用 Cu、In、Se三元扇形复合靶 ,采用射频磁控反应溅射技术 ,在低温 Indium Tin Oxide( ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形 Cu In Se2 ( CIS)量子点。制备材料的化学计量比可通过三种单质的面积比率来调节。该制备方法具有成本低...用 Cu、In、Se三元扇形复合靶 ,采用射频磁控反应溅射技术 ,在低温 Indium Tin Oxide( ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形 Cu In Se2 ( CIS)量子点。制备材料的化学计量比可通过三种单质的面积比率来调节。该制备方法具有成本低、操作简单、易于大型化等优点。平均量子点的大小可控制在 40到 80 nm之间 ,可通过改变溅射参数、ITO膜的晶相结构与表面形貌等因素来调节。展开更多