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小间距下光刻孔孔径对铟凸点阵列制备的影响
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作者 陈辉 杨天溪 +5 位作者 蒋冰鑫 张文靖 兰金华 黄忠航 孙捷 严群 《光电子技术》 CAS 2024年第3期190-194,共5页
小间距下制备铟凸点阵列时,常出现铟凸点高度较低、均匀性较差的情况。文中研究了小间距条件下热蒸镀过程中光刻工艺所形成的光刻胶孔径对于铟凸点沉积质量所带来的影响,并选取了合适的光刻和蒸镀参数,在8μm间距的Micro-LED芯片上成功... 小间距下制备铟凸点阵列时,常出现铟凸点高度较低、均匀性较差的情况。文中研究了小间距条件下热蒸镀过程中光刻工艺所形成的光刻胶孔径对于铟凸点沉积质量所带来的影响,并选取了合适的光刻和蒸镀参数,在8μm间距的Micro-LED芯片上成功制备了高度为4μm的铟凸点阵列。实验表明,铟凸点的高度随光刻过程中形成的光刻胶孔径的增大而增大,增长率随之降低。在5μm大小的光刻胶孔径下制备得到的铟凸点阵列高度较高且均匀性较好。 展开更多
关键词 小间距 铟凸点 孔径 微缩矩阵化发光二极管
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基于不完全匹配的掩膜版进行芯片套刻的校准方案
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作者 张文靖 张恺馨 +7 位作者 杨天溪 孙捷 严群 林畅 蒋冰鑫 李洋 兰金华 陈辉 《光电子技术》 CAS 2024年第2期116-120,共5页
提出一种校准方案,在套刻曝光一般步骤的基础上进行适当调整,用不完全匹配的掩膜版同样能够实现准确的套刻曝光。研究为提高芯片制备效率、保证对准精度提供了新思路。
关键词 光刻工艺 套刻曝光 校准 集成电路
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