P型长波Hg_（1－x）Cd_xTe材料MBE生长技术研究 被引量：7

1

作者 王善力 杨建荣 +9 位作者 郭世平 于梅芳 陈新强 方维政 乔怡敏 袁诗鑫 何力 张勤耀 丁瑞军 辛田玲 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期333-337,共5页

用分子束外延的方法在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好．在适当的热处理条件下，材料Ｐ型电学参数达到了... 用分子束外延的方法在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好．在适当的热处理条件下，材料Ｐ型电学参数达到了较高水平。 展开更多

关键词 分子束外延 P型 HGCDTE

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应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试 被引量：5

2

作者 王仍 方维政 +10 位作者 赵培 张雷 葛进 袁诗鑫 张惠尔 胡淑红 戴宁 陈晓姝 吴晓君 何山 王钢 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期940-943,共4页

利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶．经X射线衍射测试，发现晶锭中存在沿（110）晶向生长的大晶粒，可以切出10mm×10mm的单晶片．傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2．5～20μm波段的红外透过率约为61％．通过测可见一红外波段的透... 利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶．经X射线衍射测试，发现晶锭中存在沿（110）晶向生长的大晶粒，可以切出10mm×10mm的单晶片．傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2．5～20μm波段的红外透过率约为61％．通过测可见一红外波段的透射光谱，得出禁带宽度为2．24eV．利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲，观察到0．18ps的THz辐射场分布，相应的频谱分布为5THz． 展开更多

关键词 Te溶剂方法 ZnTe单晶 XRD THZ

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GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究 被引量：3

3

作者 黄醒良 方晓明 +4 位作者 陆卫 沈学础 李言谨 袁诗鑫 周小川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期301-308,共8页

测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)... 测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。 展开更多

关键词 多量子阱 红外探测器 拟合

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分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究 被引量：2

4

作者 王善力 于梅芳 +4 位作者 乔怡敏 杨建荣 巫艳 袁诗鑫 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期287-291,共5页

报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时... 报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时精确控制提供了理论依据，并在实验上获得了小于±１℃的生长温度控制精度． 展开更多

关键词 分子束外延 实时监测 红外辐射测温 汞镉碲

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CdSe／ZnTe超晶格微观界面模的多声子喇曼光谱研究 被引量：1

5

作者 侯永田 金鹰 +2 位作者 张树霖 李杰 袁诗鑫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期208-212,共5页

在ＣｄＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格中观察到了超晶格的微观界面模的基础上，本文主要研究了这种微观界面模的多声子散射，结果表明我们首次观察到了达４级的微观界面模的多声子喇曼散射，它具有不同于光学类体模多声子谱的光谱特征及共振行为... 在ＣｄＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格中观察到了超晶格的微观界面模的基础上，本文主要研究了这种微观界面模的多声子散射，结果表明我们首次观察到了达４级的微观界面模的多声子喇曼散射，它具有不同于光学类体模多声子谱的光谱特征及共振行为，通过分析，我们认为这种不同正是微观界面模具有强烈的局域特性的反映． 展开更多

关键词 多声子散射 喇曼光谱 CdSe/ZnTe

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ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究

6

作者 方再利 李国华 +4 位作者 韩和相 丁琨 陈晔 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期28-32,共5页

测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激... 测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3 展开更多

关键词 TE 等电子陷阱 光致发光谱 锌硒碲三元化合物 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 静压 ZnSeTe/ZnSe ZNSE 硒化锌 量子阱

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(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究

7

作者 李国华 韩和相 +3 位作者 汪兆平 李杰 何力 袁诗鑫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期199-207,共9页

(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80... (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm^(-1)。反映了在(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格中LO声子的局域效应。 展开更多

关键词 化合物半导体 量子阱结构 光致发光

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［（Cdse）_m（ZnSe）_n］_p－Znse多量子阱中的多声子散射

8

作者 韩和相 汪兆平 +3 位作者 刘振先 覃文涛 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期161-166,共6页

