立德树人视角下“微电子器件”课程思政建设研究

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作者 钟志亲 李小红 《教育教学论坛》 2023年第27期1-4,共4页

为落实立德树人的根本任务,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课程“微电子器件”的教师结合课程内容,解决了传统教学中单纯重视知识传授、缺乏与价值塑造与能力培养的有机融合等问题,在传授专业知识过程中,引入时事新闻、介绍业界... 为落实立德树人的根本任务,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课程“微电子器件”的教师结合课程内容,解决了传统教学中单纯重视知识传授、缺乏与价值塑造与能力培养的有机融合等问题,在传授专业知识过程中,引入时事新闻、介绍业界老一辈科学家励志故事、解析专业知识点的象征隐喻意义,通过教师的言传身教、改革考核方式和产教交融等,从多角度融入课程思政,激发学生理想信念,树立学生科技报国的决心。课程问卷调查显示,绝大多数学生对专业课中融入思政元素的形式表示认同,认为可以给理论抽象、较难理解的专业课注入新鲜血液,帮助他们增强对知识点的记忆和理解,并且有效引领他们进行价值塑造。 展开更多

关键词 微电子器件 课程思政 立德树人 价值塑造

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红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的SiO_2特性 被引量：2

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作者 钟志亲 刘洪军 +3 位作者 袁菁 王欧 刘畅 龚敏 《光散射学报》 2004年第3期256-259,共4页

本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散... 本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散以及空位型缺陷的退火过程。 展开更多

关键词 红外反射谱 峰位漂移 Sio2/6H-SiC 退火

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电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

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作者 钟志亲 龚敏 +9 位作者 王鸥 余洲 杨治美 徐士杰 陈旭东 凌志聪 冯汉源 Beling C D 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期11-14,共4页

对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在50... 对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷. 展开更多

关键词 6H-SIC 辐照 LTPL 缺陷

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Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究

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作者 钟志亲 孙子茭 +4 位作者 葛微微 郑禄达 王姝娅 戴丽萍 张国俊 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期292-295,共4页

在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1 100℃以下不同温度的退火,采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明,600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84... 在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1 100℃以下不同温度的退火,采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明,600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示,600℃退火后LO峰强度最强,认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明,600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏压5 V时,漏电流密度仅仅只有5×10?8 A/cm2。600℃退火能显著地改善热氧化层SiO2的致密性。 展开更多

关键词 4H-SIC 退火温度 致密性 SIO2

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立德树人视角下课程思政建设的实践研究及成效——以“半导体物理”课程为例 被引量：2

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作者 钟志亲 黄海猛 李小红 《黑龙江教育（高教研究与评估）》 2022年第2期64-66,共3页

为充分发挥课堂教学主渠道育人作用,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课“半导体物理”结合课程内容,在专业知识点授课过程中融入思政元素。通过对业界老一辈科学家的介绍、专业知识点的隐喻作用分析等方式,寻找课程思政与专业知... 为充分发挥课堂教学主渠道育人作用,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课“半导体物理”结合课程内容,在专业知识点授课过程中融入思政元素。通过对业界老一辈科学家的介绍、专业知识点的隐喻作用分析等方式,寻找课程思政与专业知识的“撞击点”,引导学生树立正确的“三观”。 展开更多

关键词 半导体物理 课程思政 立德树人 爱国主义教育

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n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应

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作者 刘畅 袁菁 +2 位作者 钟志亲 伍登学 龚敏 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期26-29,共4页

研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理。从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。辐照诱生的深能级缺陷导致紫外光探测器对较长波长... 研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理。从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。辐照诱生的深能级缺陷导致紫外光探测器对较长波长光的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。同时,对辐照后的 GaN 肖特基紫外光探测器进行了100℃以下的退火处理,退火后,器件的电流 电压特性有所改善。 展开更多

关键词 GaN紫外光探测器 肖特基势垒 电子辐照 辐照失效 金属/半导体界面 退火

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PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究

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作者 束平 王姝娅 +5 位作者 张国俊 戴丽萍 翟亚红 王刚 钟志亲 曹江田 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第3期464-466,471,共4页

