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先进封装技术在三维闪存产品中的应用探讨
1
作者
邵滋人
李太龙
汤茂友
《中国集成电路》
2023年第11期88-92,共5页
在存储技术发展过程中,三维闪存存储器以其单位面积内存储容量大、改写速度快等优点,正逐步取代机械硬盘成为大数据存储领域中的主角。但是目前市面上的Nand Flash产品封装还是多以传统金属线键合技术为主,这类传统方案会在一些特殊应...
在存储技术发展过程中,三维闪存存储器以其单位面积内存储容量大、改写速度快等优点,正逐步取代机械硬盘成为大数据存储领域中的主角。但是目前市面上的Nand Flash产品封装还是多以传统金属线键合技术为主,这类传统方案会在一些特殊应用和需求下存在较难进一步降低封装体的尺寸、传输速度受限等问题。为了应对产品尺寸持续向小、速度和带宽需求持续增大的趋势,三维闪存封装也需要更多的形式,可以结合当前涌现出的多种先进封装形式寻找新的解决方案。本文通过分析SiP、Fan-out、3D和Chiplet等先进封装形式,探讨在三维闪存封装中的可能应用方案,利用重新布线层(RDL)代替基板、TSV,Bumping代替金线的连接等技术,有效缩小封装体面积同时,提升产品的运行速度,增强数据处理能力。
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关键词
三维闪存
先进封装
SiP
Fan-in/Fan-out
重新布线层(RDL)
硅通孔(TSV)
Chiplet
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职称材料
三维闪存封装基板球焊表面处理技术应用探讨
2
作者
邵滋人
李启力
李太龙
《中国集成电路》
2023年第10期71-75,共5页
封装基板是三维闪存封装的重要原材料之一,其与外部电路连接的焊接区域所用表面处理工艺对封装体与主板连接的可靠性以及封装成本都有重要影响。目前常用表面处理工艺中,OSP工艺具有制作成本低、焊盘表面平整度高、加工时的能源消耗少...
封装基板是三维闪存封装的重要原材料之一,其与外部电路连接的焊接区域所用表面处理工艺对封装体与主板连接的可靠性以及封装成本都有重要影响。目前常用表面处理工艺中,OSP工艺具有制作成本低、焊盘表面平整度高、加工时的能源消耗少等优点,在对封装成本比较敏感的三维闪存产品上得到广泛的应用。随着OSP可焊性和耐高温性能的显著提高,未来OSP在三维闪存封装基板上的应用将更加广泛,技术也将更加成熟。本文通过对基板表面处理工艺及三维闪存封装特点的综合分析,探讨适合三维闪存封装基板球焊表面处理工艺,展望相应表面处理工艺的发展。
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关键词
三维闪存
封装基板
表面处理
OSP
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职称材料
IC封装基板及其原材料市场分析和未来展望
被引量：
3
3
作者
何刚
李太龙
+1 位作者
万业付
邵滋人
《中国集成电路》
2021年第11期31-36,39,共7页
随着5G技术的应用和智能汽车、智能家居走进平常百姓家,半导体市场近年来得到高速发展。IC封装基板作为半导体封装的核心材料,其需求也在逐年增长。本文介绍了IC封装基板及其原材料市场的供需情况,并对基板核心原材料供应商做了背景调...
随着5G技术的应用和智能汽车、智能家居走进平常百姓家,半导体市场近年来得到高速发展。IC封装基板作为半导体封装的核心材料,其需求也在逐年增长。本文介绍了IC封装基板及其原材料市场的供需情况,并对基板核心原材料供应商做了背景调研和分析,同时阐述IC封装基板精细线路制造工艺和封装基板技术要求,并展望了未来IC封装基板的发展方向。
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关键词
IC封装基板
CCL覆铜板
玻纤布
铜箔
阻焊油墨
ABF树脂
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职称材料
3D NAND FLASH晶圆切割技术原理及其特征分析
4
作者
李君斌
李太龙
+1 位作者
鄢宇扬
邵滋人
《中国集成电路》
2021年第12期61-66,共6页
3D NAND Flash产品封装工艺中,晶圆切割作为核心工艺之一,目的是将整片晶圆分割成单一芯片,从而为后续上片做准备。随着晶圆越来越薄,当前主流的刀片在切割时,较容易导致芯片损伤、破裂。本文主要通过介绍和展现目前业界先进的晶圆切割...
