

作者 李树国 成永旭 +2 位作者 胡宗福 茅惠兵 董建波 《水利渔业》 北大核心 2007年第3期41-43,共3页

塞内加尔鳎分布于地中海及大西洋沿岸南部,在西班牙和葡萄牙养殖普遍。我国2003年引进,2005年人工繁殖成功。目前,国内塞内加尔鳎的价格极高,鱼种每尾30～40元。塞内加尔鳎适合我国中部以北大部分地区养殖,发展前景广阔。影响塞内加尔... 塞内加尔鳎分布于地中海及大西洋沿岸南部,在西班牙和葡萄牙养殖普遍。我国2003年引进,2005年人工繁殖成功。目前,国内塞内加尔鳎的价格极高,鱼种每尾30～40元。塞内加尔鳎适合我国中部以北大部分地区养殖,发展前景广阔。影响塞内加尔鳎养殖发展的主要瓶颈是缺少技术。塞内加尔鳎在我国的养殖尚处在技术探索阶段。介绍了国外养殖塞内加尔鳎技术及最新研究成果。 展开更多

关键词 塞内加尔鳎 繁殖 幼体培育 疾病防治

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光子晶体可调谐滤波特性的理论研究 被引量：31

19

作者 茅惠兵 杨昌利 赖宗声 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期2201-2205,共5页

用特征矩阵法研究了带缺陷的一维光子晶体的透射性质 ,并提出了新的可调谐光滤波器的概念 .一维光子晶体 (L1 H1 ) m 带有LcH2 (L2 H2 ) n 形式的缺陷时 ,在光子晶体中间出现了窄的透射峰 ,其他级次的干涉峰则随着覆盖层H2 (L2 H2 ) n ... 用特征矩阵法研究了带缺陷的一维光子晶体的透射性质 ,并提出了新的可调谐光滤波器的概念 .一维光子晶体 (L1 H1 ) m 带有LcH2 (L2 H2 ) n 形式的缺陷时 ,在光子晶体中间出现了窄的透射峰 ,其他级次的干涉峰则随着覆盖层H2 (L2 H2 ) n 周期数的增大而减弱并消失 .当耦合层Lc 厚度变化时 ,在光子晶体禁带边缘附近出现两个高透射率区域 .高透射率区域透射峰的特性由光子晶体和覆盖层的性质决定 .当光子晶体禁带宽度较小时 ,两个高透射率区域接近 ,形成具有约 15 0nm调谐范围的区域 ,因此可制备以一维光子晶体为基础的新型可调谐光滤波器 . 展开更多

关键词 光子晶体 可调谐光滤波器 特征矩阵 光纤通信 透射率

原文传递

邻晶面外延生长机制的动力学Monte Carlo模拟 被引量：1

20

作者 茅惠兵 景为平 +3 位作者 俞建国 王基庆 王力 戴宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期5435-5440,共6页

用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示,低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移,高温下原子已能有效地克服势... 用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示,低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移,高温下原子已能有效地克服势垒的影响并向下一台阶面迁移.在外延生长初期,原子几乎在台阶面上均匀分布.当表面覆盖度达到一定数量后,台阶成核开始.而由于Ehrlich-Schwoebel势垒的存在,在台阶的上侧台阶面上开始有原子的积累,而如果没有Ehrlich-Schwoebel势垒,台阶上侧台阶面上的原子也能被有效地耗尽.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面上的外延生长模式有显著的影响,将明显提高达到台阶生长模式的温度. 展开更多

关键词 外延生长模式 动力学Monte Carlo Ehrlich-Schwoebel势垒

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