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基于立德树人 守正创新 人文关怀的中医外科临床带教思政教育融入探索——以乳腺疾病为例
1
作者 马丙娥 赵正平 《中国中医药现代远程教育》 2024年第5期26-29,共4页
结合中医外科学课程特点,将思政教育融入课程教学以及临床带教中,以专业知识为载体,结合立德树人,守正创新,人文关怀设计教学内容和形式,在临床带教中融入思政教育。以乳腺疾病为例,基于思政理念,通过课堂内外、典型病案及借助模型教具... 结合中医外科学课程特点,将思政教育融入课程教学以及临床带教中,以专业知识为载体,结合立德树人,守正创新,人文关怀设计教学内容和形式,在临床带教中融入思政教育。以乳腺疾病为例,基于思政理念,通过课堂内外、典型病案及借助模型教具等多种教学模式,以乳腺疾病的“点”带动中医外科学的“面”,提高学生职业责任感和自豪感,培养学生良好的专业素养。 展开更多
关键词 中医外科学 思政教育 临床带教 教学改革
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Chiplet基三维集成技术与集成微系统的新进展 被引量：1
2
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第4期477-495,共19页
集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中一大创新发展热点,即chiplet基3D集成技术与集成微系统的最新进展。综述并分析了当今chiplet基3D集成技术的关键技术的发展现状与趋势,包含3D集成技术、chiplet... 集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中一大创新发展热点,即chiplet基3D集成技术与集成微系统的最新进展。综述并分析了当今chiplet基3D集成技术的关键技术的发展现状与趋势,包含3D集成技术、chiplet之间的宽带互连、布局布线与时钟同步、热管理、计算机辅助设计(CAD)等方面的创新。并展现了基于这些关键技术的突破,集成微系统的新进展,包含高性能计算多核处理器、神经网络计算处理器、神经网络加速器、射频微系统和光电微系统的创新。集成微系统已进入智能微系统新发展阶段。 展开更多
关键词 chiplet 3D集成 集成微系统 宽带互连 时钟 热管理 计算机辅助设计(CAD)
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Chiplet基三维集成技术与集成微系统的新进展(续) 被引量：1
3
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第5期641-657,共17页
集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中一大创新发展热点,即chiplet基3D集成技术与集成微系统的最新进展。综述并分析了当今chiplet基3D集成技术的关键技术的发展现状与趋势,包含3D集成技术、chiplet... 集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中一大创新发展热点,即chiplet基3D集成技术与集成微系统的最新进展。综述并分析了当今chiplet基3D集成技术的关键技术的发展现状与趋势,包含3D集成技术、chiplet之间的宽带互连、布局布线与时钟同步、热管理、计算机辅助设计(CAD)等方面的创新。并展现了基于这些关键技术的突破,集成微系统的新进展,包含高性能计算多核处理器、神经网络计算处理器、神经网络加速器、射频微系统和光电微系统的创新。集成微系统已进入智能微系统新发展阶段。 展开更多
关键词 chiplet 3D集成 集成微系统 宽带互连 时钟 热管理 计算机辅助设计(CAD)
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超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展(续)
4
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期453-462,共10页
以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在Al... 以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在AlN功率二极管、AlN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)、AlN增强GaN HEMT和AlN的热管理应用等方面的最新进展,包括AlN异质多层外延结构、超晶格量子阱结构、AlN功率器件新结构设计、AlN新器件工艺、AlN超薄势垒层、AlN缓冲层、AlN钝化层、AlN耦合沟道层、AlN及其合金的热阻和AlN多晶陶瓷热导率等。分析评价了AlN功率电子学的发展、关键技术进步和发展态势。 展开更多
关键词 ALN AlN二极管 AlN高电子迁移率晶体管(HEMT) AlN增强GaN HEMT 热管理
