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氧化镓单晶在酸碱条件下的腐蚀坑形貌研究
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作者 高崇 韦金汕 +5 位作者 欧阳政 何敬晖 王增辉 卜予哲 赛青林 赵鹏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2186-2195,共10页
氧化镓晶体材料由于其优异的性能以及可以用熔体法生长的优势,在功率器件、光电领域有着巨大的潜力。近年来,国内外众多专家也随之开展对氧化镓单晶材料的研究工作,高质量低缺陷的氧化镓单晶材料对后续的外延、器件的制备极其重要。目前... 氧化镓晶体材料由于其优异的性能以及可以用熔体法生长的优势,在功率器件、光电领域有着巨大的潜力。近年来,国内外众多专家也随之开展对氧化镓单晶材料的研究工作,高质量低缺陷的氧化镓单晶材料对后续的外延、器件的制备极其重要。目前,国际上主流的生长方法是导模法,导模法具有生长周期短、尺寸大及生长稳定等优点,然而在晶体缺陷控制方面还有很大的进步空间。本文围绕氧化镓单晶的腐蚀坑形貌,对导模法生长的氧化镓单晶进行加工制样,进行了不同酸碱条件下的腐蚀实验。详细介绍了观察到的不同腐蚀坑形貌,分析了晶体缺陷对腐蚀坑形貌的影响,对今后氧化镓单晶生长机理和晶体缺陷的研究具有重要意义。 展开更多
关键词 氧化镓单晶 导模法 缺陷 腐蚀 腐蚀坑形貌 单晶生长
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Cr^(3+)掺杂Al_2O_3-YAG共晶的生长及光谱性能研究 被引量:3
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作者 赛青林 夏长泰 +1 位作者 狄聚青 王璐璐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期563-566,共4页
采用光学浮区法成功地生长出了质量良好的共晶。通过XRD分析,确认了共晶组成中仅含有Al2O3和YAG两种晶相,发现随着Cr的掺入,两相的晶胞参数相对于纯单晶略有增大。通过SEM观察发现共晶组织中两种晶相无序交错排布,共晶间距约10μm左右... 采用光学浮区法成功地生长出了质量良好的共晶。通过XRD分析,确认了共晶组成中仅含有Al2O3和YAG两种晶相,发现随着Cr的掺入,两相的晶胞参数相对于纯单晶略有增大。通过SEM观察发现共晶组织中两种晶相无序交错排布,共晶间距约10μm左右。测量了室温下掺Cr共晶的吸收光谱、激发光谱和发射光谱。在402 nm和556 nm的激发波长下,共晶的发射谱均表现出了较好的R线发射,并在掺杂浓度达到0.4 wt%时达到极大值。其激发谱与吸收谱峰位基本一致,说明从激发态向基态跃迁时,发生无辐射跃迁的概率很小。通过与两种单晶的光谱的对比,确认进入Al2O3中八面体的Cr3+在共晶的光谱性质中起主要作用。 展开更多
关键词 共晶 浮区法 吸收光谱 激发光谱 发射光谱
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宽禁带半导体β-Ga_2O_3单晶的研究进展 被引量:9
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作者 张宏哲 +2 位作者 夏长泰 赛青林 肖海 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期2943-2953,共11页
本论文综述了宽禁带半导体β-Ga_2O_3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质。β-Ga_2O_3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景。
关键词 β-Ga2O3 晶体生长 LED MOSFET 紫外光探测器
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混晶β-(Al,Ga)_2O_3的禁带调节(英文) 被引量:3
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作者 肖海 邵刚勤 +3 位作者 赛青林 夏长泰 周圣明 易学专 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1258-1262,共5页
通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)_2O_3混晶。当Al^(3+)掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象。进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)_2O_3混晶保持了β-Ga_2O_3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al^(... 通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)_2O_3混晶。当Al^(3+)掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象。进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)_2O_3混晶保持了β-Ga_2O_3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al^(3+)浓度的增加,晶格常数a、b、c减小,β角增大;核磁共振光谱显示Al的确进入了Ga的格位并且取代了Ga的四配位和六配位格位,两者的比例约为1:3。通过测试β-(Al,Ga)_2O_3混晶的透过光谱,得出β-(Al,Ga)_2O_3混晶的禁带调节范围为4.72~5.32 eV,扩大了β-Ga_2O_3晶体在更短波段的光电子探测器方面的应用。 展开更多
关键词 β-Ga2O3 Al3+ 禁带宽度 半导体
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光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究 被引量:3
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作者 张小桃 谢建军 +4 位作者 夏长泰 张晓欣 肖海 赛青林 户慧玲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2354-2358,共5页
