期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
一种高电源抑制比低温度系数的带隙基准电路
1
作者 钟超超 孔瀛 +3 位作者 莫艳图 宋奎鑫 康磊 梁庭 《电子器件》 CAS 2024年第3期603-609,共7页
采用两种方式提高了带隙基准电路的电源抑制比。首先,采用峰值电流源结构将三极管自身的增益引入反馈环路,从而提高了环路增益和带隙基准核心的电源抑制比。其次,运用预调制电路进一步提高了电源抑制比。此外,还提出了一种仅需源极负反... 采用两种方式提高了带隙基准电路的电源抑制比。首先,采用峰值电流源结构将三极管自身的增益引入反馈环路,从而提高了环路增益和带隙基准核心的电源抑制比。其次,运用预调制电路进一步提高了电源抑制比。此外,还提出了一种仅需源极负反馈非对称电流镜的曲率补偿电路,该电路具有跨工艺的通用性。所提出的电路采用0.18μm BCD工艺进行了验证,并应用在一款降压DC-DC变换器中。结果表明,所提出的电路在2.4 V、3.3 V和5 V供电下,低频分别具有127 dB、134 dB和136 dB的高电源抑制比,同时实现了3.74×10^(-6)/℃的低温度系数,总电流消耗仅为6.3μA~14.5μA。 展开更多
关键词 高电源抑制比 曲率补偿 峰值电流源 预调制电路
下载PDF
一种快速精确查找逻辑电路失效位置的方法
2
作者 莫艳图 岳素格 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期353-357,共5页
提出了一种快速、精确查找组合逻辑电路失效位置的方法。这种方法对高辐射电路的可靠性评估很有意义。这种方法是通过对电路失效原理的分析,以及对失效概率的估计,来查找组合电路的失效位置。整个查找过程在Matlab平台上实现,用ISCAS’8... 提出了一种快速、精确查找组合逻辑电路失效位置的方法。这种方法对高辐射电路的可靠性评估很有意义。这种方法是通过对电路失效原理的分析,以及对失效概率的估计,来查找组合电路的失效位置。整个查找过程在Matlab平台上实现,用ISCAS’85基准电路进行实验,所有电路均采用0.18μm标准CMOS工艺。结果表明,相对HSPICE随机仿真的方法,这种方法的速度提高了将近49倍,而且准确率达到94.7%。 展开更多
关键词 单粒子瞬态 软错误率 位翻转概率 错误传播概率 组合逻辑
下载PDF
高压LDMOS总剂量辐射效应研究 被引量：8
3
作者 王丹辉 赵元富 +2 位作者 岳素格 边强 莫艳图 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第10期82-86,共5页
在太空环境中,辐射会造成电源管理电路严重漏电和性能下降.LDMOS相比于CMOS,具有更高的工作电压,作为大尺寸的功率管被广泛应用于电源管理电路中.针对一种0.25μm BCD工艺LDMOS进行总剂量辐射效应研究.实验表明,总剂量辐射会造成LDMOS... 在太空环境中,辐射会造成电源管理电路严重漏电和性能下降.LDMOS相比于CMOS,具有更高的工作电压,作为大尺寸的功率管被广泛应用于电源管理电路中.针对一种0.25μm BCD工艺LDMOS进行总剂量辐射效应研究.实验表明,总剂量辐射会造成LDMOS的阈值电压漂移,以及N沟道直栅LDMOS的较大漏电流.同时也观察和记录到总剂量辐射导致P沟道直栅LDMOS的漏电.环栅加固方法能有效抑制总剂量辐射引起的N沟道直栅LDMOS的边缘漏电.在100krad(Si)辐照剂量时,N沟道环栅LDMOS和P沟道直栅LDMOS的阈值电压漂移分别为0.02V和-0.02V. 展开更多
关键词 LDMOS 总剂量辐射 环栅加固 边缘漏电 阈值电压漂移
下载PDF
一种用于开关电源的多模式振荡器 被引量：4
4
作者 李卓 岳素格 +2 位作者 莫艳图 宋奎鑫 初飞 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第3期375-378,共4页
基于0.25μm BCD工艺,设计了一种应用于开关电源的多模式环形振荡器,具有结构简单、三种模式可选、可修调的特点。电路通过模式切换生成可调电流的方式对电容充放电,产生不同频率的斜坡及方波信号。测试结果表明:在-40℃~125℃温度范围... 基于0.25μm BCD工艺,设计了一种应用于开关电源的多模式环形振荡器,具有结构简单、三种模式可选、可修调的特点。电路通过模式切换生成可调电流的方式对电容充放电,产生不同频率的斜坡及方波信号。测试结果表明:在-40℃~125℃温度范围内,振荡器主振荡模式输出范围为483.9~518.6kHz,与固定频率(500kHz)的最大偏移率为3.72%,电阻频率调节模式输出范围为25kHz^2.5 MHz,同步模式下可调同步频率范围为40kHz^4 MHz。目前,该振荡器已被成功应用于一种DC-DC开关电源芯片中。 展开更多
关键词 多模式 电阻频率调节 外部时钟同步 修调
原文传递
一种锂离子电池管理芯片的失效定位
5
作者 廉鹏飞 张辉 +5 位作者 祝伟明 莫艳图 蒋坤 孔泽斌 楼建设 王昆黍 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期961-966,共6页
针对一种锂离子电池管理芯片的失效定位进行了研究。某单机在测试时由于锂离子电池管理芯片失效,导致所采集的电压数据间歇异常跳变。经一致性分析,发现失效锂离子电池管理芯片老炼后的转换功耗和回读功耗与同批次芯片相比异常增加。通... 针对一种锂离子电池管理芯片的失效定位进行了研究。某单机在测试时由于锂离子电池管理芯片失效,导致所采集的电压数据间歇异常跳变。经一致性分析,发现失效锂离子电池管理芯片老炼后的转换功耗和回读功耗与同批次芯片相比异常增加。通过微光分析和版图对比,发现失效芯片中菊花链电流比较器的NMOS管存在漏电缺陷。对比较器工作原理进行进一步分析,并分析了SCLK接口和CNVST接口的翻转阈值与功耗变化量之间的关系,确认了芯片失效是由于NMOS管漏电所导致,且通过电老炼可以暴露NMOS管的漏电缺陷。最后,针对器件功耗变化量与内部NMOS管漏电之间的关系进行了仿真和计算,定量验证了锂离子电池管理芯片老炼后功耗的增加是由于比较器NMOS管漏电引起的。 展开更多
关键词 锂离子电池管理芯片 失效 比较器 功耗 翻转阈值
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部