介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量... 介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6∶Ar为20∶5)时刻蚀效果最优。利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流。 展开更多

关键词 PZT薄膜 光刻胶 深反应离子刻蚀 刻蚀速率 铁电电容

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无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究

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作者 杨治美 余洲 +8 位作者 林海 王帅 钟志亲 陈浩 武展文 孙小松 晋勇 何毅 龚敏 《光散射学报》 2006年第3期271-276,共6页

本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光... 本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。 展开更多

关键词 纳米氧化锌 四角状 拉曼光谱 荧光光谱 缺陷

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C型MEMS平面微弹簧弹性系数研究 被引量：5

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作者 吴鹏飞 张国俊 +2 位作者 钟志亲 戴丽萍 王姝娅 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第3期470-472,共3页

设计了一种新型的C型微机电系统(MEMS)平面微弹簧,用卡氏第二定律和胡克定律推导出这种平面微弹簧在3个方向(即x,y和z方向)上的弹性系数计算公式,用ANSYS进行有限元仿真,结果验证了公式推导的正确性。在公式计算和仿真的基础上,研究了... 设计了一种新型的C型微机电系统(MEMS)平面微弹簧,用卡氏第二定律和胡克定律推导出这种平面微弹簧在3个方向(即x,y和z方向)上的弹性系数计算公式,用ANSYS进行有限元仿真,结果验证了公式推导的正确性。在公式计算和仿真的基础上,研究了各种结构参数对其弹性系数的影响规律。 展开更多

关键词 微机电系统(MEMS) 平面微弹簧 弹性系数 有限元方法

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覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究 被引量：4

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作者 葛微微 张国俊 +2 位作者 钟志亲 王姝娅 戴丽萍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期46-48,共3页

通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构... 通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。 展开更多

关键词 半导体功率器件 钛酸锶钡(BST)膜 结终端 场限环

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O型MEMS平面微弹簧弹性系数研究 被引量：1

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作者 吴鹏飞 张国俊 +2 位作者 钟志亲 戴丽萍 王姝娅 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第10期660-663,共4页

对封闭O型MEMS平面微弹簧建立力学分析模型,用卡氏第二定律和胡克定律推导出这种平面微弹簧弹性系数的计算公式,并用ANSYS进行有限元仿真,仿真结果表明,两者的相对误差低于2%。在计算公式和仿真的基础上,研究了各种结构参数对弹性系数... 对封闭O型MEMS平面微弹簧建立力学分析模型,用卡氏第二定律和胡克定律推导出这种平面微弹簧弹性系数的计算公式,并用ANSYS进行有限元仿真,仿真结果表明,两者的相对误差低于2%。在计算公式和仿真的基础上,研究了各种结构参数对弹性系数的影响规律,结果表明,弹性系数随节数和弯半径的增大而减小,随梁宽和厚度的增大而增大。研究结果为其他封闭结构的MEMS平面微弹簧的分析和设计提供了一定的借鉴。 展开更多

关键词 微机电系统(MEMS) 平面微弹簧 卡氏第二定律 弹性系数 有限元方法(FEM)

原文传递

不同退火温度对4H-SiC金半接触的影响 被引量：1

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作者 孙子茭 钟志亲 +2 位作者 王姝娅 戴丽萍 张国俊 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第3期419-422,共4页

采用高真空电子束蒸发法制作了基于4H-SiC外延材料的肖特基二极管,其中欧姆接触材料为Ti/Ni,肖特基接触材料为Ni。常温下,电流-电压(I-V)测试表明Ni/4H-SiC肖特基二极管具有良好的整流特性,热电子发射是其主要输运机理。对比分析不同快... 采用高真空电子束蒸发法制作了基于4H-SiC外延材料的肖特基二极管,其中欧姆接触材料为Ti/Ni,肖特基接触材料为Ni。常温下,电流-电压(I-V)测试表明Ni/4H-SiC肖特基二极管具有良好的整流特性,热电子发射是其主要输运机理。对比分析不同快速退火温度下器件的I-V特性,实验结果表明875℃退火温度下欧姆接触特性最好,400℃退火温度下器件肖特基接触I-V特性最好,理想因子为1.447,肖特基势垒高度为1.029eV。 展开更多