作为垂直结构的Ga N基LED新型衬底材料,β-Ga2O3单晶已经引起了人们的广泛关注。β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4+掺入是其中一种很好提高β-Ga2O3导电性的方法。利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10%的... 作为垂直结构的Ga N基LED新型衬底材料,β-Ga2O3单晶已经引起了人们的广泛关注。β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4+掺入是其中一种很好提高β-Ga2O3导电性的方法。利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10%的掺锡氧化镓单晶(Sn∶β-Ga2O3),并对Sn∶β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究。结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射。 展开更多
关键词 Sn∶β-Ga2O3 浮区法 电导率 荧光光谱
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光学浮区法生长Si∶β-Ga_2O_3单晶及其光谱研究 被引量:3
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作者 王璐璐 夏长泰 +2 位作者 赛青林 狄聚青 牟菲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期607-610,共4页
采用浮区法生长了质量较好的Si∶β-Ga2O3单晶,直径约为8 mm,长度约为2 cm。进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si∶β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3格位中;在室温下测试了Si∶β-Ga2O3吸收光谱,吸收... 采用浮区法生长了质量较好的Si∶β-Ga2O3单晶,直径约为8 mm,长度约为2 cm。进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si∶β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3格位中;在室温下测试了Si∶β-Ga2O3吸收光谱,吸收截止边约为255 nm,并分析了退火对吸收截止边的影响;测试了荧光发射谱,研究了不同激发波长对其紫外及紫色波段发光的影响。 展开更多
关键词 Si∶β-Ga2O3 浮区法 光谱
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Pr∶Lu_3Al_5O_(12)闪烁晶体生长及光学性能研究 被引量:3
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作者 崔宏伟 陈建玉 +3 位作者 丁雨憧 狄聚青 赛青林 赵广军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1367-1370,1393,共5页
本文通过优化晶体生长工艺,采用提拉法生长了浓度分别为0.5at%、1at%和3at%系列高质量Pr3+掺杂Lu3Al5O12晶体。通过ICP、透射光谱、荧光光谱等系统研究了晶体性能。结果表明:Pr∶LuAG晶体在紫外光范围内有较强吸收峰;X射线激发荧光峰较... 本文通过优化晶体生长工艺,采用提拉法生长了浓度分别为0.5at%、1at%和3at%系列高质量Pr3+掺杂Lu3Al5O12晶体。通过ICP、透射光谱、荧光光谱等系统研究了晶体性能。结果表明:Pr∶LuAG晶体在紫外光范围内有较强吸收峰;X射线激发荧光峰较光致激发荧光峰发生蓝移;随掺杂浓度的提高,晶体中Pr3+的浓度成比例提高,同时晶体的透过率及荧光光谱强度都有相应提高。 展开更多
关键词 Pr∶LuAG晶体 晶体生长 光学性能
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(Y_(0.99-x)Ce_(0.01)Gd_x)_3Al_5O_(12)-Al_2O_3共晶的生长和性能研究 被引量:1
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作者 吕正勇 施鹰 +3 位作者 殷录桥 夏长泰 赛青林 狄聚青 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1356-1360,共5页
采用光学浮区法生长了质量较好(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶,直径约为7 mm,长度约为25 mm。通过XRD分析,结果表明共晶中只有Al2O3和YAG两种晶相;通过SEM观察表明,两种晶相在三维空间交错生长,形成自生互穿网络结构,共晶间距为10... 采用光学浮区法生长了质量较好(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶,直径约为7 mm,长度约为25 mm。通过XRD分析,结果表明共晶中只有Al2O3和YAG两种晶相;通过SEM观察表明,两种晶相在三维空间交错生长,形成自生互穿网络结构,共晶间距为10μm左右。在室温下,进行了发射光谱和荧光寿命的测试,发现随着Gd3+浓度的增加,发射光谱发生了红移,最大发射波长从555 nm移至570 nm,荧光寿命为65 ns附近,并测试了共晶荧光体与大功率蓝光芯片匹配所得的光色性能。 展开更多
关键词 中国科学院大学 北京100049(Y0 99-xCe0 01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶 浮区法 发射光谱
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Eu^(3+)离子注入β-Ga_(2)O_(3)单晶的应力变化和发光性质研究
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作者 王丹 王晓丹 +2 位作者 夏长泰 赛青林 曾雄辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第4期600-605,共6页
采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga_(2)O_(3)∶Eu^(3+)样品,并在空气中进行了退火处理,成功实现了Eu^(3+)的光学激活。通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga_(2)O_(3)晶体随Eu^(3+)注入剂量的应力变化趋势,发现随着Eu^(3+)剂量的增加,晶... 采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga_(2)O_(3)∶Eu^(3+)样品,并在空气中进行了退火处理,成功实现了Eu^(3+)的光学激活。通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga_(2)O_(3)晶体随Eu^(3+)注入剂量的应力变化趋势,发现随着Eu^(3+)剂量的增加,晶格应力先增加后减少,并对其内在机理进行了分析。利用阴极荧光光谱对晶体的发光性质进行了表征,主要观察到峰值位于380 nm附近、宽的缺陷发光峰以及峰值位于591 nm、597 nm和613 nm的Eu^(3+)发光峰。通过高斯拟合发现,该380 nm发光峰主要由360 nm、398 nm和442 nm三个子峰构成,分别与自陷激子和施主-受主对有关。此外,Eu^(3+)发光峰位置与强度受到基质局域晶体场的影响。 展开更多