3D NAND Flash产品封装工艺中,晶圆切割作为核心工艺之一,目的是将整片晶圆分割成单一芯片,从而为后续上片做准备。随着晶圆越来越薄,当前主流的刀片在切割时,较容易导致芯片损伤、破裂。本文主要通过介绍和展现目前业界先进的晶圆切割技术,包括激光消融切割、隐形激光切割以及等离子体切割,以及这些技术的加工原理和优势,在最后结语中结合3D NAND Flash产品发展趋势,指出了我国业界领先的3D NAND Flash封装厂已经将隐形激光切割技术作为主要的加工工艺之一,同样涌现了诸如苏州镭明、航天三江、长城科技等设备制造商。
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关键词
3D
NAND
Flash晶圆切割
刀片切割
紫外激光切割
微水刀激光切割
隐形激光切割
等离子体切割
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职称材料
题名
先进封装技术在三维闪存产品中的应用探讨
1
作者
邵滋人
李太龙
汤茂友
机构
宏茂微电子(上海)有限公司
出处
《中国集成电路》
2023年第11期88-92,共5页
文摘
在存储技术发展过程中,三维闪存存储器以其单位面积内存储容量大、改写速度快等优点,正逐步取代机械硬盘成为大数据存储领域中的主角。但是目前市面上的Nand Flash产品封装还是多以传统金属线键合技术为主,这类传统方案会在一些特殊应用和需求下存在较难进一步降低封装体的尺寸、传输速度受限等问题。为了应对产品尺寸持续向小、速度和带宽需求持续增大的趋势,三维闪存封装也需要更多的形式,可以结合当前涌现出的多种先进封装形式寻找新的解决方案。本文通过分析SiP、Fan-out、3D和Chiplet等先进封装形式,探讨在三维闪存封装中的可能应用方案,利用重新布线层(RDL)代替基板、TSV,Bumping代替金线的连接等技术,有效缩小封装体面积同时,提升产品的运行速度,增强数据处理能力。
关键词
三维闪存
先进封装
SiP
Fan-in/Fan-out
重新布线层(RDL)
硅通孔(TSV)
Chiplet
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
三维闪存封装基板球焊表面处理技术应用探讨
2
作者
邵滋人
李启力
李太龙
机构
宏茂微电子(上海)有限公司
出处
《中国集成电路》
2023年第10期71-75,共5页
文摘
封装基板是三维闪存封装的重要原材料之一,其与外部电路连接的焊接区域所用表面处理工艺对封装体与主板连接的可靠性以及封装成本都有重要影响。目前常用表面处理工艺中,OSP工艺具有制作成本低、焊盘表面平整度高、加工时的能源消耗少等优点,在对封装成本比较敏感的三维闪存产品上得到广泛的应用。随着OSP可焊性和耐高温性能的显著提高,未来OSP在三维闪存封装基板上的应用将更加广泛,技术也将更加成熟。本文通过对基板表面处理工艺及三维闪存封装特点的综合分析,探讨适合三维闪存封装基板球焊表面处理工艺,展望相应表面处理工艺的发展。
关键词
三维闪存
封装基板
表面处理
OSP
Keywords
3D nand flash
substrate
surface finish
OSP
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
IC封装基板及其原材料市场分析和未来展望
被引量：
3
3
作者
何刚
李太龙
万业付
邵滋人
机构
紫光宏茂微电子(上海)有限公司
出处
《中国集成电路》
2021年第11期31-36,39,共7页
文摘
随着5G技术的应用和智能汽车、智能家居走进平常百姓家,半导体市场近年来得到高速发展。IC封装基板作为半导体封装的核心材料,其需求也在逐年增长。本文介绍了IC封装基板及其原材料市场的供需情况,并对基板核心原材料供应商做了背景调研和分析,同时阐述IC封装基板精细线路制造工艺和封装基板技术要求,并展望了未来IC封装基板的发展方向。
关键词
IC封装基板
CCL覆铜板
玻纤布
铜箔
阻焊油墨
ABF树脂
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
3D NAND FLASH晶圆切割技术原理及其特征分析
4
作者
李君斌
李太龙
鄢宇扬
邵滋人
机构
紫光宏茂微电子(上海)有限公司
复旦大学
出处
《中国集成电路》
2021年第12期61-66,共6页
文摘
3D NAND Flash产品封装工艺中,晶圆切割作为核心工艺之一,目的是将整片晶圆分割成单一芯片,从而为后续上片做准备。随着晶圆越来越薄,当前主流的刀片在切割时,较容易导致芯片损伤、破裂。本文主要通过介绍和展现目前业界先进的晶圆切割技术,包括激光消融切割、隐形激光切割以及等离子体切割,以及这些技术的加工原理和优势,在最后结语中结合3D NAND Flash产品发展趋势,指出了我国业界领先的3D NAND Flash封装厂已经将隐形激光切割技术作为主要的加工工艺之一,同样涌现了诸如苏州镭明、航天三江、长城科技等设备制造商。
关键词
3D
NAND
Flash晶圆切割
刀片切割
紫外激光切割
微水刀激光切割
隐形激光切割
等离子体切割
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
先进封装技术在三维闪存产品中的应用探讨
邵滋人
李太龙
汤茂友
《中国集成电路》
2023
0
下载PDF
职称材料
2
三维闪存封装基板球焊表面处理技术应用探讨
邵滋人
李启力
李太龙
《中国集成电路》
2023
0
下载PDF
职称材料
3
IC封装基板及其原材料市场分析和未来展望
何刚
李太龙
万业付
邵滋人
《中国集成电路》
2021
3
下载PDF
职称材料
4
3D NAND FLASH晶圆切割技术原理及其特征分析
李君斌
李太龙
鄢宇扬
邵滋人
《中国集成电路》
2021
0
下载PDF
职称材料
已选择
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