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穿通型光电晶体管的直流特性测试 被引量：1
1
作者 阎凤章 李国辉 韩卫 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1994年第2期228-231,共4页
在ｎＷ～μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数：光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半导体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测... 在ｎＷ～μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数：光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半导体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在３～１４Ｖ工作电压下，１μＷ入射光功率时光电增益为７１１３，４０～５０ｎＷ光功率时光电增益为３６９３，高于国内外报道的光电探测器的同类指标。 展开更多
关键词 光电晶体管 穿通 高增益 直流特性
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离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究 被引量：1
2
作者 张通和 李国辉 +3 位作者 阎凤章 罗晏 吴瑜光 王文勋 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1987年第3期41-48,共8页
利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品... 利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场. 展开更多
关键词 双重离子注入 快速热退火 增强扩散 浅结 背散射分析
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超高真空制备的Fe－稀土多层膜的研究
3
作者 阎凤章 李胜利 +1 位作者 王佩璇 马如璋 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1995年第3期342-345,共4页
在超高真空条件下（１０－７Ｐａ）蒸发沉积Ｆｅ－Ｙ和Ｆｅ－Ｄｙ成分调制多层膜。短周期（３～７ｎｍ）膜用于结构与热稳定性研究；长周期（２０～５０ｎｍ）膜用于离子束混合非晶化研究。Ｆｅ单层厚≥２．４ｎｍ时为体心立方（ｂｃｃ... 在超高真空条件下（１０－７Ｐａ）蒸发沉积Ｆｅ－Ｙ和Ｆｅ－Ｄｙ成分调制多层膜。短周期（３～７ｎｍ）膜用于结构与热稳定性研究；长周期（２０～５０ｎｍ）膜用于离子束混合非晶化研究。Ｆｅ单层厚≥２．４ｎｍ时为体心立方（ｂｃｃ）结构，无明显择优取向。Ｄｙ单层厚＞２．４ｎｍ时为六角密集（ｈｃｐ）结构，非晶沉积态经３００℃加热开始晶化，６００℃退火完全转变为ｂｃｃ结构Ｆｅ和ｈｃｐ结构Ｄｙ（ｈｃｐ结构Ｙ）．２００℃等温退火，磁化强度随时间而增加，温度越高增加速率越大。用９０～１２０ｋｅＶ的Ａｒ＋在室温下进行长周期多层膜的离子束混合。在１×１０１７ｃｍ－２注量达到均匀混合，且导致非晶化，平均成分为Ｆｅ６０Ｄｙ４０的膜无残余晶态。离子束混合还导致磁性变化，饱和磁化强度随注量增加而下降。 展开更多
关键词 多层膜 磁性膜 铁 稀土 超高真空制备 薄膜
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质子与Ti离子注入LiNbO_3光波导
4
作者 阎凤章 张海廷 王葵如 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1994年第1期97-100,共4页
用１８０～３８０ｋｅＶ质子注入ＬｉＮｂＯ３造成折射率减小的埋层，以形成近表面处的平面波导；用３５０ｋｅＶ高注量Ｔｉ离子注入增加折射率，在注入区形成平面波导；用不同能量质子叠加注入，退掉由Ｔｉ内扩散制成的波导层。离子注... 用１８０～３８０ｋｅＶ质子注入ＬｉＮｂＯ３造成折射率减小的埋层，以形成近表面处的平面波导；用３５０ｋｅＶ高注量Ｔｉ离子注入增加折射率，在注入区形成平面波导；用不同能量质子叠加注入，退掉由Ｔｉ内扩散制成的波导层。离子注入能在纵向与横向上改变ＬｉＮｂＯ３的折射率剖面分布，可用于制作集成光学器件。 展开更多
关键词 光波导 离子注入 铌酸锂
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GaAs上Ge薄膜的性能研究
5
作者 杨茹 任永玲 +2 位作者 李国辉 阎凤章 朱红清 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期180-182,共3页
用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行... 用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致 . 展开更多
关键词 Ge/GaAs 白光快速退火 再结晶 界面扩散 光纤通信 光电材料
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Ar^（＋）混合Fe－Dy多层膜的结构及性能
6
作者 李胜利 王佩璇 +1 位作者 阎凤章 马如璋 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期A160-A163,共4页
