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二硝酰胺铵溶剂效应的理论计算 被引量:1
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作者 陈鑫健 胡冬冬 +2 位作者 胡一飞 汪营磊 任钟旗 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期455-460,共6页
为研究结晶溶剂在二硝酰胺铵结晶过程中对晶体成核与生长、溶解度、吸湿性的主要影响,基于标准溶解焓理论模拟计算了不同溶剂环境下的晶体成核速率,基于修正附着能模型模拟计算了不同溶剂环境下的晶体形貌特征,并根据吸湿性较低的晶面... 为研究结晶溶剂在二硝酰胺铵结晶过程中对晶体成核与生长、溶解度、吸湿性的主要影响,基于标准溶解焓理论模拟计算了不同溶剂环境下的晶体成核速率,基于修正附着能模型模拟计算了不同溶剂环境下的晶体形貌特征,并根据吸湿性较低的晶面面积占总晶面面积的比例分析溶剂效应对二硝酰胺铵吸湿性的影响。结果表明,二硝酰胺铵在不同溶剂下的晶体成核速率关系为:环己烷>甲苯>磷酸三丁酯>二氯甲烷>正丁醇>乙腈>γ-丁内酯>异丙醇>乙醇>甲醇>丙酮>二甲基亚砜>水;标准溶解焓与溶解度呈现线性关系;在不同溶剂下的二硝酰胺铵的晶体形貌计算为棱柱状或板片状;计算分析可知,二硝酰胺铵在非极性溶剂中结晶后的吸湿性较低,而在极性溶剂中结晶后的吸湿性较高。 展开更多
关键词 物理化学 二硝酰胺铵 ADN 溶剂效应 晶习规律 吸湿性
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二硝酰胺铵晶体表面结构与性质分析 被引量:2
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作者 胡冬冬 陈鑫健 +3 位作者 汪营磊 周智勇 张帆 任钟旗 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期193-199,I0002,共8页
为研究二硝酰胺铵(ADN)晶体的表面性质,通过理论模拟计算探究了ADN晶体重要晶面的阴阳离子暴露数目、粗糙度、电负性和表面自由能等,并探讨了其与晶体吸湿性之间的关系;分析了ADN的键长分布,探究了引发键密度和表面自由能的关系,计算了... 为研究二硝酰胺铵(ADN)晶体的表面性质,通过理论模拟计算探究了ADN晶体重要晶面的阴阳离子暴露数目、粗糙度、电负性和表面自由能等,并探讨了其与晶体吸湿性之间的关系;分析了ADN的键长分布,探究了引发键密度和表面自由能的关系,计算了不同晶面的引发键能量,研究了不同晶面下机械感度的大小。结果表明,当ADN表面带负电性或者电中性时吸湿性较低,表明晶体表面暴露的阴阳离子与吸湿性有关,暴露的阴离子数目越多,吸湿性越低;从晶体表面结构性质可以得出,晶体表面越光滑,吸湿性越低,感度越低;表面自由能越大,吸湿性越强;晶面的引发键密度越小、引发键能量越低,机械感度越大。其中(020)和(100)晶面光滑程度较高,表面自由能较小,引发键密度和引发键能量较大,因此吸湿性和机械感度较低。 展开更多
关键词 物理化学 二硝酰胺铵 ADN 晶体表面 吸湿性 表面自由能 机械感度
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