关键词 氧化镓 应力 发光性质 缺陷 离子注入 高斯拟合
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Ta^(5+)、Nb^(5+)掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶光电性质研究进展
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作者 王超 赛青林 齐红基 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期219-227,共9页
β-Ga_(2)O_(3)作为宽禁带半导体材料,以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队在如何制备β-Ga_(2)O_(3)单晶及如何通过掺杂五族离子实现对β-Ga_(2)O_(3)单晶电学性质及光学性... β-Ga_(2)O_(3)作为宽禁带半导体材料,以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队在如何制备β-Ga_(2)O_(3)单晶及如何通过掺杂五族离子实现对β-Ga_(2)O_(3)单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究,对β-Ga_(2)O_(3)单晶的制备方法、Ta5+与Nb5+掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶的电学性质及光学性质进行了综述。 展开更多
关键词 材料 β-Ga_(2)O_(3)单晶 制备方法 光学性质 电学性质
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Spectra properties of Yb^(3+),Er^(3+):Sc_2SiO_5 crystal
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作者 薛艳艳 郑丽和 +3 位作者 姜大朋 赛青林 苏良碧 徐军 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期362-365,共4页
The influence of Er3+ ions on the spectra of Yb^(3+),Er^(3+): Sc_2 SiO_5(SSO) single crystal, which was obtained by Czochralski(Cz) method, is discussed. The absorption coefficient at 980 nm was 13.36 cm^(-1) with a p... The influence of Er3+ ions on the spectra of Yb^(3+),Er^(3+): Sc_2 SiO_5(SSO) single crystal, which was obtained by Czochralski(Cz) method, is discussed. The absorption coefficient at 980 nm was 13.36 cm^(-1) with a peak absorption cross-section of 1.46 × 10^(-20) cm2. The emission cross-sections at 1034 nm and 1062 nm were 5.5 × 10^(-21) cm^2 and4.9 × 10^(-21) cm^2, respectively. The fluorescence lifetime was estimated as 1.24 ms at 1061 nm. The mechanical properties of SSO single crystal were also presented. 展开更多
关键词 YB3+ Er3+: Sc2SiO5 SPECTRA PROPERTIES mechanical PROPERTIES
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Influence of annealing treatment on the luminescent properties of Ta:β-Ga2O3 single crystal
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作者 余小威 崔慧源 +2 位作者 朱茂东 夏志 赛青林 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第7期475-478,共4页
Ta5+doped β-Ga2O3 single crystals were grown by using the optical floating zone method, and then annealed in the air and nitrogen gas at 1400℃ for 20 hours.The transmittance spectra, photoluminescence(PL), x-ray irr... Ta5+doped β-Ga2O3 single crystals were grown by using the optical floating zone method, and then annealed in the air and nitrogen gas at 1400℃ for 20 hours.The transmittance spectra, photoluminescence(PL), x-ray irradiation spectra, and PL decay profiles of the samples were measured at room temperature.The relevant results show that the optical transmittance of the samples annealed in the air or nitrogen gas was improved.By drawing the(ahv)2–hv graph,it can be seen that the band gap decreased after being annealed in the air, but increased in nitrogen gas.The PL spectra and x-ray irradiation spectra show that the luminescent intensity of the sample annealed in the air increased substantially,while decreased for the sample annealed in nitrogen.The PL decay time of the Ta:β-Ga2O3 annealed in the air increased significantly compared with that of the Ta:β-Ga2O3 sample without annealing, but the tendency after annealing in nitrogen gas was opposite. 展开更多
