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MBE生长的GaN的物性
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作者 郑显通 苑进社 +1 位作者 李瑶 刘帆 《重庆理工大学学报(自然科学)》 CAS 2012年第4期87-90,共4页
用分子束外延技术制备了厚度为0.8μm的GaN样品。采用反射高能电子衍射、原子力显微镜和高分辨率X光衍射仪对样品进行了表征分析。研究发现:样品中刃位错密度为2.2×1010cm-2,比螺位错密度高1个数量级;室温光致发光的研究发现很强... 用分子束外延技术制备了厚度为0.8μm的GaN样品。采用反射高能电子衍射、原子力显微镜和高分辨率X光衍射仪对样品进行了表征分析。研究发现:样品中刃位错密度为2.2×1010cm-2,比螺位错密度高1个数量级;室温光致发光的研究发现很强的带边峰,黄带和蓝带发光比带边峰强度要低1~2个数量级;室温霍尔测量发现迁移率为129 cm2/v.s,载流子浓度为2.421×1014cm-3。实验结果表明,采用MBE方法生长的GaN能有效降低背景浓度,但是晶体质量较差,位错密度较高。 展开更多
关键词 分子束外延 氮化镓 表面形貌 光致发光 电学性质
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nBn结构InAs/GaSb超晶格中/长双波段探测器优化设计
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作者 刘文婧 祝连庆 +6 位作者 张东亮 郑显通 杨懿琛 王文杰 柳渊 鹿利单 刘铭 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期73-85,共13页
双波段红外探测可对复杂的红外背景进行抑制,在军用目标识别、医疗诊断和污染监测等方面有重要应用价值。基于二类超晶格的双波段红外探测器在成本和性能方面具有很大的优势,成为新型红外探测器领域的研究热点。然而其暗电流和串扰会极... 双波段红外探测可对复杂的红外背景进行抑制,在军用目标识别、医疗诊断和污染监测等方面有重要应用价值。基于二类超晶格的双波段红外探测器在成本和性能方面具有很大的优势,成为新型红外探测器领域的研究热点。然而其暗电流和串扰会极大地影响双波段红外探测器的性能。因此,设计了nBn结构的InAs/GaSb超晶格中/长波双波段红外探测器,通过仿真比较不同结构的器件在不同偏压下的中波/长波通道的响应率和暗电流大小,分析势垒层厚度、吸收层厚度、不同区域的掺杂对暗电流和串扰的影响,从而得到最佳的模型参数达到减小暗电流和降低串扰的效果。仿真结果显示:nBn结构的中/长波双波段红外探测器在77 K下,中波通道的暗电流密度为4.5×10^(-5)A·cm^(-2),在0.3 V偏压下,2μm处的峰值量子效率为64%,探测率可以达到3.9×10^(11)cm·Hz^(1/2)·W^(-1);长波通道的暗电流密度为1.3×10^(-4)A·cm^(-2),在-0.3 V的偏压下,5.6μm处的峰值量子效率为48%,探测率可以达到4.1×10^(11)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)。相关结论可为器件设计和加工提供参考。 展开更多
关键词 红外探测器 双波段 NBN INAS/GASB超晶格 暗电流
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大功率量子级联激光器的光学与热学协同优化设计
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作者 杨若珂 张东亮 +5 位作者 郑显通 田旺 柳渊 鹿利单 祝连庆 王伟平 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1350-1359,共10页
针对大功率量子级联激光器存在热积累严重的问题,本文基于MBE与MOCVD结合的二次外延生长InP基量子级联激光器结构的工艺方法,设计优化中波单管4W连续光输出的大功率量子级联激光器光学与散热性能。通过COMSOL软件对器件结构进行建模,设... 针对大功率量子级联激光器存在热积累严重的问题,本文基于MBE与MOCVD结合的二次外延生长InP基量子级联激光器结构的工艺方法,设计优化中波单管4W连续光输出的大功率量子级联激光器光学与散热性能。通过COMSOL软件对器件结构进行建模,设计器件光学和热学结构模型,分析不同结构参数对器件性能的影响,得到最优结构参数:在In053Ga047As层厚度为50nm,波导下包层InP为1μm,上包层InP为2μm,封装金层厚度为3μm时,器件光学和热学综合性能最优,其中波导光限制因子为074,核心区温度为378 K。本文研究相关结论可为后续大功率中波量子级联激光器结构与工艺设计提供指导。 展开更多
关键词 量子级联激光器 二次外延 波导结构 热学结构 协同优化
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Design and simulation of a silicon-based hybrid integrated optical gyroscope system
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作者 孙道鑫 张东亮 +4 位作者 鹿利单 徐涛 郑显通 周哲海 祝连庆 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期397-404,共8页
