期刊文献+
共找到11篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于2维材料的异维结构光电探测器的研究进展
1
作者 王旭乐 程碑彤 +5 位作者 蒋若梅 周咏 谢修敏 赵超军 张伟 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期846-855,共10页
基于2维材料的光电探测器是新一代探测技术的重要发展方向。2维材料因不受晶格匹配的限制,可以利用范德华力与其它维度的材料,如0维的量子点、1维的纳米线、3维的半导体衬底等,形成异维结构的光电探测器。迄今为止,基于2维材料的异维结... 基于2维材料的光电探测器是新一代探测技术的重要发展方向。2维材料因不受晶格匹配的限制,可以利用范德华力与其它维度的材料,如0维的量子点、1维的纳米线、3维的半导体衬底等,形成异维结构的光电探测器。迄今为止,基于2维材料的异维结构光电探测器研究已经取得了很大的进展,实现了显著优于单纯2维材料探测器的性能。归纳了异维结构范德华异质结在光电探测中的优势;指出了2维材料与0维材料、1维材料、3维材料或多层多维度材料组成的异维结构光电探测器的研究现状;并在此基础上,对其面临的挑战和前景进行了总结与展望。 展开更多
关键词 探测器 2维材料 范德华异质结 异维结构
下载PDF
锑化物Ⅱ类超晶格中远红外探测器的研究进展 被引量:4
2
作者 谢修敏 徐强 +5 位作者 陈剑 周宏 代千 张伟 胡卫英 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期688-694,共7页
基于锑化物Ⅱ类超晶格结构的中远红外探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了锑化物Ⅱ类超晶格中远红外探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的应用情况,介绍了其在中远红外雪崩光电探测器领域的研究现状。锑化... 基于锑化物Ⅱ类超晶格结构的中远红外探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了锑化物Ⅱ类超晶格中远红外探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的应用情况,介绍了其在中远红外雪崩光电探测器领域的研究现状。锑化物Ⅱ类超晶格探测器的部分性能指标已接近、甚至超过了碲镉汞探测器,并在部分红外装备上得到了应用。而基于锑化物Ⅱ类超晶格的雪崩光电探测器件在中远红外弱光探测领域尚处于起步阶段,与碲镉汞探测器相比还有很大差距,但同时也呈现出了巨大的发展潜力。 展开更多
关键词 探测器 锑化物 Ⅱ类超晶格 中远红外 雪崩光电探测器
下载PDF
InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器发展研究 被引量:1
3
作者 张伟 徐强 +5 位作者 谢修敏 邓杰 覃文治 胡卫英 陈剑 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期105-108,共4页
基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状。讨论了InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器结构设计、纳米线材料精密生长、纳米线... 基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状。讨论了InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器结构设计、纳米线材料精密生长、纳米线材料的界面与缺陷控制、纳米线雪崩焦平面器件制备工艺等关键技术。对发展高光子探测效率、低噪声、高增益InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器的前景进行了展望。 展开更多
关键词 传感器技术 雪崩焦平面探测器 InGaAs纳米线阵列 光电二极管 探测器
下载PDF
不同形状防辐射屏自发辐射对探测器的影响 被引量:1
4
作者 谢修敏 徐强 +5 位作者 胡卫英 陈剑 黄帅 谭杨 蒋若梅 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期579-584,共6页
为了研究不同形状的防辐射屏自发辐射对探测器的影响并找出影响最小的防辐射屏形状,采用理论计算对抛物面、双曲面、半椭球面(含半球面)、台柱面(含圆柱面和圆椎面)的防辐射屏内屏自发辐射至探测器的功率进行了系统分析。结果表明,各种... 为了研究不同形状的防辐射屏自发辐射对探测器的影响并找出影响最小的防辐射屏形状,采用理论计算对抛物面、双曲面、半椭球面(含半球面)、台柱面(含圆柱面和圆椎面)的防辐射屏内屏自发辐射至探测器的功率进行了系统分析。结果表明,各种形状防辐射屏自发辐射至探测器的功率随防辐射屏高度与底面半径比值的增大而先减小再增大,其中最大值为与探测器尺寸相关的常数,最小值出现在防辐射屏高度与底面半径接近或相等时;当防辐射屏为半椭球面且高度和底面半径相等(即半球面)时,自发辐射至探测器的功率小于其它任何形状的防辐射屏,且与防辐射屏尺寸及顶部开小孔与否无关。本研究能为防辐射屏结构设计提供有价值的参考。 展开更多
关键词 探测器 防辐射屏 自发辐射 冷屏 超导
下载PDF
半导体量子点量子光源研究进展 被引量:3