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超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展
5
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期361-374,共14页
以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在Al... 以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在AlN功率二极管、AlN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)、AlN增强GaN HEMT和AlN的热管理应用等方面的最新进展,包括AlN异质多层外延结构、超晶格量子阱结构、AlN功率器件新结构设计、AlN新器件工艺、AlN超薄势垒层、AlN缓冲层、AlN钝化层、AlN耦合沟道层、AlN及其合金的热阻和AlN多晶陶瓷热导率等。分析评价了AlN功率电子学的发展、关键技术进步和发展态势。 展开更多
关键词 ALN AlN二极管 AlN高电子迁移率晶体管(HEMT) AlN增强GaN HEMT 热管理
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压电AlN MEMS的新进展
6
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期1-25,共25页
Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN... Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN薄膜具有较好的压电性能,与CMOS工艺相兼容,压电AlN MEMS首先在手机应用的射频谐振器、滤波器方面取得突破,实现量产,近年来压电AlN MEMS已成为MEMS技术创新发展的热点。介绍了压电AlN MEMS在掺杂薄膜材料制备、新器件结构设计、新工艺、可靠性和应用创新等方面的最新进展,包含掺钪AlN薄膜研制、AlN薄膜多层结构、AlScN薄膜性能、AlN薄膜制备;体声波(BAW)谐振器与固体安装谐振器(SMR)、薄膜体声波谐振器(FBAR)和薄膜压电MEMS、轮廓模式谐振器(即兰姆波谐振器)、混合谐振器、AlN压电微机械超声换能器(PMUT)等结构创新;有利于CMOS集成,批量高可靠,压电AlN薄膜的晶圆量产,AlScN器件工艺优化;AlN MEMS热疲劳和抗辐照;谐振器与滤波器、能量收集器、物质和生物传感与检测、指纹传感器、图像器和麦克风、通信、微镜传感、柔性传感等方面研究成果。分析和评价了压电AlN MEMS关键技术进步和发展态势。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) ALN 掺钪AlN薄膜 薄膜体声波谐振器(FBAR) 轮廓模式谐振器 压电微机械超声换能器(PMUT)
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延续护理模式对出院居家肾上腺源性高血压患者依从性及降压康复的效果
7
作者 王芳 赵正平 +5 位作者 林洁芳 李航 高婷 徐媛儒 段纪巧 罗美霞 《吉林医学》 CAS 2023年第3期805-808,共4页
目的:探讨延续护理模式对出院居家肾上腺源性高血压患者依从性及降压康复效果的影响。方法:选取116例肾上腺源性高血压患者为研究对象,随机分为常规随宣组和延护组各58例。常规随宣组出院后行常规随访及健康宣教,延护组在常规随宣组基... 目的:探讨延续护理模式对出院居家肾上腺源性高血压患者依从性及降压康复效果的影响。方法:选取116例肾上腺源性高血压患者为研究对象,随机分为常规随宣组和延护组各58例。常规随宣组出院后行常规随访及健康宣教,延护组在常规随宣组基础上应用延续护理模式,对比两组血压及患者生活质量等。结果:延护组出院后3个月、6个月收缩压及舒张压均显著低于常规随宣组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论:延续护理模式可有效提升肾上腺源性高血压患者血压控制水平,并可改善患者依从性和生活质量,有助于提升患者家庭康复效果。 展开更多
关键词 延续护理模式 出院 居家康复 高血压 依从性 降压效果
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低成本Si基GaN微电子学的新进展(续)
8
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期177-189,共13页
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用... 进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。 展开更多
关键词 Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) E模功率GaN HEMT 可靠性 GaN功率变换器 高频开关应用
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低成本Si基GaN微电子学的新进展