By combining a silicon-based lithium niobate modulator and a silicon-based Si3N4resonator with silicon-based photonics technology,a highly systematic design of a hybrid integrated optical gyroscope with enhanced recip... By combining a silicon-based lithium niobate modulator and a silicon-based Si3N4resonator with silicon-based photonics technology,a highly systematic design of a hybrid integrated optical gyroscope with enhanced reciprocity sensitivity and a dual micro-ring structure is proposed for the first time in this paper.The relationship between the device's structural parameters and optical performance is also analyzed by constructing a complete simulation link,which provides a theoretical design reference to improve the system's sensitivity.When the wavelength is 1550 nm,the conversion frequency of the dual-ring optical path is 50 MHz,the coupling coefficient is 0.2,and the radius R is 1000μm,the quality factor of the silicon-based Si_(3)N_(4)resonator is 2.58×10^(5),which is 1.58 times that of the silicon-on-insulator resonator.Moreover,the effective number of times the light travels around the ring before leaving the micro-ring is 5.93,which is 1.62 times that of the silicon-on-insulator resonator.The work fits the gyro dynamic output diagram,and solves the problem of low sensitivity at low speed by setting the phase offset.This results provide a basis for the further optimization of design and chip processing of the integrated optical gyroscope. 展开更多
关键词 silicon photonics integrated optical gyroscope micro-ring resonator Sagnac effect
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生长温度对分子束外延AlN薄膜的影响
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作者 李瑶 郑显通 +3 位作者 刘帆 蒋一翔 邹祥云 苑进社 《重庆理工大学学报(自然科学)》 CAS 2012年第5期66-69,共4页
研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延AlN薄膜时对薄膜样品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现:随着生长温度的提高,RHEED条纹更加纤细、更加细锐;在低温下,AlN表面有密集的小岛状晶粒结构,但随着温度的升高,小岛之... 研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延AlN薄膜时对薄膜样品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现:随着生长温度的提高,RHEED条纹更加纤细、更加细锐;在低温下,AlN表面有密集的小岛状晶粒结构,但随着温度的升高,小岛之间开始聚合,并形成大范围的原子力台阶,表明AlN薄膜在高温下有良好的二维生长模式;(002)和(102)面XRD半高宽结果进一步表明AlN薄膜的二维生长模式,且在高温下,AlN薄膜中的刃型位错密度大大减小。说明提高生长温度有助于提高AlN薄膜的晶体质量,获得平坦的表面。 展开更多
关键词 分子束外延 AIN RHEED AFM XRD
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势垒型InAs/InAsSbⅡ类超晶格红外探测器研究进展(特邀)
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作者 张春芳 柳渊 +9 位作者 巩明亮 刘炳锋 龚蕊芯 刘家伯 安和平 张东亮 郑显通 鹿利单 冯玉林 祝连庆 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第12期31-46,共16页
