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基于COM-MBVD混合模型的多模态声学响应研究与仿真
1
作者
周艺蒙
陈抒键
+8 位作者
蒋冠臻
范维
魏子杰
李沛然
帅垚
吴传贵
罗文博
潘忻强
张万里
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第4期519-523,共5页
耦合模(COM)模型广泛应用于声表面波(SAW)滤波器设计中,传统的单模COM模型不能拟合到远端的高阶水平剪切波、西沙瓦波等杂散模态。从单模COM模型出发,结合类似于MBVD等效电路的谐振支路,实现COM-MBVD模型拟合多模态声学响应。并基于此...
耦合模(COM)模型广泛应用于声表面波(SAW)滤波器设计中,传统的单模COM模型不能拟合到远端的高阶水平剪切波、西沙瓦波等杂散模态。从单模COM模型出发,结合类似于MBVD等效电路的谐振支路,实现COM-MBVD模型拟合多模态声学响应。并基于此模型搭建8阶梯形结构电路进行优化仿真。最终设计出中心频率为1 590 MHz,通带插入损耗小于1.6 dB,带内波动为1 dB,带宽为80 MHz(相对带宽为5%)的声表面波(SAW)滤波器。实际测试数据与仿真数据相符,验证了该设计方法的可行性。
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关键词
COM模型
MBVD模型
梯形结构
SAW滤波器
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职称材料
Ge掺杂AlN电子和光学性质的第一性原理计算
被引量:
2
2
作者
罗强
马智炜
+2 位作者
蒋冠臻
邹江峰
邱毅
《计算物理》
CSCD
北大核心
2022年第5期609-616,共8页
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,用Ge原子分别替代纤锌矿AlN超晶胞中Al、 N原子,得到其结构、电子及光学性质。结果表明:掺杂后结构发生了明显的改变,两种方式的掺杂都使得AlN的晶格常数、体积和沿c轴方向的键长增加,且晶格常...
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,用Ge原子分别替代纤锌矿AlN超晶胞中Al、 N原子,得到其结构、电子及光学性质。结果表明:掺杂后结构发生了明显的改变,两种方式的掺杂都使得AlN的晶格常数、体积和沿c轴方向的键长增加,且晶格常数变化满足维加德(Vegard)定理;Ge原子替换Al原子形成能为5.41 eV, Ge原子替换N原子形成能为5.58 eV,两种掺杂方式体系稳定性都低于纯AlN;掺杂并未引入磁性,前者引入施主杂质能带,且杂质能带进入价带,变为负能隙金属,后者引入受主杂质能带,禁带宽度为0.910 eV,两者均远小于本征AlN的禁带宽度4.040 eV,前者导电性显著提高,后者导电性可能提高;研究发现两种方式掺杂复折射率函数的虚部在低能区都近似不再为0,表明两种掺杂都加强了AlN材料对低频电磁波的吸收能力;前者介电函数虚部在低能区出现了新的波峰,长波吸收能力更强,后者在低能区未出现明显波峰,能量损失均减少。
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关键词
Ge掺杂AlN
第一性原理
电子性质
光学性质
原文传递
题名
基于COM-MBVD混合模型的多模态声学响应研究与仿真
1
作者
周艺蒙
陈抒键
蒋冠臻
范维
魏子杰
李沛然
帅垚
吴传贵
罗文博
潘忻强
张万里
机构
重庆邮电大学光电工程学院
电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第4期519-523,共5页
基金
四川省科技计划基金资助项目(2020YFJ0002)。
文摘
耦合模(COM)模型广泛应用于声表面波(SAW)滤波器设计中,传统的单模COM模型不能拟合到远端的高阶水平剪切波、西沙瓦波等杂散模态。从单模COM模型出发,结合类似于MBVD等效电路的谐振支路,实现COM-MBVD模型拟合多模态声学响应。并基于此模型搭建8阶梯形结构电路进行优化仿真。最终设计出中心频率为1 590 MHz,通带插入损耗小于1.6 dB,带内波动为1 dB,带宽为80 MHz(相对带宽为5%)的声表面波(SAW)滤波器。实际测试数据与仿真数据相符,验证了该设计方法的可行性。
关键词
COM模型
MBVD模型
梯形结构
SAW滤波器
Keywords
COM model
MBVD model
ladder structure
SAW filter
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Ge掺杂AlN电子和光学性质的第一性原理计算
被引量:
2
2
作者
罗强
马智炜
蒋冠臻
邹江峰
邱毅
机构
西南石油大学理学院
出处
《计算物理》
CSCD
北大核心
2022年第5期609-616,共8页
基金
国家自然科学基金(51875091)
南充市市校科技战略基金(SXHZ008)资助项目。
文摘
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,用Ge原子分别替代纤锌矿AlN超晶胞中Al、 N原子,得到其结构、电子及光学性质。结果表明:掺杂后结构发生了明显的改变,两种方式的掺杂都使得AlN的晶格常数、体积和沿c轴方向的键长增加,且晶格常数变化满足维加德(Vegard)定理;Ge原子替换Al原子形成能为5.41 eV, Ge原子替换N原子形成能为5.58 eV,两种掺杂方式体系稳定性都低于纯AlN;掺杂并未引入磁性,前者引入施主杂质能带,且杂质能带进入价带,变为负能隙金属,后者引入受主杂质能带,禁带宽度为0.910 eV,两者均远小于本征AlN的禁带宽度4.040 eV,前者导电性显著提高,后者导电性可能提高;研究发现两种方式掺杂复折射率函数的虚部在低能区都近似不再为0,表明两种掺杂都加强了AlN材料对低频电磁波的吸收能力;前者介电函数虚部在低能区出现了新的波峰,长波吸收能力更强,后者在低能区未出现明显波峰,能量损失均减少。
关键词
Ge掺杂AlN
第一性原理
电子性质
光学性质
Keywords
Ge doped AlN
first principles
electronic properties
optical properties
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于COM-MBVD混合模型的多模态声学响应研究与仿真
周艺蒙
陈抒键
蒋冠臻
范维
魏子杰
李沛然
帅垚
吴传贵
罗文博
潘忻强
张万里
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
Ge掺杂AlN电子和光学性质的第一性原理计算
罗强
马智炜
蒋冠臻
邹江峰
邱毅
《计算物理》
CSCD
北大核心
2022
2
原文传递
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