巴润选矿厂带式输送系统智能化在线监控

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作者 唐绍义 王国英 贾勇强 《矿业装备》 2024年第7期138-140,共3页

主要介绍了巴润选矿厂引进的一套设备智能化在线监控振动温度系统在带式输送机上的应用情况,该系统建立基于人工智能的工业云平台,为每台设备进行数学建模,可以智能化地从设备监测数据获取设备近期状态,预测其未来趋势,提前预知风险。... 主要介绍了巴润选矿厂引进的一套设备智能化在线监控振动温度系统在带式输送机上的应用情况,该系统建立基于人工智能的工业云平台,为每台设备进行数学建模,可以智能化地从设备监测数据获取设备近期状态,预测其未来趋势,提前预知风险。该系统通过实时采集振动温度参数,判断设备运行状态,将结合具体数据分析系统的实际应用效果,并通过APP、WEB和短信形式提供诊断结果。在工人和系统的相互配合下,优化了维保流程,提高了设备的稳定运行效率。 展开更多

关键词 选矿厂 智能化 带式输送机 在线监控

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Nb／C_（60）／p型Si结构的特性 被引量：4

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作者 陈开茅 金泗轩 +4 位作者 贾勇强 吴克 李传义 顾镇南 周锡煌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期716-720,共5页

研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的... 研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１． 展开更多

关键词 硅 结构 电学特性 异质结

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破碎围岩分层注浆工艺及应用 被引量：10

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作者 胡黎明 贾勇强 陈红旭 《煤炭工程》 北大核心 2016年第6期48-50,共3页

针对普通注浆方式工艺复杂、效果不佳的问题,提出分层注浆工艺,即根据破碎围岩内部浆液扩散方式不同,将围岩划分为浅层和深层,配合新型无机双液注浆材料和组合注浆管,实现单孔、同种材料分层注浆,简化了施工工艺。结果表明:分层注浆工... 针对普通注浆方式工艺复杂、效果不佳的问题,提出分层注浆工艺,即根据破碎围岩内部浆液扩散方式不同,将围岩划分为浅层和深层,配合新型无机双液注浆材料和组合注浆管,实现单孔、同种材料分层注浆,简化了施工工艺。结果表明:分层注浆工艺以完全渗流区为边界,将破碎围岩划分为浅层和深层,浅层以充填注浆为主,深层以渗透注浆和劈裂注浆为主;新型注浆材料性能可调范围大,有利于实现分层注浆工艺;与普通注浆段相比,分层注浆段两帮和顶底板收敛量分别减小至33.8%和30%,巷道初始剧烈变形位置从工作面前方45m缩减至工作面前方20m,加固作用显著。 展开更多

关键词 分层注浆工艺 浅层 深层 新型无机双液注浆材料 破碎围岩

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多孔硅发强可见光的新物理模型 被引量：22

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作者 秦国刚 贾勇强 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第10期648-651,共4页

本文提出一个关于多孔硅发强可见光的物理模型:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒中的电子-空穴对能量增高与电子-空穴对通过纳米硅粒以外的发光中心复合而发光。在用阳极氧化刚制备或用HF酸刚处理过的多孔硅中,硅-氢键特别是多硅烷可能是... 本文提出一个关于多孔硅发强可见光的物理模型:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒中的电子-空穴对能量增高与电子-空穴对通过纳米硅粒以外的发光中心复合而发光。在用阳极氧化刚制备或用HF酸刚处理过的多孔硅中,硅-氢键特别是多硅烷可能是主导的发光中心,而在经过适当氧化处理后发光比较稳定的多孔硅中,发光中心可能是氧化层中的点缺陷或杂质。 展开更多

关键词 多孔硅 发光 物理模型

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发可见光多孔硅的电子顺磁共振研究 被引量：1

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作者 贾勇强 傅济时 +4 位作者 毛晋昌 吴恩 张伯蕊 张丽珠 秦国刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期385-389,共5页

本文研究了发可见光的多孔硅薄膜及其粉末的电子顺磁共振(EPR)信号。采用不同电阻率和不同晶向的硅单晶衬底,经过不同条件的阳极氧化制成多孔硅薄膜,其光致发光峰在可见光范围,其EPR信号(标记为PK6)来自三角轴对称的自旋中心,对称轴方... 本文研究了发可见光的多孔硅薄膜及其粉末的电子顺磁共振(EPR)信号。采用不同电阻率和不同晶向的硅单晶衬底,经过不同条件的阳极氧化制成多孔硅薄膜,其光致发光峰在可见光范围,其EPR信号(标记为PK6)来自三角轴对称的自旋中心,对称轴方向是衬底晶格的〈111〉晶向。该结果说明多孔硅中保留着单晶硅成份。分析PK6的对称性及其g张量主值发现它很可能是硅悬键。多孔硅粉末的EPR信号表现为PK6信号的无规取向平均谱。 展开更多