9
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期81-101,共21页
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用... 进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。 展开更多
关键词 Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) E模功率GaN HEMT 可靠性 GaN功率变换器 高频开关应用
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纳米CaCO_3填充PTFE复合材料力学性能的研究 被引量：7
10
作者 赵正平 栾道成 饶耀 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期39-41,共3页
通过机械搅拌、冷压成型烧结方法,制备了纳米碳酸钙填充改性聚四氟乙烯(PTFE)复合材料;并研究了复合材料的物理机械性能。结果表明未改性的纳米碳酸钙显著提高了复合材料的弹性模量、断裂伸长率和冲击强度,其中断裂伸长率最高可达800%,... 通过机械搅拌、冷压成型烧结方法,制备了纳米碳酸钙填充改性聚四氟乙烯(PTFE)复合材料;并研究了复合材料的物理机械性能。结果表明未改性的纳米碳酸钙显著提高了复合材料的弹性模量、断裂伸长率和冲击强度,其中断裂伸长率最高可达800%,冲击强度亦可提高到纯PTFE的233%;但复合材料的拉伸强度有所降低。改性后的纳米碳酸钙效果并不是很理想,主要是表面改性剂高温分解存在的影响。 展开更多
关键词 PTFE 纳米CACO3 表面改性 力学性能
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加味赞育汤治疗男性不育症临床观察 被引量：6
11
作者 赵正平 范华昌 +2 位作者 吴颂华 洪斌 施健 《上海中医药杂志》 北大核心 2004年第9期24-25,共2页
观察温肾活血的加味赞育汤治疗少精症导致男性不育症的疗效。对男性不育症患者 2 0 0例 ,以双盲法设治疗组 15 0例 ,用自拟的加味赞育汤治疗 ,对照组 5 0例以五子衍宗汤治疗 ,2 0天为 1个疗程 ,观察治疗 3个疗程。结果 :治疗组在 3个疗... 观察温肾活血的加味赞育汤治疗少精症导致男性不育症的疗效。对男性不育症患者 2 0 0例 ,以双盲法设治疗组 15 0例 ,用自拟的加味赞育汤治疗 ,对照组 5 0例以五子衍宗汤治疗 ,2 0天为 1个疗程 ,观察治疗 3个疗程。结果 :治疗组在 3个疗程后 ,精子浓度比对照组明显上升 (P <0 0 1) ;精子活动力指标的改善率治疗组为6 0 % ,对照组为 2 4 % (P <0 0 1) ;治疗组受孕率为 2 8% ,对照组为 10 % (P <0 0 1)。总有效率治疗组为 6 5 % ,对照组为 30 % (P <0 0 1) ;提示加味赞育汤对男性少精症导致不育症有较好疗效。 展开更多
关键词 温肾活血 加味赞育汤 五子衍宗汤 男性不育症 少精症 中医中药
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SiC新一代电力电子器件的进展 被引量：26
12
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期81-88,共8页
以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望。SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具有关断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率... 以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望。SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具有关断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率高和高温性能好的特点。SiC电力电子器件将成为兆瓦电子学和绿色能源发展的重要基础之一。综述了SiC新一代电力电子器件的发展历程、现状、关键技术突破和应用研究。所评估的器件包含SiC SBD、SiC pin二极管、SiC JBS二极管、SiC MOFET、SiC IGBT、SiC GTO晶闸管、SiC JFET和SiC BJT。器件的评估重点是外延材料的结构、器件结构优化、器件性能、可靠性和应用特点。最后总结了新世纪以来SiC新一代电力电子器件的技术进步的亮点并展望了其技术未来发展的趋势。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基二极管 PIN二极管 金属氧化物场效应管 绝缘栅双极晶体管 栅关断晶闸管 结型场效应管 双极型晶体管
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微系统三维集成技术的新发展 被引量：20
13