关键词 SIC 欧姆接触 快速热退火 肖特基势垒

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n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应 被引量：2

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作者 谢宛玲 杨治美 +5 位作者 钟志亲 吴健 林海 马瑶 袁菁 龚敏 《光散射学报》 2006年第3期277-281,共5页

本文研究了n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应。实验结果显示,高温下进行电子辐照,界面处辐照诱生缺陷会同时产生和被退火恢复;器件的击穿电压和反向漏电流受辐照影响减弱,其电学阈值增加;由辐照效应导致的可见光响应的影响仍然... 本文研究了n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应。实验结果显示,高温下进行电子辐照,界面处辐照诱生缺陷会同时产生和被退火恢复;器件的击穿电压和反向漏电流受辐照影响减弱,其电学阈值增加;由辐照效应导致的可见光响应的影响仍然存在。 展开更多

关键词 GaN肖特基势垒二极管 高温 电子辐照

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4H-SiC材料干法刻蚀工艺的研究 被引量：4

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作者 许龙来 钟志亲 《电子科技》 2019年第2期1-3,8,共4页

鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF_6/O_2混... 鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF_6/O_2混合气体和SF_6/CF4/O_2混合气体的刻蚀,并且探究了压强、ICP功率和混合气体比例对样品表面粗糙度的影响。实验结果表明使用SF_6/O_2混合气体刻蚀后,样品的表面平整度较好。在一定RIE功率条件下,当ICP功率为700 W、压强为20 m T和SF_6/O_2为50/40 sccm时,样品表面的粗糙度最小。 展开更多

关键词 碳化硅 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀 粗糙度 压强 功率 SF6/O2

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低驱动电压RF MEMS悬臂梁开关的对比研究 被引量：1

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作者 欧书俊 张国俊 +2 位作者 王姝娅 戴丽萍 钟志亲 《电子产品世界》 2020年第7期81-84,共4页

本文针对一字型悬臂梁RF MEMS开关,提出了两种降低驱动电压RF MEMS开关的方法,分别为:增大局部驱动面积和降低弹性系数。根据这两种方法设计了4种形状的悬臂梁开关,分别为增大局部驱动面积的十字型梁,降低弹性系数的三叉戟型、蟹钳型和... 本文针对一字型悬臂梁RF MEMS开关,提出了两种降低驱动电压RF MEMS开关的方法,分别为:增大局部驱动面积和降低弹性系数。根据这两种方法设计了4种形状的悬臂梁开关,分别为增大局部驱动面积的十字型梁,降低弹性系数的三叉戟型、蟹钳型和折叠型梁。在梁的长度、厚度和初始间隙等参数一致的情况下,通过CMOSOL软件建模仿真得到了这4种悬臂梁的驱动电压,分别为7.2 V、5.6 V、3.8 V和3.6 V。相比于驱动电压为9 V的一字型悬臂梁,优化后的这4款开关可以降低驱动电压。并且低弹性系数方面,比增大局部驱动面积的开关效率要高。 展开更多

关键词 RF MEMS 悬臂梁 驱动电压 弹性系数

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田字形单质量块三轴电容式微加速度计的设计与仿真 被引量：1

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作者 周寿权 张国俊 +2 位作者 王姝娅 戴丽萍 钟志亲 《电子产品世界》 2020年第12期79-82,85,共5页

介绍了一种田字形单质量块三轴电容式微加速度计的设计与仿真。该加速度计以SOI晶圆作为基片,经过氧化、光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等工艺步骤得到。通过支撑梁和3个轴的敏感结构的巧妙设计,有效避免了平面内和垂直方向的交叉轴干扰的影... 介绍了一种田字形单质量块三轴电容式微加速度计的设计与仿真。该加速度计以SOI晶圆作为基片,经过氧化、光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等工艺步骤得到。通过支撑梁和3个轴的敏感结构的巧妙设计,有效避免了平面内和垂直方向的交叉轴干扰的影响,并提高了Z轴的灵敏度。通过差分电容的设计,理论上消除了交叉轴干扰。通过仿真得到了该加速度计在3个轴向上的灵敏度及抗冲击能力。结合理论分析和ANSYS仿真结果,可以得出结论:所设计的加速度计拥有较低的交叉轴干扰、较高的灵敏度以及较强的抗冲击能力,在惯性传感器领域有一定的应用前景。 展开更多