关键词 多孔硅 顺磁共振 发光

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大采高工作面复用巷道二次注浆支护技术 被引量：7

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作者 贾勇强 陈红旭 《煤炭工程》 北大核心 2017年第5期33-35,共3页

针对大采高工作面复用巷道变形大、维护困难的问题,通过现场实测分析复用巷道变形破坏规律,提出围岩协调支护理论,阐述围岩变形与注浆支护时机的作用机理,应用新型注浆材料进行了二次注浆支护试验。结果表明:复用巷道可划分为超前影响... 针对大采高工作面复用巷道变形大、维护困难的问题,通过现场实测分析复用巷道变形破坏规律,提出围岩协调支护理论,阐述围岩变形与注浆支护时机的作用机理,应用新型注浆材料进行了二次注浆支护试验。结果表明:复用巷道可划分为超前影响区、初始变形区、剧烈变形区、趋于稳定区、稳定区;协调支护理论认为注浆支护应在围岩变形起始阶段进行,在工作面前、后方进行二次注浆支护;复用巷道采用二次注浆支护变形量减小50%以上。 展开更多

关键词 大采高工作面 复用巷道 协调支护 新型注浆材料 二次注浆支护

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固体C_（70）／P型Si接触的电学性质

7

作者 陈开茅 贾勇强 +4 位作者 吴克 金泗轩 李传义 周锡煌 顾镇南 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期801-804,共4页

我们制成固体Ｃ７０／ｐ型Ｓｉ单晶半导体异质结电流电压（Ｊ－Ｖ）测量表明该结具有强整流作用，当偏压为±２Ｖ时，其整流比大于１０４倍电流温度（Ｊ－Ｔ－１）测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系，从中可得接触势垒的... 我们制成固体Ｃ７０／ｐ型Ｓｉ单晶半导体异质结电流电压（Ｊ－Ｖ）测量表明该结具有强整流作用，当偏压为±２Ｖ时，其整流比大于１０４倍电流温度（Ｊ－Ｔ－１）测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系，从中可得接触势垒的有效高度为０．２７ｅＶ． 展开更多

关键词 电学性质 硅 碳70 P型 异质结

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用超精细分裂计算研究非晶硅中g=2.0055 ESR谱

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作者 贾勇强 秦国刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期403-410,共8页

针对非晶硅中g=2.0055 ESR谱对应于悬键(三配位硅原子)还是浮键(五配位硅原子)的争论,首次用CNDO/2方法计算了三配位和五配位原子模型的ESR谱超精细分裂的各向同性部分a.结果表明,无论是孤立悬键模型还是受悬键对方硅原子影响的悬键模型... 针对非晶硅中g=2.0055 ESR谱对应于悬键(三配位硅原子)还是浮键(五配位硅原子)的争论,首次用CNDO/2方法计算了三配位和五配位原子模型的ESR谱超精细分裂的各向同性部分a.结果表明,无论是孤立悬键模型还是受悬键对方硅原子影响的悬键模型,在经过弛豫之后,其a值计算结果都可以解释g=2.0055ESR谱的a值仅为74高斯的实验结果.而五配位或准五配位原子模型的a值计算结果却明显大于74高斯. 展开更多

关键词 非晶硅 悬键 浮键 ESR 超精细分裂

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芽殖酵母S期检验点通路定量生物学研究

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作者 贾勇强 李方廷 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期805-811,共7页

构建由羟基脲(HU)诱导的芽殖酵母S期检验点激活和调控DNA复制的理论模型。模拟结果表明,对于不同浓度HU的刺激,检验点激活和调控系统的反应存在霍普夫分岔,其中的分岔点对应于检验点激活的HU阈值浓度;而且发现该通路的激活过程在较大参... 构建由羟基脲(HU)诱导的芽殖酵母S期检验点激活和调控DNA复制的理论模型。模拟结果表明,对于不同浓度HU的刺激,检验点激活和调控系统的反应存在霍普夫分岔,其中的分岔点对应于检验点激活的HU阈值浓度;而且发现该通路的激活过程在较大参数范围内会出现振荡现象。同时,利用构建了Rnr3-GFP荧光蛋白的酵母菌株,在不同的HU浓度刺激下,测量酵母菌Rnr3蛋白多时间点的表达水平,得到酵母菌对HU浓度的实验反应阈值,与理论结果相符合。这一工作构建了酵母S期检验点定量研究的基本框架,可为进一步的理论和实验研究提供线索。 展开更多