作者 赵正平 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第1期1-10,共10页
进入新世纪,微电子的发展进入纳电子/集成微系统时代,人们在继续发展摩尔定律的同时,创新了超越摩尔定律的微系统三维集成技术。介绍了在成像传感、光集成微系统、惯性传感微系统、射频微系统、生物微系统和逻辑微系统的三维集成技术的... 进入新世纪,微电子的发展进入纳电子/集成微系统时代,人们在继续发展摩尔定律的同时,创新了超越摩尔定律的微系统三维集成技术。介绍了在成像传感、光集成微系统、惯性传感微系统、射频微系统、生物微系统和逻辑微系统的三维集成技术的新发展,包含MEMS和IC的3D异构集成、具有Si插入器的SiP3D集成和异质3D集成等技术和各自相应的特点,以及在各应用领域所产生的革命性成果。还介绍了微系统三维集成中有关TSV的可靠性研究的最新进展。 展开更多
关键词 微系统 3D集成 成像传感 光集成 惯性传感 射频(RF) 生物 多核逻辑电路 芯片上网络 可靠性 异构集成
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典型MEMS和可穿戴传感技术的新发展 被引量：19
14
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第1期1-13,共13页
MEMS技术经过20多年的发展已进入移动网络时代的发展阶段。从该发展阶段的典型MEMS器件入手,能够从多种MEMS器件的发展中提取出MEMS发展技术路线。介绍了包含MEMS加速度计、MEMS陀螺仪、MEMS惯性测量单元(IMU)、MEMS麦克风和RF MEMS等... MEMS技术经过20多年的发展已进入移动网络时代的发展阶段。从该发展阶段的典型MEMS器件入手,能够从多种MEMS器件的发展中提取出MEMS发展技术路线。介绍了包含MEMS加速度计、MEMS陀螺仪、MEMS惯性测量单元(IMU)、MEMS麦克风和RF MEMS等新发展阶段的典型MEMS器件近两年的新进展,同时介绍了在设计、工艺、新原理、新材料和新电路结构等方面新的进步或创新,并评估了MEMS技术发展的趋势。同时也对MEMS的集成创新,即可穿戴传感技术的近期发展,按照其获取信息的分类(活动、生理和环境)进行了综述。 展开更多
关键词 MEMS加速度计 MEMS陀螺仪 惯性测量单元(IMU) RF MEMS 可穿戴传感 MEMS麦克风
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一种用于识别车辆进出的激光检测系统 被引量：2
15
作者 赵正平 钱久春 陈蕴 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期46-47,共2页
激光传感器以其亮度高、发散角小、相干性好等独特的优点被广泛应用于自动检测及其他领域。在介绍激光光电传感器工作原理的基础上,设计实现了小区车辆进出自动检测系统,它具有稳定性好,可靠性高,抗干扰能力强等特点。系统具有良好的应... 激光传感器以其亮度高、发散角小、相干性好等独特的优点被广泛应用于自动检测及其他领域。在介绍激光光电传感器工作原理的基础上,设计实现了小区车辆进出自动检测系统,它具有稳定性好,可靠性高,抗干扰能力强等特点。系统具有良好的应用参考价值。 展开更多
关键词 门禁 对射 激光传感器 自动检测
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MEMS智能传感器技术的新进展 被引量：14
16
作者 赵正平 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第1期1-7,共7页
CMOS和MEMS结合所产生的MEMS智能传感器技术已成为智能传感器发展的主流,目前智能时代的开启已带动MEMS智能传感器技术进入快速发展阶段。综述了惯性、压力、温度和生化等典型的MEMS智能传感器,展现了MEMS智能传感器的应用需求、技术特... CMOS和MEMS结合所产生的MEMS智能传感器技术已成为智能传感器发展的主流,目前智能时代的开启已带动MEMS智能传感器技术进入快速发展阶段。综述了惯性、压力、温度和生化等典型的MEMS智能传感器,展现了MEMS智能传感器的应用需求、技术特点、传感器新材料和新结构、电子学新架构、设计拓扑、关键技术突破和测试结果。同时也对MEMS智能传感器的工艺和封装技术的最新进展进行了陈述。从设计、工艺和封装等方面分析了当前MEMS智能传感器总的发展趋势,并提取了主要技术创新亮点。 展开更多
关键词 智能传感 微电子机械系统(MEMS) 惯性传感 压力传感器 温度传感器 生化传感器
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固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展 被引量：9
17
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期897-904,共8页
