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题名单晶SiC基片干式摩擦化学机械抛光初探
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作者
薛明普
肖文
李宗唐
王占奎
苏建修
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机构
河南科技学院机电学院
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出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2024年第1期101-108,共8页
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文摘
针对碳化硅(SiC)基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题,提出了一种在干式状态下对SiC基片进行摩擦化学机械抛光的方法(dry tribochemical mechanical polishing,DTCMP)。探究不同工艺参数(磨料种类、磨粒粒径、磨粒含量、抛光盘转速、抛光载荷、固相氧化剂含量)对单晶SiC基片抛光效率和表面质量的影响规律。研究结果表明:金刚石磨粒更适合SiC的摩擦化学机械抛光;当磨粒粒径为W1,磨粒质量为4 g,抛光盘转速为70r/min,抛光载荷为20.685 k Pa,固相氧化剂过碳酸钠添加量为10g时,其为最优工艺参数。采用最优工艺参数对表面粗糙度约为20nm的单晶6H-SiC基片进行干式抛光加工,最终获得表面粗糙度R_(a)为3.214 nm。DTCMP方法抛光SiC基片比水基抛光法热量损失少,所产生的界面温度更高,反应所需的活化能更低,可以实现SiC基片的绿色、高效和高质量抛光。
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关键词
SiC基片
干式摩擦化学机械抛光
材料去除率
表面粗糙度
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Keywords
SiC substrate
dry tribochemical mechanical polishing
material removal rate
surface roughness
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分类号
O786
[理学—晶体学]
TQ163.4
[化学工程—高温制品工业]
TG58
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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