红外探测技术在卫星侦察、军事制导、天文观测、医疗检测、现代通信等重要领域发挥着关键作用。Ⅱ类超晶格(T2SLs)红外探测器作为继碲镉汞探测器之后的新一代红外探测材料,在稳定性、可制造性和成本等方面具有独特优势。势垒型InAs/InAs... 红外探测技术在卫星侦察、军事制导、天文观测、医疗检测、现代通信等重要领域发挥着关键作用。Ⅱ类超晶格(T2SLs)红外探测器作为继碲镉汞探测器之后的新一代红外探测材料,在稳定性、可制造性和成本等方面具有独特优势。势垒型InAs/InAsSb T2SLs红外探测器是最具潜力的T2SLs红外探测器之一,近年来其关键性能得到了稳步提高,但仍受吸收系数低、异质外延生长困难和暗电流大等因素的制约。文中综述了Ⅲ-Ⅴ族T2SLs的发展历程,分析了势垒型InAs/InAsSb T2SLs红外探测器的不同势垒结构、关键性能和发展趋势,指出了势垒型InAs/InAsSb T2SLs红外探测器需要解决的关键问题和未来发展方向。 展开更多
关键词 红外探测器 T2SLs InAs/InAsSb 势垒结构
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基于Robei的MIPI协议设计
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作者 郑显通 陈涛 +1 位作者 陈柏纲 吴国盛 《中国集成电路》 2017年第7期80-87,共8页
MIPI协议是现在手机常用的一种开放的高速串行通信协议,本文以Robei软件为依托,重点介绍其结构,应用与数字IC部分的实现。虽然该协议存在细分的DSI、CSI等针对不同外设的通信方式,但是数据传输模式都是一致的。之后基于Robei软件对MIPI... MIPI协议是现在手机常用的一种开放的高速串行通信协议,本文以Robei软件为依托,重点介绍其结构,应用与数字IC部分的实现。虽然该协议存在细分的DSI、CSI等针对不同外设的通信方式,但是数据传输模式都是一致的。之后基于Robei软件对MIPI协议结构层面中部分模块进行设计与测试,并汇总仿真,实现对MIPI协议可视化的分析介绍。设计过程中使用图形、截图等进行详尽的说明。最后对MIPI协议的数据传输结构进行模拟,并提供激励向量,用来更详细地说明MIPI对数据传递的方式和验证设计的正确性。 展开更多
关键词 MIPI Robei FPGA EDA
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Interface effect on superlattice quality and optical properties of InAs/GaSb type-Ⅱ superlattices grown by molecular beam epitaxy 被引量:2
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作者 刘昭君 祝连庆 +3 位作者 郑显通 柳渊 鹿利单 张东亮 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第12期671-676,共6页
We systematically investigate the influence of InSb interface(IF)engineering on the crystal quality and optical properties of strain-balanced InAs/GaSb type-Ⅱsuperlattices(T2SLs).The type-Ⅱsuperlattice structure is ... We systematically investigate the influence of InSb interface(IF)engineering on the crystal quality and optical properties of strain-balanced InAs/GaSb type-Ⅱsuperlattices(T2SLs).The type-Ⅱsuperlattice structure is 120 periods InAs(8 ML)/GaSb(6 ML)with different thicknesses of InSb interface grown by molecular beam epitaxy(MBE).The highresolution x-ray diffraction(XRD)curves display sharp satellite peaks,and the narrow full width at half maximum(FWHM)of the 0th is only 30-39 arcsec.From high-resolution cross-sectional transmission electron microscopy(HRTEM)characterization,the InSb heterointerfaces and the clear spatial separation between the InAs and GaSb layers can be more intuitively distinguished.As the InSb interface thickness increases,the compressive strain increases,and the surface“bright spots”appear to be more apparent from the atomic force microscopy(AFM)results.Also,photoluminescence(PL)measurements verify that,with the increase in the strain,the bandgap of the superlattice narrows.By optimizing the InSb interface,a high-quality crystal with a well-defined surface and interface is obtained with a PL wavelength of 4.78μm,which can be used for mid-wave infrared(MWIR)detection. 展开更多