关键词 微加速度计 SOI 交叉轴干扰 灵敏度

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一种增大质量块的三轴MEMS加速度计的设计 被引量：1

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作者 冯堃 张国俊 +2 位作者 王姝娅 戴丽萍 钟志亲 《电子产品世界》 2020年第5期59-62,共4页

介绍了一种增大质量块设计的三轴MEMS加速度计。该加速度计基于绝缘体上硅(SOI)硅片,采用双面光刻、干法刻蚀的工艺,利用了部分SOI硅片的底层硅部分来增大加速度计的质量块,设计了基于单一米字形质量块的三轴MEMS电容式微加速度计。根... 介绍了一种增大质量块设计的三轴MEMS加速度计。该加速度计基于绝缘体上硅(SOI)硅片,采用双面光刻、干法刻蚀的工艺,利用了部分SOI硅片的底层硅部分来增大加速度计的质量块,设计了基于单一米字形质量块的三轴MEMS电容式微加速度计。根据不同的外界加速度对器件产生的不同位移,研究了在三个轴向的加速度计的灵敏度,同时分析了加速度计的交叉轴耦合的影响。最后结合Ansys仿真结果得出:所设计的微加速度计具有较高的灵敏度、抗干扰能力强、噪声较小的优点,在惯性传感领域有一定的应用前景。 展开更多

关键词 微机械系统 三微加速度计 高灵敏度 绝缘体上硅

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折叠式MEMS弹簧弹性系数研究与有限元分析

18

作者 吴鹏飞 张国俊 +2 位作者 戴丽萍 钟志亲 王姝娅 《科学技术与工程》 2011年第28期6832-6835,6841,共5页

用卡氏第二定律和胡克定律推导出折叠式MEMS弹簧弹性系数的计算公式。ANSYS的仿真结果表明两者的相对误差低于1%。在计算公式和仿真的基础上,研究了各种结构参数对弹性系数的影响规律。最后对设计的弹簧质量块系统分别进行了模态分析和... 用卡氏第二定律和胡克定律推导出折叠式MEMS弹簧弹性系数的计算公式。ANSYS的仿真结果表明两者的相对误差低于1%。在计算公式和仿真的基础上,研究了各种结构参数对弹性系数的影响规律。最后对设计的弹簧质量块系统分别进行了模态分析和谐波响应分析。分析结果和理论一致。研究结果为其他结构的MEMS弹簧的分析和设计提供了一定的借鉴。 展开更多

关键词 微机电系统(Micro Mechanit ELECTRONIC SYSTEM MEMS) 折叠弹簧 弹性系数 有限元分析

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6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究

19

作者 王鸥 丁元力 +5 位作者 钟志亲 袁菁 龚敏 Chen X D Fung S Beling C D 《光散射学报》 2004年第1期66-69,共4页

本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对... 本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对具有不同的退火行为,这否定了它们源于相同的辐照诱生缺陷的观点。D1中心可能源于由空位和反位组成的复合体。 展开更多

关键词 碳化硅 低温光致发光 辐照诱生缺陷 退火处理 零声子谱线

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n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应 被引量：3

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作者 刘畅 王鸥 +2 位作者 袁菁 钟志亲 龚敏 《光散射学报》 2005年第2期159-163,共5页

本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明... 本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因。另外,在研究辐照效应对GaN肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测不到的。这说明辐照效应将导致肖特基势垒光敏器件对较长波长的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。 展开更多

关键词 GaN光敏器件 电子辐照 紫外探测器 肖特基二极管 辐照失效 金属/半导体界面

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