5
作者 徐强 谢修敏 +5 位作者 张伟 袁菲 胡卫英 邓杰 赵新华 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期575-586,共12页
半导体量子点被认为是制备量子光源的最佳方案。量子点量子光源的可控性、纯度、亮度、全同性和相干性都有了很大的提高,已接近于应用水平。归纳了基于半导体量子点的量子光源研究进展中的关键问题,指出了半导体量子点量子光源在3个方... 半导体量子点被认为是制备量子光源的最佳方案。量子点量子光源的可控性、纯度、亮度、全同性和相干性都有了很大的提高,已接近于应用水平。归纳了基于半导体量子点的量子光源研究进展中的关键问题,指出了半导体量子点量子光源在3个方面的主要进展,并讨论了关键制备技术,即半导体量子点作为单光子光源,实现了高全同性、高纯度、高收集效率等特性;通过降低精细结构分裂效应等措施,量子点量子光源实现了具有高比特率、高保真度特性的光子纠缠;量子点量子光源与平面电子线路和纳米光子系统的芯片集成取得了显著成效。在此基础上,对半导体量子点量子光源在量子信息领域的研究前景进行了展望。 展开更多
关键词 量子光学 量子光源 半导体量子点 单光子源 纠缠源 片上集成
下载PDF
单光子探测器的研究进展 被引量:8
6
作者 程碑彤 代千 +3 位作者 谢修敏 徐强 张杉 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期601-609,共9页
单光子探测器能够探测极微弱光信号,具有较高的灵敏度,在民用和国防领域都有广泛的应用。近年来,随着科学技术的飞速发展,在传统光电探测器件不断优化和改进的同时,其它新型光电探测器件也得到了极大发展且取得了重要技术成果。为深入... 单光子探测器能够探测极微弱光信号,具有较高的灵敏度,在民用和国防领域都有广泛的应用。近年来,随着科学技术的飞速发展,在传统光电探测器件不断优化和改进的同时,其它新型光电探测器件也得到了极大发展且取得了重要技术成果。为深入了解单光子探测器的技术发展现状和趋势,总结了目前具有代表性的单光子探测器在研究现状、技术难点和最新技术突破等方面的关键信息,分析了光电倍增管和雪崩光电二极管等传统单光子探测器的优势与不足以及之后的技术发展方向,同时还介绍了超导纳米线单光子探测器和基于新型2维材料的雪崩光电二极管等几类具有良好光电性能和巨大发展潜力的新型单光子探测器,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 探测器 单光子 光电倍增管 雪崩光电二极管 超导 2维材料
下载PDF
1.55μm单光子源用Si/SiO2-InP微柱腔的鲁棒性研究 被引量:2
7
作者 黄帅 张伟 +5 位作者 席琪 赵新华 谢修敏 徐强 周强 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期532-537,共6页
为了评估实际制备中工艺偏差对此前设计的Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响,采用了基于有限时域差分法的模拟仿真,从工艺缺陷以及工艺误差两个角度,模拟了非理想工艺条件对Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响。结果表明,在目前可达到的加工精度下... 为了评估实际制备中工艺偏差对此前设计的Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响,采用了基于有限时域差分法的模拟仿真,从工艺缺陷以及工艺误差两个角度,模拟了非理想工艺条件对Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响。结果表明,在目前可达到的加工精度下,如椭圆因子为0.1、锥形侧壁角度为3°、尺寸误差为5%,Si/SiO2-InP微柱腔仍能保持满足应用需求的性能,证明了设计的1.55μm量子点单光子源有很高的鲁棒性。该研究为通信波段单光子源提供了切实可行的方案。 展开更多
关键词 光学器件 鲁棒性 有限时域差分法 微腔 单光子源 通信波段
下载PDF
可用于激光雷达的量子光学技术 被引量:2
8
作者 徐强 沈思 +5 位作者 谢修敏 吴鹏 周强 邓光伟 王浟 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期44-47,共4页
为了研究量子关联测量和Hong-Ou-Mandel干涉测量在激光雷达探测上的潜在应用,采用基于色散位移光纤制备关联双光子源的方法和全同光子的Hong-Ou-Mandel干涉原理,搭建了关联双光子产生平台和Hong-Ou-Mandel干涉平台,进行了理论分析和实... 为了研究量子关联测量和Hong-Ou-Mandel干涉测量在激光雷达探测上的潜在应用,采用基于色散位移光纤制备关联双光子源的方法和全同光子的Hong-Ou-Mandel干涉原理,搭建了关联双光子产生平台和Hong-Ou-Mandel干涉平台,进行了理论分析和实验检测。结果表明,制备出的关联双光子源,其双光子产生率最高约8kHz,符合/偶然符合计数比最大值约为15,验证了双光子源的量子关联特性;测试了两路弱相干-单光子源的Hong-Ou-Mandel干涉,干涉可见度为0.41±0.01,若将一路光子信号作为激光雷达的回波信号,Hong-Ou-Mandel干涉测量可以将激光雷达的时间测量精度提升到0.95ps±0.03ps,对应空间分辨率为284.06μm±9.94μm。相关实验结果为后续研究不同体制的量子光学-激光雷达技术奠定了基础。 展开更多