关键词 Ta:β-Ga2O3 FLOATING zone method TRANSMITTANCE spectra ANNEALING
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Mn^(2+)和Cr^(3+)在镁铝尖晶石中的发光性质及其能量传递 被引量:2
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作者 饶汗 夏长泰 +2 位作者 初本莉 丁鹏 赛青林 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1921-1925,共5页
通过凝胶固相法在1400℃合成了单掺Mn2+,单掺Cr3+以及双掺Mn2+和Cr3+的镁铝尖晶石粉体。单掺Mn2+离子的样品在450 nm波长激发下有绿光发射(520 nm),单掺Cr3+离子的样品在397 nm波长激发下具有蓝光(450 nm)和红光发射(689 nm),在545 nm... 通过凝胶固相法在1400℃合成了单掺Mn2+,单掺Cr3+以及双掺Mn2+和Cr3+的镁铝尖晶石粉体。单掺Mn2+离子的样品在450 nm波长激发下有绿光发射(520 nm),单掺Cr3+离子的样品在397 nm波长激发下具有蓝光(450 nm)和红光发射(689 nm),在545 nm波长激发下也有红光发射(689 nm);而双掺的Mg1-xAl2(1-y)O4∶xMn2+,yCr3+粉末在450 nm波长的蓝光激发下,同时具有绿光(515 nm)和红光发射(677 nm,694 nm)。实验发现在共掺杂的镁铝尖晶石体系中Mn2+和Cr3+离子之间存在能量传递,二者可以互为激活中心和敏化中心,其中Mn2+对Cr3+的敏化作用较强。因此这种粉体可以用做蓝光芯片激发的白光LED灯用荧光粉。 展开更多
关键词 材料 荧光粉 镁铝尖晶石 Mn2+离子 Cr3+离子 能量传递
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Optical and electrical properties of Sb-doped β-Ga_(2)O_(3) crystals grown by OFZ method
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作者 李百中 李鹏坤 +8 位作者 张璐 田瑞丰 赛青林 潘明艳 王斌 陈端阳 刘有臣 夏长泰 齐红基 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期100-104,共5页
Sb-doped β-Ga_(2)O_(3) crystals were grown using the optical floating zone(OFZ) method.X-ray diffraction data and X-ray rocking curves were obtained,and the results revealed that the Sb-doped single crystals were of ... Sb-doped β-Ga_(2)O_(3) crystals were grown using the optical floating zone(OFZ) method.X-ray diffraction data and X-ray rocking curves were obtained,and the results revealed that the Sb-doped single crystals were of high quality.Raman spectra revealed that Sb substituted Ga mainly in the octahedral lattice.The carrier concentration of the Sb-doped single crystals increased from 9.55 × 10^(16) to 8.10 × 10^(18) cm^(-3),the electronic mobility depicted a decreasing trend from 153.1 to108.7 cm~2·V^(-1)·s^(-1),and the electrical resistivity varied from 0.603 to 0.017 Ω·cm with the increasing Sb doping concentration.The un-doped and Sb-doped β-Ga_(2)O_(3) crystals exhibited good light transmittance in the visible region;however,the evident decrease in the infrared region was caused by increase in the carrier concentration.The Sb-doped β-Ga_(2)O_(3) single crystals had high transmittance in the UV region as well,and the cutoff edge appeared at 258 nm. 展开更多
关键词 Sb-dopedβ-Ga_(2)O_(3) crystal growth optical properties electrical properties
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Crystal characterization and optical spectroscopy of Eu^(3+)-doped CaGdAlO_4 single crystal fabricated by the floating zone method 被引量:1
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作者 李瑞娟 徐晓东 +6 位作者 苏良碧 赛青林 夏长泰 杨秋红 徐军 Adam Strzep Anita Pókoszek 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期68-72,共5页