固态微波毫米波、太赫兹器件与电路是微电子、纳电子领域的战略制高点之一,SiCMOS技术进入纳米加工时代,GaAs,InP材料的"能带工程"(超晶格、异质结),GaN材料的宽禁带和界面特性以及石墨烯纳米级新材料的创新发展都深刻影响着... 固态微波毫米波、太赫兹器件与电路是微电子、纳电子领域的战略制高点之一,SiCMOS技术进入纳米加工时代,GaAs,InP材料的"能带工程"(超晶格、异质结),GaN材料的宽禁带和界面特性以及石墨烯纳米级新材料的创新发展都深刻影响着固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的进展。描述了固态微波、毫米波和太赫兹器件与电路当前发展的新亮点,包括纳米加工技术、石墨烯新材料、GaN MMIC功率合成突破3 mm频段百瓦级、三端器件进入太赫兹和两端器件倍频链突破2.7 THz微瓦功率。并重点就当前发展的RF CMOS,SiGe HBT,LDMOS,GaAsPHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN HEMT,GFET和THz倍频链等10个领域的发展特点、2011年最新发展以及未来发展趋势进行介绍。 展开更多
关键词 固态微波 毫米波 太赫兹 RF CMOS 高电子迁移率晶体管 栅控式场发射三 极管
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GaN微电子学的新进展 被引量：8
18
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期1-16,36,共17页
进入21世纪后,GaN微电子发展迅速,2011年进入工程化。在5G移动通信等新一代应用的牵引下,GaN微电子的创新更加活跃,正开始步入高新产业的发展阶段。介绍了GaN微电子在新器件结构与工艺、微波混合集成、微波单片集成电路(MMIC)、集成电... 进入21世纪后,GaN微电子发展迅速,2011年进入工程化。在5G移动通信等新一代应用的牵引下,GaN微电子的创新更加活跃,正开始步入高新产业的发展阶段。介绍了GaN微电子在新器件结构与工艺、微波混合集成、微波单片集成电路(MMIC)、集成电路和异构集成等方面的最新进展,主要包括新的势垒结构、新的器件结构和工艺、大尺寸Si基器件、高导热金刚石基器件、新的电路拓扑、新的3D集成技术和可靠性研究等,以及在微波电子学和功率电子学两大应用领域的最新成果。分析和评价了SiC基、Si基GaN微电子等的发展态势。 展开更多
关键词 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 混合集成电路 微波单片集成电路(MMIC) 3D异构集成 D模 E模 功率电子学 微波电子学
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GaN高频开关电力电子学的新进展 被引量：7
19
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期1-9,共9页
宽禁带半导体的发展给电力电子领域带来新一代功率开关器件,随着Si C功率器件的发展,Ga N功率高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波毫米波领域发展成熟的同时,又在电力电子的高频开关方面进入应用创新的发展阶段。综述了近几年Ga N功率HEMT... 宽禁带半导体的发展给电力电子领域带来新一代功率开关器件,随着Si C功率器件的发展,Ga N功率高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波毫米波领域发展成熟的同时,又在电力电子的高频开关方面进入应用创新的发展阶段。综述了近几年Ga N功率HEMT在高频开关方面的最新进展:高频高效率开关应用;高功率密度;栅极驱动电路设计;大功率集成;热设计和可靠性研究等。重点介绍了基于Ga N功率HEMT在高频开关中应用的特点,在电路拓扑结构设计、寄生参量的抑制、栅极驱动电路设计、功率集成、散热设计与工艺和失效机理等创新。Ga N高频开关电力电子学在应用创新方面已取得重要进展。 展开更多
关键词 电力电子学 GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT) 开关频率 高效率 高功率密度 栅极驱动电路 功率集成 热管理
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便携式心电遥测系统中A/D转换的实现 被引量：2
20
作者 赵正平 吴小培 陈蕴 《计算机技术与发展》 2008年第3期207-209,213,共4页
传统的心电信号模数转换电路大多采用并行的A/D转换芯片,所以系统体积较大、功耗也大,不便于使用电池供电和随身携带。为解决上述问题提出了一种体积小、成本低、功耗低的心电信号A/D转换设计方案。在硬件电路开发设计中使用的是12位串... 传统的心电信号模数转换电路大多采用并行的A/D转换芯片,所以系统体积较大、功耗也大,不便于使用电池供电和随身携带。为解决上述问题提出了一种体积小、成本低、功耗低的心电信号A/D转换设计方案。在硬件电路开发设计中使用的是12位串行的A/D转换芯片MAX187,其转换速度并不慢,完全满足对心电数据采样的要求。详细地给出了AT89S51单片机与MAX187的接口以及单片机对MAX187的控制程序,具有很好的应用价值。 展开更多
关键词 MAX187 A/D转换 单片机 便携式
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