关键词 量子光学 激光雷达 关联双光子源 Hong-Ou-Mandel干涉
下载PDF
球墨铸铁等温淬火的实际经验
9
作者 谢修敏 《国外金属热处理》 1992年第4期19-22,共4页
本文结合实际经验介绍球墨铸铁等温淬火的工艺过程,所用设备及处理后的机械性能。
关键词 球墨铸铁 等温淬火
下载PDF
HfX2(X=Cl,Br,I)Monolayer and TypeⅡHeterostructures with Promising Photovoltaic Characteristics
10
作者 Xingyong Huang Liujiang Zhou +5 位作者 Luo Yan You Wang Wei Zhang Xiumin Xie Qiang Xu Hai-Zhi Song 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2020年第12期62-65,共4页
Two-dimensional(2D)materials and their corresponding van der Waals(vd W)heterostructures are considered as promising candidates for highly efficient solar cell applications.A series of 2D HfX2(X=Cl,Br,I)monolayers are... Two-dimensional(2D)materials and their corresponding van der Waals(vd W)heterostructures are considered as promising candidates for highly efficient solar cell applications.A series of 2D HfX2(X=Cl,Br,I)monolayers are proposed,via first-principle calculations.The vibrational phonon spectra and molecular dynamics simulation results indicate that HfX2 monolayers possess dynamical and thermodynamical stability.Moreover,their electronic structure shows that their Heyd–Scuseria–Ernzerhof(HSE06)-based band values(1.033–1.475 eV)are suitable as donor systems for excitonic solar cells(XSCs).The material’s significant visible-light absorbing capability(~105 cm-1)and superior power conversion efficiency(~20%)are demonstrated by establishing a reasonable typeⅠvd W heterostructure.This suggests the significant potential of HfX2 monolayers as a candidate material for XSCs. 展开更多
关键词 stability. DONOR establishing
原文传递
二氧化硅光栅耦合增强二硫化钼1550nm红外光电效应
11
作者 陆鼎 郝昕 +5 位作者 罗国凌 姚梦麒 谢修敏 陈庆敏 谭超 王泽高 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第6期9-16,共8页
二硫化钼(MoS_(2))作为最有前景的二维半导体材料之一,在光电子器件领域具有广泛的应用前景.而多层MoS_(2)带隙宽度为1.20 eV,导致其在1033 nm以上波长的光吸收弱,影响其在更长波长范围的光电探测.介质光栅工程作为一种光学调控手段,可... 二硫化钼(MoS_(2))作为最有前景的二维半导体材料之一,在光电子器件领域具有广泛的应用前景.而多层MoS_(2)带隙宽度为1.20 eV,导致其在1033 nm以上波长的光吸收弱,影响其在更长波长范围的光电探测.介质光栅工程作为一种光学调控手段,可有效调控光的局域场强和电场分布,从而增强光与物质相互作用.本研究利用二氧化硅(SiO_(2))介质光栅工程对MoS_(2)晶体管进行调控,以探究其在1550 nm下的光电效应.研究发现,在MoS_(2)沟道区域耦合SiO_(2)介质光栅可将晶体管迟滞电压从1.68 V降至0 V;在10 mW/cm^(2)光照下,SiO_(2)光栅所形成的局域电场使器件载流子迁移率从3.52 cm^(2)/(V·s)提高至5.67 cm^(2)/(V·s);与此同时,光栅结构的耦合将MoS_(2)晶体管光响应从162 mA/W提高至263 mA/W.上述工作进一步推动了二维半导体介质光栅工程的研究和发展,并为二维材料在1033 nm以上波长光电子器件的发展提供了参考. 展开更多
关键词 二硫化钼 光电子器件 SiO2介质光栅工程 光电效应
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部