A highly transparent Eu^(3+)-doped CaGdAlO_4(CGA) single crystal is grown by the floating zone method.The segregation coefficient,x ray diffraction,and x ray rocking curve are detected,and the results reveal that the ... A highly transparent Eu^(3+)-doped CaGdAlO_4(CGA) single crystal is grown by the floating zone method.The segregation coefficient,x ray diffraction,and x ray rocking curve are detected,and the results reveal that the single crystal is of high quality.The f –f transitions of Eu^(3+) in the host lattice are discussed.The ~5D_0–~7F_2 emission transition at 621 nm(red light) is dominant over the ~5D_0–~7F_1 emission transitions at 591 and 599 nm(orange light),agreeing well with the random crystal environment of Eu^(3+) ions in a CGA crystal.The decay time of Eu:~5D_0 is measured to be 1.02 ms.All the results show that the Eu:CGA crystal has good optical characterization and promises to be an excellent red-fluorescence material. 展开更多
关键词 光学 光本性 理论 光辐射
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Energy transfer in Ce,Nd,and Yb co-doped YAG phosphors
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作者 王璐璐 夏长泰 +3 位作者 许鹏 狄聚青 赛青林 牟菲 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第6期58-61,共4页
YAG-Ce,Nd,and Yb phosphors with a triple-doped system are prepared by conventional solid-state reaction method.The fluorescence emission and excitation spectra are measured and analyzed.The influences of Yb3+ doping c... YAG-Ce,Nd,and Yb phosphors with a triple-doped system are prepared by conventional solid-state reaction method.The fluorescence emission and excitation spectra are measured and analyzed.The influences of Yb3+ doping concentration on the emission of Yb3+ and Nd3+ in YAG-Ce,Nd,and Yb are studied.The fluorescence decay spectra,lifetime,and energy transfer efficiency of Ce3+ in different host materials of YAG-Ce and Yb,and YAG-Ce,Nd,and Yb are also compared.Furthermore,the trends of fluorescence decay spectra and the lifetimes of Nd3+ and Yb 3+ in YAG-Ce,Nd,and Yb with the increase of Yb3+ concentration are discussed.Results indicate that YAG-Ce,Nd,and Yb are good candidates for downconverting phosphor,with energy transfer efficiency reaching as high as 82.8%. 展开更多
关键词 YAG荧光粉 能量传输 共掺 能量转移效率 能量转换效率
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V-doped MgAl_6O_(10):novel luminescence substrate for phosphor-free UV-white LEDs
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作者 许鹏 夏长泰 +4 位作者 吴峰 李星 赛青林 周国清 徐晓东 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第2期65-67,共3页
V-doped MgAl6O10 is grown by the conventional Czochralski method. The crystal structure and the cell parameters are analyzed through X-ray diffraction experiments. The absorption and emission spectra are investigated.... V-doped MgAl6O10 is grown by the conventional Czochralski method. The crystal structure and the cell parameters are analyzed through X-ray diffraction experiments. The absorption and emission spectra are investigated. Under pumping at 324 nm, the emission spectra of V-doped MgAl6O10 obtain two emission peaks at the wavelengths of 471 and 570 nm. Two emission bands of the spectra combine to produce a spectrum that is perceived as white by the naked eye. Therefore, V-doped MgAl6O10 single crystal can be applied as substrate for phosphor-free ultraviolet (UV)-white light-emitting diodes (LEDs). 展开更多
关键词 白色发光二极管 白光LED 荧光粉 紫外线 掺杂 V型 基板 X射线衍射实验
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