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Ti(20 nm)/Al(30 nm)/P型4H-SiC LDMOSFET欧姆接触的改善
1
作者 裴紫微 陈晨 +7 位作者 杨霏 许恒宇 张静 万彩萍 刘金彪 李俊峰 金智 刘新宇 《智能电网（汉斯）》 2015年第6期300-307,共8页
碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有着越来越广泛的应用前景。目前为止,依旧存在着限制SiC LDMOS... 碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有着越来越广泛的应用前景。目前为止,依旧存在着限制SiC LDMOSFET器件进一步发展的瓶颈,欧姆接触便是其中之一。对于p型碳化硅,金属铝被认为是有利于形成欧姆接触的材料,但厚度较厚。研究表明,钛的加入能减小接触电阻,提高热稳定性。主要研究了一种新组分的钛/铝薄层金属用于p型4H-SiC的欧姆接触。通过溅射台将Ti(20 nm)/Al(30 nm)金属电极先后溅射到掺杂浓度为1 &#215;1020 cm?3的p型4H-SiC上,然后在氩气氛围中快速热退火(退火温度为1000℃,时间为2.5 min)形成欧姆接触。用传输线方法测量比接触电阻。最终得到比接触电阻值的优值为5.71 &#215;10?4 Ω?cm2,比预期结果的比接触电阻值降低了一个量级。此结果对Ti/Al基p型SiC LDMOSFET的进一步研究有着积极的意义。 展开更多
关键词 4H-SIC 传输线方法 欧姆接触
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p型SiC欧姆接触的研究进展
2
作者 裴紫微 张静 《智能电网（汉斯）》 2016年第2期116-128,共13页
欧姆接触是碳化硅(Silicon Carbide, SiC)新一代电力电子器件研究中的技术难点之一。除了金属选择外,相对于n型掺杂,SiC材料中p型杂质的离化能比n型杂质的离化能高,优质的p型SiC欧姆接触更难于形成。该文对近十几年来极具代表性的传统A... 欧姆接触是碳化硅(Silicon Carbide, SiC)新一代电力电子器件研究中的技术难点之一。除了金属选择外,相对于n型掺杂,SiC材料中p型杂质的离化能比n型杂质的离化能高,优质的p型SiC欧姆接触更难于形成。该文对近十几年来极具代表性的传统Al基金属体系和非传统Al基金属体系在p型SiC材料上形成欧姆接触的研究进行了总结,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 p型SiC 电力电子器件 欧姆接触
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4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究
3
作者 王嘉铭 钮应喜 +8 位作者 裴紫微 赵妙 杨霏 李俊杰 李俊峰 张静 许恒宇 金智 刘新宇 《智能电网》 2016年第6期550-553,共4页
碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键... 碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键技术。研究通过使用SF_6/O_2/Ar、BCl_3/Cl_2/Ar、CF_4/O_2/Ar等不同刻蚀气体体系对SiC材料进行刻蚀,经过一系列的技术优化,最终开发出硬掩蔽倾斜结合CF_4/O_2/Ar气体干法刻蚀SiC的结终端技术。该技术在改善SiC肖特基势垒二极管击穿电压方面有着积极的作用。 展开更多
关键词 SIC 肖特基势垒二极管 结终端技术 耐压性能
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龙还是狼
4
作者 裴紫微 《中学生（青春悦读）》 2006年第Z3期107-108,共2页
关键词 中华民族
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