关键词 S期检验点 自磷酸化 双稳态 霍普夫分岔

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打造学雷锋志愿服务活动品牌

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作者 贾勇强 《教育家》 2019年第10期64-64,共1页

北京市第四十三中学是一所具有70年悠久历史的老校。学校的学雷锋志愿服务活动是一项坚持了几十年的传统教育活动,'全体四十三中人,人人都是志愿者'在校园中已经深入人心。德育处、团委在每年3月5日学雷锋日都会举行隆重的学雷... 北京市第四十三中学是一所具有70年悠久历史的老校。学校的学雷锋志愿服务活动是一项坚持了几十年的传统教育活动,'全体四十三中人,人人都是志愿者'在校园中已经深入人心。德育处、团委在每年3月5日学雷锋日都会举行隆重的学雷锋志愿服务启动仪式,向全校同学发出志愿服务倡议。 展开更多

关键词 志愿服务 学雷锋

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底流泵变频器稳定运行的技术探讨

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作者 康娟 贾勇强 《包钢科技》 2014年第6期73-75,共3页

文章分析底流泵变频器的常见故障及原因。通过更换变频器及优化参数,成功解决了底流泵变频器运行中的各类故障,降低了底流泵变频器的故障率,为底流泵变频器及整个尾矿区域的稳定运行打下良好的基础。

关键词 底流泵 变频器 稳定性 维护保养

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固体C_(60)/Si异质结的电学表征——整流特性、能带模型与温偏效应

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作者 陈开茅 贾勇强 +4 位作者 金泗轩 吴克 李传义 顾镇南 周锡煌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期265-273,共9页

研究了非掺杂固体C_(60)与n-Si和与p-Si接触的电学性质,电流-电压(J-V)特性测量表明两种接触的导电极性相反,且都具有很强的整流作用,表明在两种接触界面附近存在着阻挡载流子输运的、性质不同的势垒.电流-温度(J-T)测量表明,电流与温... 研究了非掺杂固体C_(60)与n-Si和与p-Si接触的电学性质,电流-电压(J-V)特性测量表明两种接触的导电极性相反,且都具有很强的整流作用,表明在两种接触界面附近存在着阻挡载流子输运的、性质不同的势垒.电流-温度(J-T)测量表明,电流与温度的倒数呈指数依赖关系,从中估算出C_(60)/n-Si和C_(60)/p-Si异质结的有效势垒高度分别为0.30和0.48eV.引进异质结的能带模型,成功地解释了上述测量结果,由能带模型和测量数据估算出以硅为衬底的固体C_(60)膜的电子亲合能为3.92eV,禁带宽度小于1.72eV,高频电容-电压(C-V)测量表明:温偏对异质结的C-V特性有严重影响,用C_(60)膜中的可动负离子效应成功地解释了这一现象,并估算出负离子浓度为3.1×10^(12)cm^(-2).用高频C-V测量准确确定了C_(60)的相对介电常数,在300—370K温度范围内其值为3.7±0.1. 展开更多

关键词 碳60 硅 异质结 电学性质 能带 整流

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注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿

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作者 陈开茅 金泗轩 +4 位作者 贾勇强 邱素娟 吕云安 何梅芬 刘鸿飞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期491-498,共8页

详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×10^(13)cm^(-2)的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E_1(0.111),E_2(0.234),E_3(0.415),E_4(... 详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×10^(13)cm^(-2)的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E_1(0.111),E_2(0.234),E_3(0.415),E_4(0.669)和一个空穴陷阱H(0.545),而在能量为20keV和剂量为5×10^(14)cm^(-2)的氮离子注入并经同样退火的同种GaAs中,只观测到E_4和H(0.545)两种缺陷,E_2和E_3是高能量注入损伤缺陷,E_4可能是本征缺陷和注入损伤的络合物,H(0.545)是与氮有关的深能级,它可能与掺氮n型GaAs中的自由载流子受到严重补偿有关。 展开更多

关键词 砷化镓 注氮 深能级 载流子

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