对用原子层外延方法，在［００１］晶向ＧａＡｓ衬底上生长的［（Ｃｄｓｅ）ｍ（Ｚｎｓｅ）ｎ］ｐ－ＺｎＳｅ应变量子阱结构，在１０～３００Ｋ温度范围内测量了喇曼散射光谱，观察到两种类ＺｎＳｅＬＯ声子限制模．利用改变样品温度和... 对用原子层外延方法，在［００１］晶向ＧａＡｓ衬底上生长的［（Ｃｄｓｅ）ｍ（Ｚｎｓｅ）ｎ］ｐ－ＺｎＳｅ应变量子阱结构，在１０～３００Ｋ温度范围内测量了喇曼散射光谱，观察到两种类ＺｎＳｅＬＯ声子限制模．利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射，观察到高达７阶的类ＺｎＳｅＬＯ声子模．并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别． 展开更多

关键词 碲化镉 多量子阱 多声子散射

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GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究

9

作者 黄醒良 方晓明 +1 位作者 沈学础 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期379-384,共6页

从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。

关键词 超声压焊 熔焊 损伤 红外探测器

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CdTe/ZnTe超晶格的多声子共振喇曼谱研究

10

作者 张树霖 侯永田 +3 位作者 申猛燕 张小洁 李杰 袁诗鑫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第7期453-456,共4页

用共振喇曼散射研究了CdTe/ZnTe应变层超晶格的多声子谱.实验结果表明,我们首次观察到了多达10级的ZnTeLO的多声子喇曼散射,和反映超晶格结构的子带跃迁介入多声子共振喇曼散射过程的实验现象.

关键词 应变层超晶格 多声子谱 喇曼谱

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（ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍

11

作者 朱南昌 李润身 +2 位作者 陈京一 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期167-174,共8页

给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与... 给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零，而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格，表明多量子阱结构有较好的结构完整性．缓冲层与衬底之间有晶向偏角，而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角．在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰．多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小２０％～３０％，说明生长过程中存在表面原子的逃逸，致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了Ｘ射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别． 展开更多

关键词 X射线双晶衍射 多量子阱 硒化镉

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(CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定

12

作者 钟福民 陈京一 +2 位作者 朱南昌 李杰 袁诗鑫 《应用科学学报》 CAS CSCD 1993年第4期333-336,共4页

用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.

关键词 X射线衍射 超晶格 测定 半导体材料

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超晶格（CdTe－ZnTe）／ZnTe／GaAs（001）红外材料的X射线测定

13

作者 钟福民 陈京一 +2 位作者 朱南昌 李杰 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期59-64,共6页

用Ｘ射线衍射并结合Ｘ射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法，对简单和复杂两种结构的（ＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ）／ＺｎＴｅ／ＧａＡｓ（００１）应变超晶格材料的结构和完整性进行了研究，得到了它的结构参数．

关键词 X射线衍射 计算机模拟 红外材料

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Ni丝的自电热升华镀膜及其机理研究

14

作者 黄醒良 方晓明 +1 位作者 沈学础 袁诗鑫 《红外技术》 CSCD 1993年第5期3-7,共5页

讨论了Ni丝自电热升华镀Ni的机理,测定了Φ0.5mmNi丝的升华速率α_V(I′),并讨论了Ni丝镀膜的控制工艺;最后测定了Ni丝的自电热电阻R(I′)和小电流下的变温电阻R(T)。

关键词 真空镀镍 变温电阻 红外材料 调速

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砷离子注入CdTe薄膜热退火效应的共振喇曼与荧光光谱研究 被引量：1

15

作者 张家明 郭世平 +1 位作者 袁诗鑫 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期23-28,共6页

应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为．发现随着退火温度（ＴＡ）升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整，当ＴＡ高于４４０℃，晶格质量陡峭地下降，ＴＡ越高，越多的Ａｓ占据... 应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为．发现随着退火温度（ＴＡ）升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整，当ＴＡ高于４４０℃，晶格质量陡峭地下降，ＴＡ越高，越多的Ａｓ占据Ｔｅ位作为Ｔｅ位受主。 展开更多