用真空双源蒸镀法在Ｓｉ单晶衬底上制备了Ｆｅ，Ｄｙ原子数比为３：２的Ｆｅ─Ｄｙ成分调制多层膜．用ＡＥＳ、ＲＢＳ、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）以及磁性测量分析了Ａｒ^（＋）混合前后Ｆｅ─Ｄｙ多层膜的相交．Ａｒ^（＋）离子注入能量１... 用真空双源蒸镀法在Ｓｉ单晶衬底上制备了Ｆｅ，Ｄｙ原子数比为３：２的Ｆｅ─Ｄｙ成分调制多层膜．用ＡＥＳ、ＲＢＳ、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）以及磁性测量分析了Ａｒ^（＋）混合前后Ｆｅ─Ｄｙ多层膜的相交．Ａｒ^（＋）离子注入能量１１０ｋｅＶ，剂量５×１０^（１５）─１×１０^（１７）／ｃｍ~２．结果表明，注入剂量为１×１０^（１７）／ｃｍ~２时，Ｆｅ，Ｄｙ完全混合，并且由晶态的Ｆｅ，Ｄｙ完全转变为Ｆｅ_（６０）Ｄｙ_（４０）（近似于该化学配比）的非晶态合金，随Ａｒ^（＋）注入量的增加，Ｆｅ一Ｄｙ多层膜的Ｍ_ｓ下降，在剂量５０×１０^（１５）／ｃｍ~２时下降幅度最大。 展开更多
关键词 铁镝多层膜 离子束混合 结构 性能
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新结构多晶硅发射极光电晶体管
7
作者 王晓慧 李国辉 阎凤章 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期473-476,共4页
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管．用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍；隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度；穿通型的工作状态提高了器件的增益... 报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管．用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍；隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度；穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度．已研制成的这种新型结构的光电晶体管在10V工作电压下，对0．8μm，0．174μW的光增益达到了3083． 展开更多
关键词 多晶硅发射极 硅光电晶体管 隔离环 穿通型
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新型AlGaAs/GaAs穿通型光电晶体管
8
作者 韩德俊 李国辉 +5 位作者 韩卫 魏东平 阎凤章 朱恩均 周均铭 黄绮 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1993年第10期17-19,共3页
关键词 灵敏度 光电晶体管 砷化镓
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用白光退火研究VLSI浅结工艺
9
作者 张通和 李国辉 +4 位作者 罗晏 吴瑜光 阎凤章 王文勋 贺令渝 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第9期523-529,共7页
研究了砷注入硅和砷通过SiO_2层注入硅的快速退火特性。给出了制备0.1—0.6μm的PN结最佳条件。用透射电子显微镜(TEM)观察了晶格损伤退火恢复过程,以及高密度缺陷演变过程,发现增加退火时间和靶加热注入均可大大降低注入层剩余缺陷密... 研究了砷注入硅和砷通过SiO_2层注入硅的快速退火特性。给出了制备0.1—0.6μm的PN结最佳条件。用透射电子显微镜(TEM)观察了晶格损伤退火恢复过程,以及高密度缺陷演变过程,发现增加退火时间和靶加热注入均可大大降低注入层剩余缺陷密度。还研究了增强扩散效应,结果发现,随注入束流密度的增加,增强扩散系数明显增大。给出了As扩散系数与注入条件和退火条件的关系。进一步研究了注入及退火条件对PN结漏电流的影响。确定了如何将PN结建立在离子注入损伤区之外的条件。 展开更多
关键词 超大规模 集成电路 退火 离子注入
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Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究
10
作者 杨茹 李国辉 +2 位作者 仁永玲 阎凤章 朱红清 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期273-275,共3页
研究了一种光纤通讯用光电探测器。在GaAs上蒸镀800nm的Ge，并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管（SAM－APD）的结构设计，采用GaAs作为倍增区，Ge作为吸收区。在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V，反... 研究了一种光纤通讯用光电探测器。在GaAs上蒸镀800nm的Ge，并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管（SAM－APD）的结构设计，采用GaAs作为倍增区，Ge作为吸收区。在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V，反向击穿电压为2.5V，漏电不明显，p－n结特性良好。 展开更多
关键词 Ge/GaAs 雪崩光电二极管 薄膜性能 光纤通信
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