高温超导场效应晶体管的动态导纳模拟

1

作者 蔡琪玉 蒋建飞 沈波 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期139-141,共3页

本文基于我们建立的超导场效应器件的统一小信号理论，引进了动态导纳参数．对高温超导场效应晶体管的低频电流电压特性进行了数值模拟．分别对推广的二流体模型中正常电流和超导电流在一定的条件下随栅电压、漏电压、温度和频率的变... 本文基于我们建立的超导场效应器件的统一小信号理论，引进了动态导纳参数．对高温超导场效应晶体管的低频电流电压特性进行了数值模拟．分别对推广的二流体模型中正常电流和超导电流在一定的条件下随栅电压、漏电压、温度和频率的变化进行了分析．给出了一种高温超导场效应器件低频特性新的研究方法． 展开更多

关键词 动态导纳模拟 模型 超声场效应器件 晶体管

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纳米电子学──电子学的前沿 被引量：6

2

作者 蒋建飞 蔡琪玉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期218-226,共9页

论述了电子学的前沿──纳米电子学的学科涵义，发展动力，研究进展，学科分支，研究内容，学科发展的重要意义。

关键词 纳米电子学 单量子 量子波 量子点

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超导场效应器件的统一小信号传输线模型 被引量：2

3

作者 蒋建飞 蔡琪玉 +1 位作者 汤玉生 周正利 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期43-47,52,共6页

本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导Ｐ... 本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导ＰＮ结型或肖特基结型场效应器件（ＪＳｕＦＥＴｓ）或（ＭＥＳｕＦＥＴｓ）的统一小信号模型。 展开更多

关键词 统一小信号模型 超导场效应器件 超导传输线

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超导场效应器件的统一Y参数和小信号等效电路 被引量：1

4

作者 蒋建飞 蔡琪玉 +1 位作者 周正利 汤玉生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期6-9,共4页

本文基于超导场效应的小信号传输线模型的电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻、频变电感和频变电容的概念，为研究各类超导场效应器件和电路的高频特性和动力学提供了有力的基础．

关键词 统一Y参数 小信号等效电路 超导场效应器件

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纳米电子学 被引量：3

5

作者 蒋建飞 蔡琪玉 《自然杂志》 北大核心 2001年第1期10-15,共6页

近 1 0年来 ,纳米科学与技术学 (纳米学 )这个科学术语及其内涵引起了世人的普遍关注 ,各种海阔天空的议论充满着多种报刊杂志 ,其来势不亚于 2 0世纪 80年代末的全球高温超导热 .这种景象表明纳米学确实很重要 ,它有可能掀起人类认知... 近 1 0年来 ,纳米科学与技术学 (纳米学 )这个科学术语及其内涵引起了世人的普遍关注 ,各种海阔天空的议论充满着多种报刊杂志 ,其来势不亚于 2 0世纪 80年代末的全球高温超导热 .这种景象表明纳米学确实很重要 ,它有可能掀起人类认知上的新突破、技术上的新飞跃和工业上的新革命 .这是一个综合性的交叉学科 ,它的发展和深入研究 ,必将对人类的生存和发展产生巨大的影响 .然而 ,我们必须清楚 ,要想在这一领域达到最终的目标 ,使之完全实用化 ,还必须经历极其艰难困苦的历程 ,需要多代人的研究努力 .虽然现代高科技飞速的发展有可能缩短这个历程 ,但仍存在许多根本性的问题 ,包括正确的哲学观、科学观、理论体系和具体的技术难题 . 展开更多

关键词 纳米电子学 单电子电子学 纳米制造学 纳米尺度 纳电子器件 纳电路

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电容耦合单电子晶体管有源负载 被引量：1

6

作者 沈波 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期65-67,共3页

本文基于单电子隧道效应的半经典模型,由电容耦合单电子晶体管的本征,电流电压特性出发,研究了在各种组态下,电容耦合单电子晶体管有源负载的本征电流电压特性,讨论了它们的交流小信号等效电路。

关键词 电容耦合 单电子晶体管 有源负载

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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究 被引量：1

7

作者 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第2期46-48,共3页

文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。

关键词 气相淀积 氮化硅 薄膜

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电阻耦合单电子晶体管电学性能分析

8

作者 杨涛 蒋建飞 蔡琪玉 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期807-811,共5页

基于单电子系统半经典模型 ,分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性 ,得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点 .通过时域特性分析 ,指出了时延参数τ=CΣ Rg,并用 Monte-

关键词 电学性能 单电子晶体管 电阻耦合 时域特性分析 背景电荷 时延参数

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栅控T_c的高温氧化物超导体场效应晶体管

9

作者 蒋建飞 汤玉生 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期15-19,共5页

本文提出了栅控超导临界温度Ｔ_ｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管（ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ）的原理。建立了场控Ｔ_ｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。

关键词 高温 氧化物超导体 栅控 场效应 晶体管

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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质

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作者 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第3期45-48,共4页

采用红外吸收光谱(IR)、俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析.