关键词 InAs/GaSb type-Ⅱsuperlattice molecular beam epitaxy interface mid-wave infrared
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Growth of a-Plane InN Film and Its THz Emission
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作者 王光兵 赵国忠 +4 位作者 郑显通 王平 陈广 荣新 王新强 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2014年第7期160-163,共4页
我们由帮助血浆的分子横梁的取向附生在 r 飞机蓝宝石底层上报导一飞机客栈的生长。一飞机客栈由使用是成功地成年的,这被发现一轧了缓冲区层,它被思考证实了散布大小的高精力的电子衍射, X 光衍射和拉曼。大厅效果测量证明成长得当... 我们由帮助血浆的分子横梁的取向附生在 r 飞机蓝宝石底层上报导一飞机客栈的生长。一飞机客栈由使用是成功地成年的,这被发现一轧了缓冲区层,它被思考证实了散布大小的高精力的电子衍射, X 光衍射和拉曼。大厅效果测量证明成长得当的一飞机客栈的电子活动性是有 5.7 &#x00d7 的剩余电子集中的大约 406 厘米 <SUP>2</SUP>/Vs;10 厘米 <SUP>3</SUP> 。从一飞机客栈电影的 THz 排放也被学习,在排放振幅与传导性相反地成正比,这被发现的地方。 展开更多
关键词 INN 太赫兹辐射 薄膜 分子束外延生长 反射高能电子衍射 X射线衍射 电子迁移率 离子辅助
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基于Robei的SPI接口设计
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作者 吴国盛 郑显通 《中国集成电路》 2016年第1期53-59,共7页
首先这里介绍一款新的EDA设计软件Robei。Robei支持以Verilog为基础的数字电路及FPGA设计,它将图形化的设计界面和代码设计界面结合在一起,融合了图形界面的直观性和代码设计的灵活性。与此同时,在设计生成的Verilog文件中,Robei软件可... 首先这里介绍一款新的EDA设计软件Robei。Robei支持以Verilog为基础的数字电路及FPGA设计,它将图形化的设计界面和代码设计界面结合在一起,融合了图形界面的直观性和代码设计的灵活性。与此同时,在设计生成的Verilog文件中,Robei软件可以自动为用户生成包括模块定义、输入输出定义、数据类型定义部分的代码,无需用户手动输入。之后使用Robei软件进行SPI(Serial Peripheral Interface,串行外设接口)的设计,通过实例说明使用Robei软件进行设计的优势和长处。最后同样使用Robei软件对设计进行仿真和功能验证,展示Robei在FPGA前端设计流程中全面而丰富的功能。 展开更多
关键词 EDA软件 Robei FPGA设计 SPI
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全In组分可调InGaN的分子束外延生长 被引量:1
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作者 王新强 王平 +3 位作者 刘世韬 郑显通 马定宇 沈波 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2015年第6期2-13,共12页
Ⅲ族氮化物InxGa1-xN合金为直接带隙半导体,其禁带宽度随着In组分变化从3.43 e V(Ga N)到0.64e V(In N)连续可调,波长范围覆盖了0.3–1.9μm,具有电子饱和速度高和光学吸收系数大等特点,是制备高效率全光谱太阳能电池和白光照明器件的... Ⅲ族氮化物InxGa1-xN合金为直接带隙半导体,其禁带宽度随着In组分变化从3.43 e V(Ga N)到0.64e V(In N)连续可调,波长范围覆盖了0.3–1.9μm,具有电子饱和速度高和光学吸收系数大等特点,是制备高效率全光谱太阳能电池和白光照明器件的理想材料.由于缺少合适的衬底,In N和InxGa1-xN薄膜通常生长在蓝宝石或Ga N模板上.本论文综述了采用MBE方法,在蓝宝石衬底和Ga N模板上生长了In N和全组分InxGa1-xN薄膜的生长行为和材料物理性质.利用MBE边界温度控制法在蓝宝石衬底上生长高室温电子迁移率的InN薄膜,利用温度控制外延法在Ga N/蓝宝石模板上制备了全组分InxGa1-xN薄膜. 展开更多
关键词 In N InxGa1-xN 分子束外延
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