关键词 光谱 离子注入 热退火 散射谱 荧光谱 碲化镉 砷

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HgTe／CdTe超晶格的分子束外延生长和电容－电压谱研究 被引量：1

16

作者 邱岳明 刘坤 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期73-76,共4页

在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ... 在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能达到绝缘层电容，类似于普通ＭＩＳ器件的高频Ｃ—Ｖ曲线． 展开更多

关键词 超晶格 分子束外延 MIS系统 电容

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Ge衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物MBE生长研究

17

作者 钟建国 谢钦熙 +2 位作者 张恕明 乔怡敏 袁诗鑫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第9期680-687,共8页

本文报道了单晶ZnSe、ZnTe和CdTe薄膜在Ge(100)衬底上的MBE生长,用RHEED观察了其生长规律,并对样品作了X光衍射及SIMS等测试分析。观察到衬底与外延层之间存在晶向偏角。对这一现象进行了理论解释。

关键词 2-4族化合物 外延生长 MBE Ge衬底

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分子束外延生长CdTe/ZnTe超晶格室温喇曼散射

18

作者 张晓峰 劳浦东 +2 位作者 姚文华 李杰 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期169-174,共6页

首次报道了室温和非共振条件下,分子束外延(MBE)生长的CdTe/ZnTe超晶格的喇曼散射测量和分析。观察到最低级次的CdTe和ZnTe纵光学声子限制模,并用应力和限制效应精确计算了频移,得到的ZnTe纵光学声子频移理论值与实验结果符合得较好。... 首次报道了室温和非共振条件下,分子束外延(MBE)生长的CdTe/ZnTe超晶格的喇曼散射测量和分析。观察到最低级次的CdTe和ZnTe纵光学声子限制模,并用应力和限制效应精确计算了频移,得到的ZnTe纵光学声子频移理论值与实验结果符合得较好。特别指出,当CdTe和ZnTe层厚小于2nm时,声子频移的限制效应不可忽略,对所测样品的喇曼全谱作了分析。 展开更多

关键词 超晶格 喇曼散射 分子束外延

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静压下（CdSe）_m／（ZnSe）_n－ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振喇曼散射研究

19

作者 张江泉 刘振先 +4 位作者 汪兆平 韩和相 李国华 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 1996年第2期107-112,共6页

在静压和液氮温度下观察到（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达４阶的类ＺｎＳｅＬＯ多声子喇曼散射，并观察到厚ＺｎＳｅ势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ＺｎＳｅＬＯ声子散射．结果表明... 在静压和液氮温度下观察到（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达４阶的类ＺｎＳｅＬＯ多声子喇曼散射，并观察到厚ＺｎＳｅ势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ＺｎＳｅＬＯ声子散射．结果表明，加压后（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中的类ＺｎＳｅ的１ＬＯ和２ＬＯ声子模频率分别以３．７６和７．１１ｃｍ－１／ＧＰａ的速率向高频方向移动，超晶格阱层光致发光峰的压力系数为５９．８ｍｅＶ／ＧＰａ．与（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率比与ＺｎＳｅ势垒层共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率低２．０ｃｍ－１。 展开更多

关键词 量子阱 喇曼散射 光致发光 静压 半导体 硒化锌

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MBE生长的p－Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率

20

作者 杜庆红 何力 袁诗鑫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期182-187,共6页

本文报道了利用分子束外延技术在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ异质结，并通过ＶａｎｄｅｒＰａｕｗ（ＶｄＰ）方法测量Ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜在不同温度及磁场下Ｈａｌｌ系数和电导率，采... 本文报道了利用分子束外延技术在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ异质结，并通过ＶａｎｄｅｒＰａｕｗ（ＶｄＰ）方法测量Ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜在不同温度及磁场下Ｈａｌｌ系数和电导率，采用最小二乘法对实验数据下行拟合，得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度． 展开更多

关键词 外延生长 碲化镉汞薄膜 MBE法 Hall系数 电导率

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