关键词 硅膜 氮化硅薄膜 工艺 气相 光化学 X射线光电子能谱(XPS) AES 淀积 二次离子质谱 SIMS

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JFFT控制特性的近似解析分析

11

作者 汤玉生 蔡琪玉 蒋建飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期154-161,共8页

由高Ｔｃ超导材料制备的Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ磁通流晶体管（ＪＦＦＴ）的控制特性中呈现了很强的非对称性。笔者分析了ＪＦＦＴ的控制场分布，并在电流－相位线性近似条件下，获得了这种非对称控制特性的近似解析描述。解析分析结果揭示... 由高Ｔｃ超导材料制备的Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ磁通流晶体管（ＪＦＦＴ）的控制特性中呈现了很强的非对称性。笔者分析了ＪＦＦＴ的控制场分布，并在电流－相位线性近似条件下，获得了这种非对称控制特性的近似解析描述。解析分析结果揭示了由控制线产生的不均匀外磁场是控制特性中非对称性产生的原因。其解析分析与实验结果之间符合较好。文中还讨论了各结构参数对ＪＦＦＴ的最大电流放大倍数的影响。 展开更多

关键词 JFFT 主体结 控制特性 非对称性 磁通流晶体管

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超导磁通流晶体管的研究进展

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作者 汤玉生 蔡琪玉 蒋建飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期261-268,共8页

对超导磁通流晶体管的结构、原理、特性及与高Ｔｃ材料的适应性和应用状况作了简要的评述。

关键词 超导磁通流 晶体管 超导微电子学

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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性

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作者 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第9期1-3,共3页

采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.

关键词 光化学 气相淀积 可靠性 氮化硅

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高温铜氧化物超导体电场效应研究的基础

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作者 蒋建飞 蔡琪玉 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期56-57,共2页

对高温铜氧化物超导体（HTCOSs）电场效应研究中所进行的一些基础工作进行了评述。它包括利用HTCOSs有利的物性，如高介电常数的栅绝缘膜，金属─绝缘体─超导体（MISu）结构的电容─电压（C─V）特性，功函数，输运性质和奇异电导特性等。

关键词 电场效应 高温 铜氧化物 超导体 功函数 HTCOSs

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电容耦合互补型单电子晶体管逻辑单元的数值模拟 被引量：2

15

作者 黄萍 蒋建飞 +1 位作者 蔡琪玉 童明照 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期357-362,共6页

根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SE... 根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SET开关单元的电容电压电荷方程 ,然后根据隧穿前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率 ,建立电流 -电压方程来决定开关特性而得到的。 展开更多

关键词 单电子晶体管 电容耦合 逻辑单元 数值模拟

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电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析 被引量：2

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作者 程子川 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期134-136,共3页

本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了... 本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了模拟 .结果表明 ,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性 。 展开更多

关键词 介观隧道结阵列 单电子陷阱 存储器 电子空穴

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基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型 被引量：1

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作者 吕明 蒋建飞 蔡琪玉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1148-1153,共6页

提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型 .该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便 ,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度 .此外 ,该宏模型结构简单 ,可以利用极小的计... 提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型 .该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便 ,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度 .此外 ,该宏模型结构简单 ,可以利用极小的计算机资源得到与传统的蒙特卡罗方法基本一致的模拟结果 ,并可方便地嵌入 展开更多

关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 宏模型 蒙特卡罗方法

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电容耦合三结单电子晶体管特性分析 被引量：1

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作者 童明照 蒋建飞 蔡琪玉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期603-608,共6页

本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较．结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结单电子... 本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较．结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较。 展开更多

关键词 电容耦合 三结 晶体管 单电子晶体管

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纳米金属氧化物半导体场效应晶体管(NANO-MOSFET)的热电子发射和弹道输运模型 被引量：1

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作者 郭靖 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期52-54,共3页

本文首先给出了SOI上纳米金属 氧化物 半导体场效应晶体管 (NANO MOSFET)的结构 ,它是一种非传统MOSFET .NANO MOSFET源漏区采用金属 ,沟道采用本征硅 ,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应 .利用一组基本器件方程式 ,我们模拟并分析了... 本文首先给出了SOI上纳米金属 氧化物 半导体场效应晶体管 (NANO MOSFET)的结构 ,它是一种非传统MOSFET .NANO MOSFET源漏区采用金属 ,沟道采用本征硅 ,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应 .利用一组基本器件方程式 ,我们模拟并分析了NANO MOSFET的基本特性 .计算表明 ,NANO MOSFET在一定范围内源漏电导受栅极电压显著调控 ,适用于各种数字电路 ,包括存储单元 .另外 ,选取合适的直流偏置点 ,NANO 展开更多

关键词 纳米器件 半导体场效应晶体管 热电子发射

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神经网络单电子数/模转换器

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作者 乐嘉勇 蒋建飞 +1 位作者 蔡琪玉 程子川 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期280-284,共5页

提出了一种功能性单电子电路 :神经网络单电子数 /模转换器 ,研究了电路特性。结果表明 ,这种单电子电路有很好的数 /模转换功能 ,加上单电子电路固有的极低功耗 ,可极限密度集成 ,高速度 ,使得这种功能性单电子电路在未来的

关键词 神经网络 单电子数/模转换器 加权求和运算 阈值可调 单电子晶体管

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