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Photostability of colloidal single photon emitter in near-infrared regime at room temperature
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作者 靳思玥 许兴胜 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期515-520,共6页
The photostability of a colloidal single photon emitter in near-infrared regime at room temperature is investigated.The fluorescence lifetime,blinking phenomenon,and anti-bunching effect of a single CdTeSe/ZnS quantum... The photostability of a colloidal single photon emitter in near-infrared regime at room temperature is investigated.The fluorescence lifetime,blinking phenomenon,and anti-bunching effect of a single CdTeSe/ZnS quantum dot with an emission wavelength of 800 nm at room temperature are studied.The second-order correlation function at zero delay time is much smaller than 0.1,which proves that the emission from single quantum dots at 800 nm is a highly pure single-photon source.The effects of the irradiation duration on the fluorescence from single quantum dots are analyzed.The experimental results can be explained by a recombination model including a multi-nonradiative recombination center model and a multi-charged model. 展开更多
关键词 colloidal quantum dots single photon source BLINKING
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波长滞后法评估激光器的热阻
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作者 任杰 甄贞 +6 位作者 靳思玥 韩海龙 原蒲升 李凌云 尤立星 王镇 许兴胜 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期377-382,共6页
封装是光电子器件的关键技术之一。同时,器件的封装还影响器件的性能。文章提出了一种基于波长滞后的方法来评估激光器在298 K至10 K环境温度范围内的热阻。通过计算降温和升温过程中波长滞后的程度来表征热阻大小。该方法解决了低温环... 封装是光电子器件的关键技术之一。同时,器件的封装还影响器件的性能。文章提出了一种基于波长滞后的方法来评估激光器在298 K至10 K环境温度范围内的热阻。通过计算降温和升温过程中波长滞后的程度来表征热阻大小。该方法解决了低温环境中无法评估激光器散热性能的问题。这对低温光互连具有重要意义,也为低温环境中激光器的封装设计提供了参考。 展开更多
关键词 热阻 波长滞后 低温 半导体激光器
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高纯半绝缘SiC材料上缺陷的发光特性的研究 被引量:2
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作者 林必波 靳思玥 +2 位作者 秦璐 任杰 许兴胜 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期1-7,共7页
我们研究了采用电子辐照方法在高纯半绝缘4H-SiC材料表面上制备缺陷,获得了近似单个缺陷的发光特性。我们证明了碳化硅晶片上的缺陷的发光位于材料表面,而非材料内部。通过采用532nm激光泵浦碳化硅的表面,我们得到了一条波长在可见光范... 我们研究了采用电子辐照方法在高纯半绝缘4H-SiC材料表面上制备缺陷,获得了近似单个缺陷的发光特性。我们证明了碳化硅晶片上的缺陷的发光位于材料表面,而非材料内部。通过采用532nm激光泵浦碳化硅的表面,我们得到了一条波长在可见光范围内的光谱。通过设计两种不同电子能量的电子辐照、不同的电子辐照剂量以及退火时不同的氧含量,我们发现合理的电子辐照剂量和氧含量对高纯半绝缘4H-SiC材料的缺陷的产生以及发光特性将产生很大的影响,并得出了退火气体氛围中有氧气的成份将影响单个缺陷的形成和表面缺陷的发光强度的结论。有氧气的成份下,样品表面缺陷的发光强度低于退火时保护气体中无氧时的缺陷的发光强度,并且还会造成片上缺陷密度的增加。我们还分析了影响单个缺陷产生的主要因素与次要因素,以及影响缺陷发光稳定性原因的结论。这为在碳化硅材料上成功地制备出稳定可靠的量子器件提供了一个参考的价值。 展开更多
关键词 电子辐照 氧化 温度 缺陷
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